激凹みから立ち直る方法

こんにちは、以下について質問させてください

回路を設計する上でデータシートを使う際に、値を読み取るわけですが、その時に自分が設定したい値が書かれていない場合ってどうしたらいいのでしょうか??素子はできる限り変えたくはないのですが変えるしかないのでしょうか??

たとえば
・2SC1815のIc-Vce特性でクラスの低いトランジスタで20~30mAとかで使いたい場合負荷線を引くのが困難なのですが…
・Vce=50Vみたいに書いてあるけどグラフには10vも書いてない…Vceが大きい値での負荷線ってどうすればいいの?
FET等のダイナミック入力特性においてQgを読み取るためのグラフが3本しかないけどグラフ以外の値を使いたい場合にはどうすればいいの?
FETのcissの項目に測定条件って書いてあるけど実際に使うとき測定条件にまったく当てはまらない場合、この値を用いてもいいものなのでしょうか?
等など、このような感じの状態です。

ご回答いただけると助かります。よろしくお願いします

A 回答 (1件)

>自分が設定したい値が書かれていない場合


想像で延長します。
ただし部品の性質について知識がないと想像は外れます。
心配なら実験してグラフ作成します。

Ic-Vce特性については、「アーリー効果」を知っておいた方が良いですね。
http://images.google.co.jp/images?hl=ja&lr=lang_ …

アーリー効果に従ってグラフを延長してみれば、当たらずとも遠からずになります。
似たようなトランジスタのデータシートを見比べて傾向を見るのも参考になります。

FETのQgは、Vddが数種類載っていますね。
QgはVddが高いと大きくなるという傾向が読み取れますね?
自分が使いたいVddのときのグラフを想像して線を引いてみてはいががですか?

>FETのcissの項目に測定条件って書いてあるけど
FETの寄生容量等価回路は
http://www.cqpub.co.jp/column/books/2001a/320120 …
のようになります。
回路の接地方式(ソース接地とかベース接地とか)に応じて容量を足し算引き算すればよいでしょう。
周波数は、10MHz以下ならとくに変わりません。
Vgs=0Vでの測定が一般的ですが、FETのチャネルにキャリアがある状態と無い状態では、ひょっとすると静電容量は違うかも知れません。
アンプを作るなら、実際に回路を作った際に周波数特性の評価は必要ですね。

このように、データシートだけでは設計できませんので、実際に作って確認することが必要です。
部品の特性についての知識も必要です。
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