絶縁体、半導体、伝導体の体積抵抗率がそれぞれどのくらいの値になるのか
教えて下さい。
また、伝導体の説明もお願いします。

A 回答 (2件)

超伝導体 10^∞


導体  ~10^-8(Ω・m)
半導体 10^-4~10^4
絶縁体 10^12~10^20 
ぐらいです。
伝導体とは簡単に言えば電気をよく通すものです。
たとえば銅、金、銀、アルムニウムとか・・・
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この回答へのお礼

とても簡単に、且つわかりやすく解説ありがとうございました。

お礼日時:2001/06/09 11:49

「絶縁体、半導体、伝導体の体積抵抗率がそれぞれどのくらいの値になるのか 」


と言うのは、温度とかの依存性があるので、なんとも言えません。
一般に金属、絶縁体、半導体、とかの区別は、バンドギャップと、フェルミ面のかねあいで決まってきます。
半導体絶対零度まで冷やしたら、絶縁体だしね。
伝導体=金属
でいいなら、簡単に言って、バンドの真中当たりにフェルミ面があれば金属です。
本をよむのなら、キッテルって人の本が一番ベタかな?
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2.階層から落ちることの不安
子供に高い教育を施さないとあっという間に今いる階層から滑り落ちる危険があります。例えば勤務医と言えども、子供を医者にしなければいけないのです。お医者さんの奥さんから、お医者さんのお母さんにならないと自分の老後は安泰と言えないのです。
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Q中学受験(算数)の教え方についてアドバイス下さい

こんにちは。塾講師や家庭教師で生計をたてている者です。
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Aベストアンサー

塾講師、家庭教師経験者です。
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生まれて10年かそこらの子供にわかるように説明しなければならないのですから。
早くから受験勉強を始め、できる子は、向こうも問題慣れしていますのでいいのですが、
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Q測温体と抵抗体と測温抵抗体の違いがわからない

測温体と抵抗体と測温抵抗体の違いがわからないので、詳しい方わかり易く教えて下さい。インターネットで調べましたがいまいちよく理解できませんでした。

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測温体は、温度計測を行う素子すべてに対する呼称です。
前述のサーミスタ(負の温度特性を持つ)、ポジスタ(正の温度特性を持つ)の他、熱電対(起電力を持つ)や半導体素子(接合部の電位差が温度によって変わる)も含まれます。
また、バイメタル(異種金属の膨張率の違いを利用して温度を表示する)なども含まれるでしょう。

抵抗体は、電気抵抗を持つものすべての呼称でしょう。
(電気抵抗を持たないものというのは通常はありませんから、「電気抵抗を利用することをその用途とするもの」というのが、正しいかもしれません)

測温抵抗体というのは、種々ある測温体の中で、抵抗値の変化を温度表示に利用するもの、と解されます。
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なお、熱電対や半導体は、極めて直線性のよいものを作ることができるので、特に厳密な精度を要求するものでない限り、補正なしで使用できる場合もあります。

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こんにちは。

家庭教師のアルバイトで中学受験を目指す小学4年生の子を教えることになったのですが、正直、私自身も私の周りの者も中学受験というものを経験したことが無く、どのようなことを指導すればよいのか皆目見当もつきません。

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Aベストアンサー

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あとは国語も算数の文章題も、文を読みこなす力が必要ですし、作文のある学校も多いので、文章力をつける指導をしてあげてください。

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Q半導体の抵抗値

半導体の熱と抵抗の関係に対する質問です。

対象は炭化ケイ素です。

半導体では熱励起によって自由に動ける電子と正孔のペアが生じる。ペアの数は熱エネルギーに依存するので温度が高くなると増える。よってキャリアが増え低効率が下がる。

と調べたのですがこれだけでは不十分だと言われました。詳しい説明をお願いいたします。

また、800度付近から温度が一定になる理由も教えてください。
いろんな本をあさっていますが理由が見つかりません。不純物のせいなのでしょうか?

よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

質問者様の質問の意図とずれてるかもしれませんが、
ヒントになればと思い回答いたします。

まず質問者様の仰られるように、
>半導体では熱励起によって自由に動ける電子と正孔のペアが生じる…
>…よってキャリアが増え低効率が下がる。
という理解は正しいです。
これは温度を上げると抵抗率が上がる金属などとは違い、半導体の特徴と言えるでしょう。
しかし一つ気になったのは、材料がSiCというところです。
SiCはパワーデバイスの分野で期待されている、ワイドバンドギャップ半導体と呼ばれるものです。
SiCのバンドギャップは3.3~3.4eV程度です。(SiやGaAsは1.1~1.5eV程度)
このため、質問者様の仰るような熱励起によりバンドギャップを超えるようなキャリア発生はほとんどありません。
自由キャリア濃度は簡単に計算できるので、
室温での真性キャリア密度計算してみるといいと思います。
計算を間違えたかと思うくらい自由キャリアは存在しません。
一般的なSiCはn型伝導性ですが、これは成長時における不純物混入によるものです。
(私はSiC成長については詳しく知らないので、ご自分でお調べ頂くのが言いと思います)

不十分と言われたとのことですが、もしかすると、
移動度の変化などを含めた回答をすればいいということなのかも知れません。
移動度は主に、低温ではイオン化不純物散乱、高温ではフォノン散乱によって決まります。
これについては半導体物性の教科書を参考にすればいいと思います。

>800度程度から温度が一定になる
すみません。これだけではちょっと分かりません。

回答が何らかの参考になれば幸いです。

質問者様の質問の意図とずれてるかもしれませんが、
ヒントになればと思い回答いたします。

まず質問者様の仰られるように、
>半導体では熱励起によって自由に動ける電子と正孔のペアが生じる…
>…よってキャリアが増え低効率が下がる。
という理解は正しいです。
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Q中学受験について

最近は中学受験にむけて塾に通っているお子さんが多いと聞きます。

(1)塾のほうが良いのでしょうか?家庭教師は駄目ですか?

