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プリヒートまでの昇温速度はおよそ1〜3℃/s以内推奨とネットでよく見かけますが、①0〜150℃内の平均?  or ②0〜150℃内のどこでも? ③あまり重要な条件じゃない?(決められたCTに収める必要がある場合)

現在、温度設定をしていて予め決まった条件としてコンベアスピード、プリヒートタイム、220℃over、ピークがあります。色々試したのですが昇温部を急激に上げないと条件クリアできません。どうかお力添えよろしくお願い致します。

A 回答 (2件)

温度プロファイル曲線の最大温度勾配を抑えるとともに、平均温度勾配も管理する必要があります。



理由は2つあります。

①半導体のSiチップと封止樹脂の線膨張係数差による熱ストレス対策です。封止樹脂の方が線膨張係数が大きいのに、内部が冷えた状態で急激に温度上昇させると封止樹脂だけが膨張し、ボンディングワイヤが切れたりすることがあります。
(許容温度勾配は、素子の仕様書に書いてあります)

②はんだペーストの突沸対策です。はんだペーストの溶剤は沸点が150℃前後のものが使用されていますが、それが沸騰するとペーストが飛散し、はんだボールが発生することがあります。

普通リフロー炉は、3ゾーン形式で、第2ゾーンで150℃前後でソークし、溶剤が乾燥するととも全体がほぼ均一温度になったところで最終ゾーンに入れます。
(推奨ソーク温度は、はんだペーストメーカーに聞いてい下さい。溶剤の沸点以下でソークします。)

「プリヒートタイム」がソークの要件だと思いますが、ここは、遅れて昇温する大型素子内部がソーク温度に達していれば、プリヒートタイムを守らなくても、すぐ最終ゾーンに入れても構いません。この時点で「位置についてよーいドン」の昇温の再スタートになります。

熱電対は、ICの裏に穴を開け、そこに耐熱性接着剤で固定します。プリント基板にも穴を開け、基板の裏側から引き出すことになります。
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この回答へのお礼

助かりました

詳しい解説、勉強になりました。ありがとうございます!

お礼日時:2023/08/22 09:11

自動ハンダ付けのリフロー炉でしょうか? 急激な温度変化はチップ部品に影響がありますから、温度変化が偏らないようにすればいいのでは。



リフロー炉では温度プロファイルも重要で、温度の偏りがないようにしないとね。
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