アクセプタ

の検索結果 (41件 1〜 20 件を表示)

半導体のドナー準位 アクセプタ準位 禁止帯

…こんにちは よく半導体のドナー準位 アクセプタ準位 が 禁止帯のところに書かれています。 禁止帯のところには、電子は、存在できない と教わったのですが、 ドナー準位 アクセプタ準位...…

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アクセプタ濃度から[Ei-Ef] [eV]の求め方

アクセプタ濃度から(Ei-Ef) [eV]の求め方を教えてください。 ちなみにアクセプタ濃度は2.5×10^21[m^-3]です。 どうか途中のプロセスも教えてください。…

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Noアクセプタについて

…Noアクセプタのエネルギー準位はどれくらいか知っている方がいたら教えてください。…

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抵抗率から半導体中のアクセプタ濃度の求め方?

…抵抗率から半導体中のアクセプタ濃度の求め方を教えてください。 問題はp型のSiの抵抗率は0.05[Ω・m]。 どなたでも良いので、求め方のほうを 教えてください。…

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LASER は、レーザ それとも レーザー?

…たいした質問ではないのですが、LASER はレーザと書くのでしょうか。 それともレーザー? 固体物理の本に、donor はドナー、acceptor はアクセプタと書いてありました。 Doctor はドクターで、...…

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海外ADHD薬、代行会社ごとに値段違うの何故?

…例えば下記サイト(ADHD用薬 アクセプタ・インド製の薬)で A 40mm100錠で7100円 http://www.daiko.iina-kent.com/html/axepta-100.html B 同 7800円 http://www.okusuri365.com/detail.php?id=axepta C 同 13490円 http://www.sizen.co.j...…

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半導体のバンド構造で

…半導体の基礎的なことについての質問です。 pn接合や表面準位を考慮したバンド構造を考えるとき 平衡状態に達したときはフェルミエネルギーが一致するよう なバンド構造になりますが...…

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4H-SiC BJTの高温特性

…初めての投稿でつたない部分もあるかと思いますが、どうかよろしくお願いします! SiCはどういった部分でSiよりも、高温動作に適しているのでしょうか? 熱伝導率がsiよりも大きいことはわ...…

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半導体についての質問です。

…半導体についての質問です。 現在大学四年生の自分はゼミで半導体について発表することになったのですが、その中の図でどうしてもわからないことがあり質問させていただきました。 そ...…

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ポリエーテルイミド(PEI)について

…現在、大学の研究でPEIについて研究を行っているんですがPEIに官能基であるニトロ基がついてるものとついてないものを色々調べているのですが、PEIのニトロ基有と無とではドナー性を示す...…

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低温化でのキャリアとトランジスタ動作の関係

…こんにちは。 半導体デバイスについて勉強しているものです。 低温化でトランジスタ(FET)の特性が良くなる。(相互コンダクタンスや飽和電流値などが良くなる。)というのを目にしました。...…

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注意欠陥障害(add )の疑い

…(医療系)大学の5回生です。 今25歳で、高卒後引きこもっていた時期があります。 大学に入って、また気分の落ち込みイライラがあり、今ルボックスで様子を見ているところです 今実習生...…

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【緊急】半導体に関する課題

…大学で出された半導体に関するレポート問題がわからなくて困っています。 分かる人がいらっしゃったら是非教えてもらえないでしょうか。 以下課題内容 1.半導体の特徴は不純物の導入に...…

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なぜpn接合に逆バイアスをかけても電流は流れない?

…なぜpn接合に逆バイアスを印加しても電流は流れないのでしょうか? まず私が理解しているpn接合の流れを書きます。 ・ドナー不純物をドープされているn型半導体(キャリアとして動ける電...…

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共有結合

…シリコンは共有結合している。不純物としてリンなどを添加するとシリコン結晶内を自由に移動できる自由電子を増やすことが出来る。 このような不純物をなんというのですか? 教えてくだ...…

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P型GaN

…いつもお世話になっております。 さっそくですがP型GaNだけではないのですが、深い不純物準位をもった半導体はどうして高抵抗といえるのでしょうか? ご教授ください。 よろしくお願いし...…

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フェルミ準位について教えてください

…私の持っている資料にフェルミ準位についてこう書かれていました。 「電子が絶対零度で存在することができる最大エネルギーをフェルミエネルギーと言う」 また教科書には 「フェルミ...…

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半導体におけるポアソン方程式

…こんにちは。 ポアソン方程式を解いて空乏層領域を計算する過程でわからないことがあります。 n型半導体とp型半導体の接合させた際、 ρ=q(Nd-Na+p-n) より d^2x/dx^2=-dE/dx=-q/εs*(Nd-Na+p-n) この...…

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多結晶シリコンのバンドギャップ

…シリコンのバンドギャップがおよそ1.1eVだということは 分かるのですが、多結晶またはアモルファスの形の場合、 その値は変わってくるのでしょうか? 結晶状態によってバンド構造も変わ...…

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MOSFETのn+層

…MOSFETなどの構造図で単なるp層やn層ではなく、n+層とかp-層とか見かけますが、この+や-は何を意味しているのでしょうか? よろしくお願いします。…

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