No.1ベストアンサー
- 回答日時:
spectreは持ってませんのでフリーのspiceシミュレータLTSpiceを使った例で説明します。
(こちら http://yahoo.jp/box/zPv9l6 にアップした資料を参照して説明します。)1)回路は資料のようにまず、FETのゲートとソースの間に電圧源(この場合、V_gs)を接続します。またドレインとソースの間には別のDC電源(V1)を接続します。
2)シミュレーション
まずV_gsを0Vから2Vまでスイープします。資料の場合はV_gsを10mV刻みで増加させてます。
また、FETのVT0はspecterのようなdelvt0のようなパラメータはLTSpiceでは使えませんのでVT0を変数に設定(Vt0x)してパラメトリック・プロット機能を使ってVt0を0.5Vから1.5Vまで0.5V刻みで変化させています。
シミュレーション結果は横軸がゲート-ソース間電圧Vgsを縦軸はドレイン電流Id(M1)を表しています。
specterを使っての説明ではないので分かりづらいかもしれませんが...
この回答への補足
解説ありがとうございます。だいたいおっしゃっていることは解るのですが、説明していだいた回路を作成して出力波形からvthを取得するのだと思うのですが、解説の波形から
どのようにvthの値を取得すればいいのでしょうか?
なさけない質問で申し訳ありません。ご指南お願いします。
No.4
- 回答日時:
>VTHを取得する方法はご丁寧な解説でだいたいわかってきたのですが、なぜこの方法でVTHが測定できるのか解説をお願いできないでしょうか?申し訳ありません。
回答>>こちら(http://yahoo.jp/box/hhajmo)の例で説明します。
まず、Vt0xのパラメータが0.5Vに設定されたカーブ(黄色の線)ではゲート電圧(横軸)が0Vから少しずつ増大して行き0.5VのところからID(縦軸)が急激に増大してるのが分かると思います。VTHの定義はIDSが急激に増加する時のVGSをVTHとしてますので、このVGS=0.5VがVTHだということが分かります。
同様に、Vt0xのパラメータを1.0Vni設定された時のカーブ(青色)ではゲート電圧が1.0Vを超えるところでIDが急激に増加していることが分かりますので、VGS=1.0VがVTHだということが分かります。
同様にVt0xのパラメータが1.5Vに設定されたカーブ(赤色)ではゲート電圧が1.5Vを超えるところでIDが急激に増加していることが分かりますので、VGS=1.5VがVTHだということが分かります。
これでお分かりになると思いますが、どうですか。
No.3
- 回答日時:
回答NO.2です。
VTHの定義ですが、半導体メーカのデータ・シートではゲート-ソース間電圧とドレイン-ソース間電圧を等しくして、ドレイン電流がある値の時という形で定義されてるのが多いので、こちら(http://yahoo.jp/box/gee1tm)に示したような回路でDC電源V_gsを0.4mV刻みで0Vから2Vまで変化させてかつパラメータとしてVt0をVt0xとして0.5V、1.0V、1.5Vの3つの値に変化させた時のドレイン電流Id(M1)をシミュレーションしてプロットしてあります。この例ではFETのVthの測定条件はVGS=VDS、IDS=250uAですので、得られた測定結果から縦軸の250uAのポイントから波形の交差するそれぞれの点のV_gs(グラフの横軸はV_gs)を読み取ります。
パラメータとグラフの関係は青がVth0x=0.5V、赤が1.0V、灰色が1.5Vになってます。
No.2
- 回答日時:
>解説ありがとうございます。
だいたいおっしゃっていることは解るのですが、説明していだいた回路を作成して出力波形からvthを取得するのだと思うのですが、解説の波形からどのようにvthの値を取得すればいいのでしょうか?回答>>すみません、説明が不十分で分かりづらかったですね。
出力波形の縦軸を対数にします。こちら(http://yahoo.jp/box/hhajmo)に縦軸を対数にした特性を載せました。図で水平軸に漸近したポイントがVthになります。
それから、V_gsの刻みは1mVと細かくします。
この回答への補足
VTHを取得する方法はご丁寧な解説でだいたいわかってきたのですが、なぜこの方法でVTHが測定できるのか解説をお願いできないでしょうか?申し訳ありません。
補足日時:2014/04/22 10:50お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!
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