No.1ベストアンサー
- 回答日時:
某メーカのプラズマCVD担当です。
基本的には、何らかのダメージを受けます。特に高密度
プラズマCVD(基板にBias RFを印加するもの)は、顕著に
現れ、膜質(膜収縮率、エッチレート、絶縁耐性等)に変化
が見られます。
この回答へのお礼
お礼日時:2004/10/28 10:53
ありがとうございます。
膜厚を稼ぐのに時間がかかって困っておりました。
早速、何らかの手段を講じて解決したいと思います。
お忙しいところありがとうございました。
No.2
- 回答日時:
どのようなデバイスで絶縁膜を形成するかにも
よるのですが、たとえばメモリーやロジックなどの
素子の場合、トランジスター部に近いところでは、
ダメージを考えプラズマCVDは使いません。
上層配線部では、多少のダメージは許容できる
はずです。
プラズマと基盤の電位差で加速された、イオン衝撃
によるダメージの他、プラズマの不均一性により
径方向の電位不均一さによる、基板内での絶縁破壊
などのダメージも考える必要があります。
また、プラズマCVDで成膜した膜自身の中にも
チャージし電荷が溜め込まれる事があり、問題と
成ることがあります。
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