(2)中学受験はどのように志望校?目標校?をきめるのでしょうか?

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一人っ子の娘がいます。小学3年生です。まだ本人は中学受験に興味はまったくありません。来年から中学受験にむけて塾に行ったほうが・・・と聞きました。アドバイス宜しくお願いします。

Aベストアンサー

中学受験のお子さん指導経験のある元塾講師です。

 結論からいって
 (1)中学受験を自ら進んでやりたいと言うお子さんの場合
 (2)親が無理やりやらせる場合
 (3)なんとなく始めて受験する場合
 
 色々あります。興味がないお子さんでも一生懸命勉強する仲間を見て「受験勉強やりたい」というお子さんも勿論います。逆に勉強やだというお子さんもいますが、無理にさせることは私は反対です。
本人の意思がない場合、中学受験はほとんどが失敗し、仮にうまくいってもその後何らかの形(不登校など)で現れるからです。みんながやってるからという理由でやるのはおすすめしません。(お金もかかります)

 家の家計が大変でも「子供が一生懸命勉強している姿を見ると頑張ろうと思う」このようなスタンスなら家計が苦しくても乗り越えられますが、そうでないと無理です。(家計に余裕があっても無理です)

 ここからは受験する前提で書きます。
(1)塾・家庭教師に関してですが両方に長所があります。
 お子さんが競争意識が強いなら塾、一人でこつこつやるタイプなら家庭教師がおすすめです。
 塾というのは生徒全体の底上げやトップの子の合格を重要視します。そのため多少気の弱いお子さんな どはケアができない場合があります。ただ講師の立場で言うと「塾の友達」はお子さんが初めて持つ「ライバルであり戦友」という学校の友達とは違うものがあり私は好きです。この塾の友達は結構うるさいのが多いのでそれが肌に合うかどうかです。また塾によってもお子さんは結構違うのでご自身で見学に行かれるといいです。 
 家庭教師は生徒に最適なペースで授業をします。ただ料金が塾より高いのが普通です。また初めてのお子さんの場合、お母さんが不安になる場合もあるようです。塾にいると父母会などが多くそうしたものが家庭教師の場合すくなかったりない場合があります。

(2)志望校の決め方
  …わかりやすく例をあげると家を買うのと同じです。
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  敷地面積=通学圏内
  レイアウト=校風

 決め方に決まりはありません。同じ偏差値でも大学受験特化校か大学付属校かで全然違います。
「お子さんがどうなりたいか・お子さんにどうなってもらいたいか」でご判断下さい。
 (早稲田と慶應を両方受験されるお子さんがいますが医者志望であれば早稲田でなく巣鴨等のほうをおすすめしています)

(3)われわれは決まられる立場ですが親御さんから聞くのは
 「成績が伸びそう」
 「子供が気に入った」等が多いようです。
 ただお子さんや親御さんの考えに沿わないようであればお断りする場合もあります。これは高飛車な考えでなく両方(塾もご家庭も)が不幸にならないためです。
お子さんがたのしく通える塾か学べる家庭教師をお探しください。
ご参考までに。

中学受験のお子さん指導経験のある元塾講師です。

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Q半導体や絶縁体のフェルミエネルギー

基本的なことですが大事なことだと思うので質問させてください。
なぜ、フェルミエネルギーは半導体、絶縁体の場合には伝導帯と価電子帯の間の禁止帯の中にあるのでしょうか?
教科書などで普通に書かれていることですが、どうも納得いきません。
金属の場合には電子をバンドの底から詰めていき、その数が系の全電子数になったところの電子のエネルギーですが、
その定義をそのまま絶縁体や半導体で使うと価電子帯の一番上のところがフェルミエネルギーの位置になるのではないかと思うんですが。
また、禁止帯の位置には電子が存在できないのにフェルミエネルギーが
そこにあるのもよくわかりません。
何かの数学的導出で真ん中に来ると証明されるのでしょうか?

ご存知の方、お教えください。
また、なにか参考になるサイトや教科書等ありましたらあわせてご紹介いただけますとありがたいです。

Aベストアンサー

余り正確ではないかもしれませんが、
フェルミディラック分布というのは、そのエネルギーレベルに電子の居場所が「あれば」というか「あるとして」、その居場所を埋める確率を示すものです。
そこに電子の居場所があるかどうかは、別の原理が決めます。例えば半導体の禁制帯には量子論的に電子の居場所が無い、ということになります。フェルミディラック分布が禁制帯内のあるエネルギーレベルにおいてゼロでない値を示すとしても、居場所がないのでそこには電子は存在できません。

フェルミエネルギー(フェルミレベル)が、(真性)半導体の禁制帯の真ん中付近に来る理由は、フェルミディラック分布の形が対称的というか反対称的というか、そういう形をしていることから説明できます。伝導帯の電子の数と価電子帯の正孔の数は同じですが、そういうふうになるには、フェルミディラック分布を図的に上下にずらしていってみるとフェルミレベルが禁制帯の真ん中付近に来ることになる、と気がつかれると思います。


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