No.2ベストアンサー
- 回答日時:
#1さんの答えで考え方はいいのですが、多くの場合、実際に測定されるのは電場Eではなく、その二乗のE^2の光強度Iです。
I=E^2なので、光強度の減衰長は電場の減衰長の1/2倍になる。
GaNということなので、可視紫外域であれば、光の侵入長よりもその逆数である吸収係数αの方が一般的では?
α=2ωk/c kが虚部、cは光速
No.1
- 回答日時:
n=nR+nI (nRは実部、nIは虚部)とすると、
x方向の電場の強さは、
Ex=Eo×EXP(iω×(t-nz/c))
と表され、nを代入して、振幅の項を取り出すと、
Ex=Eo×EXP(-ω×nI×z/c)
となり、進行方向zに対するExの減衰を求めることができます。
ファインマン物理学4巻に書いてありました。
侵入長という言葉は出てこない(表皮厚さという言葉が出てくる)ので、ご参考まで。
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