比誘電率 ｋとεｒ、値が違う？？

以前から比誘電率ｋについて調べさせていただいたのですが、

ｋとεｒは比誘電率である。

物理の世界でｋは「カッパー」と呼ばれるギリシャ文字であり、
比誘電率はεｒを使うが、時々ｋを使う

という情報はえたのですが、

疑問としては

なぜわざわざ統一しないのか、おそらく違いがあるから使われているのでは？

ということです。現にεｒとｋの比誘電率を別々に調べていったら
値が違いました

例　ＳｉＯ2
　　比誘電率（ｋ）＝４．２
　　比誘電率（εｒ）＝３．８

なぜ違いがでてるのか式などもあればご指導法よろしくお願いします

No.2 回答者： boson 回答日時： 2008/05/31 12:33

＞ｋとεｒを使い分ける意味ってあるのでしょうか

物理的な意味は無いと思います。
（例えば、
　「ある周波数で比誘電率を測ったときはkで表し、別の周波数で測ったときはεrで表す。」とか
　「ある物質の比誘電率はkで表し、別の物質ではεrで表す。」とか
　そのようなルールは存在しないと思います。）

なぜだかわりませんが、LSI製造技術の研究者は比誘電率をkという記号で表して
論文を書く傾向がある、というだけのことのようです。
私はもう「研究者の属する文化の問題なのだ」と割り切って考えています。

ちなみに
Wikipedia
http://en.wikipedia.org/wiki/Dielectric_constant
には
"The relative static permittivity is represented as εr or sometimes κ or K or Dk. "
との記述があります。
これがホントだとすると、εrやκ、Kの他にもDkと書いたりすることがあるようです。


下記ご参考まで。
http://okwave.jp/qa4037613.html

この回答へのお礼

ありがとうございました
大変参考になりました。
どうやら追求していってもあまり
意味がないようですね
割り切ってつかっていくことにします
ほんとにありがとうございました。

お礼日時：2008/06/01 23:44

No.1 回答者： boson 回答日時： 2008/05/30 00:08

物理でも比誘電率の記号はεrを使います。

比誘電率にkという記号を使うのはLSI屋さんではないでしょうか？

SiO2の比誘電率が4.2だったり3.8だったりするのはSiO2の製造方法による違いだと思います。

Tech-On! 用語辞典には
http://techon.nikkeibp.co.jp/word/data/ID0465.html
「SiO2の比誘電率は、結晶である石英の場合で4.2、プラズマCVD
（chemical vapor deposition）法で作ったものは3.8程度である。」
とあります。

ちなみに石英ガラスだと比誘電率3.5～4.0です。

あと念のため申し上げておきますが、
計測する周波数でも誘電率は変わることをお忘れなく。

この回答への補足

回答ありがとうございます。
まさしくLSIの分野です。

ｋの比誘電率は測定の周波数は1MHｚで計ってますよね？
εｒはちょっとどのときかわからないんですが、
ｋとεｒを使い分ける意味ってあるのでしょうか

物質が普通の状態であるとき　　εｒ
プラズマCVDなどの生成法時　　ｋ

を使うということなのでしょうか？

補足日時：2008/05/30 10:30