今、表面分析の勉強をしています。
実際に機器を起動してガス出し・・・・
そこまでは順調でした。ほとんど問題もありません。
ただ、一つ気になることがありました。
ガス出し手順に、”SCA(チャネルプレート)のガス出し”と
あったのですが、SCAというのが何なのかわかりません。
非常にアバウトな質問ですが、もしおわかりになる方がおられたら
教えてください。お願いします。

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A 回答 (2件)

gods-twilightさんが扱われているXPS装置は、静電半球型アナライザーのアナライザーを用いているのでしょうか?このアナライザイーの多くは検出器としてマルチチャンネルプレ-ト(多重検出方式)を用いています。

これは二次電子を増幅(増倍)する働きを持っています。構造的には内径が10~20μm長さが0.5~1mmの電子増倍管を数十万~数百万本束ねた構造をいて二次電子を10の4乗から8乗まで増幅できます。たいていは16チャンネルだったと思いますが。。。
私も詳しくは知りませんが、このチャンネルプレートのデガスのことを指すと思うのですが。。。

ちなみに、SCAとは静電半球型アナライザーのことで、たぶん英語ではSpheriCal Analyzerといい頭文字の部分をとったのでしょうね。一般的には同心半球型アナライザー(Concentric Hemispherical Analyzer)と言いますが。。。(参考書などによく載っていますよね!)

ちなみに私は数年前までXPS装置を使用していました。でも20年ほど前の装置なので静電半球型アナライザーなんて素晴らしいものはありませんでした。フロッピーも8インチと5インチのを使っていましたからね。

私もそんなに表面分析は詳しくないのでかなり勉強しています。お互い頑張りましょうね。
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先ほどの続きです。

。。

ベーキング後にはその表面に吸着物が付着しています。チャンネルプレートは、電子増倍管の役割をしているのですが、たとえば吸着物が残った状態でXPS測定をするとチャンネルプレートに入った光電子が増幅される以外に吸着物による増幅も行われるわけでそれにより電子増倍管が飽和して壊れる可能性があるのです。

よってXPS測定を行う前に、光電子を一定にした状態でチャンネルプレートの印加電圧を通常より下げた状態で徐々に上げていき、またそれが終わってからはX線の径を大きくして光電子の量をふやして行きます。こうすることによってチャンネルプレートのガス出しが出来ます。
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S:有効断面積mm2
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深さプロファイルはAESでもXPSでも取れます。深さ方向の分解能はいずれも数[nm]程度だったと思います。感度はXPSの方がよいようです。

以下のページなども参考にしてみてください。
[1] http://www.kanagawa-iri.go.jp/kitri/kouhou/ssknews/pdf/sannewspdf.html
ここの「1999年度発行 Vol. 5 No. 1(1999.5)」(pdfファイル)をダウンロードして読んでみてください。

[2] http://www.idema.gr.jp/news/38.htm
ここの「表面分析法を用いたヘッド・ディスクの測定事例」(pdfファイル)をダウンロードして読んでみてください。内容はTOF-SIMSについてのものですが、最初にXPSやAESなどの表面分析法を比較した表があります。

[3] http://www.cacs.co.jp/12kinou/conts/hyoumen_c1.htm

[4] http://www.nsg.co.jp/ntr/NTR-NEWS/ntrnews20.htm

[5] http://www.jeol.co.jp/technical/information/eo/escadata/esca006/esca006-01.htm

時々AESやXPSで試料を分析してもらっている者です。分析法自体の専門家ではなくてすみません。

オージェ電子分光(AES)とX線光電子分光(XPS)は対象とする分析内容が比較的似ています。AES・XPSのどちらでも適用できる場合も少なからずあります。

原子の結合状態まで知りたい時にはXPSが好んで使われます。元素の結合状態の違いによって生じる、XPSスペクトルの化学シフトが容易に観測され解析もしやすいためです。具体的には例えば試料の中からケイ素が検出されたとして、それらのケイ素が酸素と結合している...続きを読む

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QXPS1330でWindows7

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参考URL:http://iswebnet.sakura.ne.jp/st/loudear/ppblog/index.php?UID=1256522795

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>MOSは何もチャネル部にドープしないで作れば、エンハンスメント型、
>ドープすればディプレッション型になりますよね。
結局はゲートのポテンシャルによって決まる訳で、そうなる場合も
ありますが、使用する基板の濃度等もあり、いちがいに「する」「しない」
で決定されるものではないと思います。現行では例えばNPNの場合、
Pをドープしてエンハンスメント型を作るのが普通です。
このドープ技術があったからこそ半導体が世に広まったとも過言で無いと
思います。そのむかしは拡散で不純物をドープしてました。これは制御が
とても難しい。それが、イオンインプラント技術によりイオンを注入する
事ができるようになって微細化が可能となり、現在のドープ技術の主流と
なっています。
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>a-SiTFTの場合と比較して、難しい、高いということはあるのでしょうか。
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指してるのだと思いますが、技術の難しさを単純に比較するのは
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チャンネル部はその結晶シリコン部が使われますが、上記は、CVD等で
一度シリコン層を作る作業がありますね。ただ、だからどちらがどちらより
より困難とはいちがいには言及できませんね。

>MOSは何もチャネル部にドープしないで作れば、エンハンスメント型、
>ドープすればディプレッション型になりますよね。
結局はゲートのポテンシャルによって決まる訳で、そうなる場合も
ありますが、使用する基板の濃度等もあり、いちがいに「する」「しない」
で決定されるものではないと思います。現行では例えばNPNの場合、
Pをドープしてエンハンスメント型を作るのが普通です。
このドープ技術があったからこそ半導体が世に広まったとも過言で無いと
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