MOSトランジスタのスイッチングの動作周波数について

　MOSトランジスタのゲート絶縁膜にSiO2が使われるのが一般的にですがゲート絶縁膜の誘電率ε、そして電気容量CとMOSトランジスタのスイッチングの動作周波数にはどのような関係があるのでしょうか？

　明後日の発表でこの内容を使いたいので、早急な回答をよろしくお願いします。

No.1 ベストアンサー 回答者： walkingdic 回答日時： 2008/04/17 16:52

もう必要なくなっているかもしれませんけど、、、、

ゲートの静電容量Ｃは誘電率εが大きくなればなるほど大きくなります。
Ｃ＝Ｓ＊ε／ｄ
Ｓ：ゲート面積、ｄ：絶縁体の厚み

Ｃが大きいということは、単純にＲＣ回路でのＣにかかる電圧を考えれば、Ｃへの電圧はＣが大きいほどなかなか上昇しなくなります。時定数はＣ＊Ｒですから。

つまりそれだけ応答が遅くなるということ。