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No.1
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14族のSiやGeに15族のAsなどをまぜると、15族の元素は14族の元素に比べて価電子が1個多いので、結晶中に電子が過剰になります。
これがN型半導体です。14族のSiやGeに13族のGaなどをまぜると、13族の元素は14族の元素に比べて価電子が1個少ないので、結晶中に正孔(ホール)が生じます。これがP型半導体です。
P型半導体とN型半導体を接合すると、P→Nの方向には電気が流れますが、N→Pの方向にはほとんど流れません。これがダイオードの整流作用です。
整流作用が起こる理由は、P型半導体の中の正孔は電源の-の方向に、N型半導体の中の電子は電源の+の方向に引っ張られることによります。
P→Nの方向に電流を流す場合には、正孔と電子がPNの接合面の方向に動き、接合面で正孔と電子がぶつかって消滅するようにして電気が流れます。
逆に、N→Pの方向に電流を流す場合には、正孔と電子がPNの接合面とは逆の方向に動き、正孔と電子が離れた場所(ダイオ-ドの端と端)に存在するようになります。こうなると、電気は流れません。
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