A 回答 (5件)
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No.5
- 回答日時:
能動領域と飽和領域があります、
能動領域でも、入力に対する出力の関係が右肩上がりのほぼ直線部分(正比例)と放物線上に変化する部分があります、飽和領域はそれ以上入力を上げても、出力が増加しない部分です。
ゲートのバイアス電圧で、どの部分を使うかが決まります、直線部分、A級増幅、放物線部分、B級増幅。
能動領域は半導体がまさに半導体として働いている状態かも?。
増幅するが、入力波形に応じて・・、逆に見れば制限もするため、損失は大きくなります(発熱が多い)、スイッチとして使用するときは飽和領域を使います。
No.4
- 回答日時:
今日は。
原因はトランジスタの入力端子のベース-エミッタ間電圧VBEに対する出力であるコレクタ電流ICが非線形な関係にあるためです。
こちら(http://yahoo.jp/box/AfBtlv)に簡単なトランジスタ増幅器の回路と動作波形(シミュレーションによる)を示します。
ここでは信号源V2を正弦波でf=1kHzの信号で振幅(0-p)を1.2mV、2.5mV、5mV、10mV、20mV、50mVと変化させてます。
シミュレーション波形を図の左側に示してます。波形は上から順に入力電圧Vin、トランジスタのベース-エミッタ間電圧VBE、出力のコレクタ電圧Voutそして出力電圧Voutとベース-エミッタ間電圧VBEの比 Vout/VBE を表してます。
Voutは入力信号の振幅が10mVあたりまでは歪はそんなに目立ちませんが20mV、50mVとおおきくなるにしたがって歪も増えているのが分かります。
一番下の Vout/VBE はいわゆるゲインに相当します。ゲインは一定であることが望ましく一定でないと歪が発生します。この Vout/VBE波形 が変動してるのが分かりますし、その上のVoutの波形もこのVout/VBE波形にピッタリと相似の関係になってるのが分かると思います。ここでVoutは Vcc-IC*R3 で与えられますので、Ic/VBEが歪んでるのが原因だということが分かります。
この回路で使用しているトランジスタ2SC1815のIc/VBE特性はシミュレーション結果ですがこちら(http://yahoo.jp/box/BNZ52O)に示したように直線ではなく対数カーブの関係になってます。これが歪みの原因ということになります。
No.3
- 回答日時:
どんな回路かわかりませんが、例えば単純な
エミッタ接地の場合、出力は0Vから電源電圧
が動作範囲です。出力がそれを越えるような
入力を加えると、トランシスタがカットオフ/飽和
してしまいます。
また、カットオフ、飽和に近ずくと直線性が損なわれるので
歪みが発生してしまいます。
No.2
- 回答日時:
身のほど知らず、これが一番合うでしょうか。
電増回路は、入力信号を電源エネルギーを使って、より大きい信号を出力します。
この出力は電源エネルギーです。よって、電源エネルギー以上の電力出力はできません。
電源が大事、とはこの意味です。
電源電圧以上の出力電圧を得る事はできません(トランス変換は可能ですが電力は増加しません)。
波形がひずむと言う事は、その限界で打ち止めされていると言うことです。
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