Ｇｅ結晶を加圧すると、Ｅｇ（バンドギャップ）の変化

　Ｇｅ結晶を加圧すると、Ｅｇ（バンドギャップ）の変化を予想せよという問題がわからない＞＜

　上記の問題で自分なりに考えた回答は：
　結晶が壊れないほどの加圧なら、結晶を加圧すると格子体積は小さくなり、結合距離が短くなるので、結合力が強くなり、結合解離エネルギーＤが大きくなるので、これと比例関係にあるＥg（バンドギャップ）も大きくなり、Ｇｅの導電性が下がる。

* EgとＤはともに反結合性分子軌道と結合性分子軌道のエネルギー差である。
↑
このひと言つけ加えたほうがいいですか？

No.1 回答者： doc_sunday 回答日時： 2011/07/13 13:23

なんか、すごく間違っているような気がしますので、日本高圧力学会の会誌である「高圧力の科学と技術」を検索してみた方が良いと思います。

この回答への補足

お答いただき、ありがとうございます。問題を詳しく書くと：
一般に結晶を加圧すれば格子体積は小さくなる。設問（a,b)を参考にして、Ｇｅ結晶を加圧したとき、Ｅｇはどのように変化がみられるか。
(a)原子間距離と共有結合の強さの関係を記し、理由を述べよ
（ｂ）表のＤとＥｇの関係を記し、そのようになることの理由を述べよ。
表は第１４元素の単結晶の特性です
元素　　格子定数/Ａ゜（オームストロング）　Ｄ/KJ/mol Eg/eV
C 3.57 346 5.4
Si 5.43 222 1.1
Ge 5.66 188 0.66
Sn 6.49(α相）　　　　　　　　　　　　　　　146 0.1
です。
やっぱり体積が小さくなる分、格子定数が小さくなるので、共有結合が強くなりませんか？

補足日時：2011/07/14 10:40

この回答へのお礼

お答いたたぎ、ありがとうございます。

お礼日時：2011/07/14 10:41