LTspiceでシミュレーションができているか不安です。

今LTspiceで、ROHM社のMOSFETでSCTMU001Fを用いてシミュレーションをしています。

画像のように抵抗をいれ、1、10、100、1000Ωと変えたのですがあまり変化しません。
回路が間違っているのでしょうか。
なぜあまりかわらないのかと、ドレインに抵抗を入れたことによって何が分かるのかを
どなたかお答え頂けないでしょうか。

質問者からの補足コメント

• 

  ドレイン電流の波形が何本もでて、抵抗を変化しても電流が変化しません。

  
    補足日時：2016/02/04 05:04

• spiceモデルの取り込み方がおかしいのでしょうか？

    補足日時：2016/02/04 05:47

No.1 回答者： m-jiro 回答日時： 2016/02/04 21:23

これシミュレーターですか。

それはさておき、

>　なぜあまりかわらないのかと、ドレインに抵抗を入れたことによって何が分かるのかを
どなたかお答え頂けないでしょうか。

ＭＯＳＦＥＴはドレイン電圧によってドレイン電流が変化してはならないのです。
理想的にはドレイン電流はゲート電圧によってのみ左右され、ドレイン電圧が変化したことでドレイン電流に変化があってはなりません。すなわちドレインに入れる抵抗の値を変えてもドレイン電流が変化してはならないのです。お尋ねの抵抗はこの試験のためのものと思われます。
実際には変化します。ドレイン電圧を下げていくとドレイン電流は一般に減少します。理想値との差が「歪（ひずみ）」でリニア（アナログ）動作をさせている場合は重要なファクターになります。
貴殿は「変化しない」ことを気にしているようですが、「変化しないこと」が重要なのです。前述のように実際には僅かに変化するのですが、それが最小になるよう回路設計をするのです。

これはリニア（アナログ）動作をしている場合のことで、スイッチング動作では関係ありません。
リニア動作であればバイポーラトランジスタについても同じことが言えます。

No.2 回答者： xpopo 回答日時： 2016/02/04 23:47

このシミュレーションはV1、即ちゲート電圧を０Vから２０Vまで２Vステップでスイープし、更にゲート電圧の各ステップで電源V2を０Vから２０Vまで２VステップでスイープするDCスイープ・シミュレーションになってます。

　一方、解析したいNMOSトランジスタSCTMU001Fはデータシート（http://rohmfs.rohm.com/en/products/databook/data …）の5/9ページのFig４の特性からゲート電圧を２０Vまで印加すれば２０A程度のドレイン電流が流れる事が分かります。
　しかし、uber0205さんのシミュレーション結果ではドレイン電流は多くても30nAと極端に小さく電流は殆ど流れていない状態です。
これは明らかにNMOSFET（SCTMU001F）のspiceモデルがおかしい状態です。多分正しくspiceモデルがLTSpice に組み込まれてない状態と推定されます。

実際に同じ条件で抵抗の値を1Ωにした時のシミュレーション結果を添付しておきます。ドレイン電流は最大で18A近く流れてるのが分かると思います。