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講義中に図のような回路を示されたのですが、なぜ各点で図のような電圧になるのかがいまいちわかりません。
解説をよろしくお願いします。
もし可能でしたら、両方の入力が「H」である場合の解説もしていただければありがたいです。

「TTLによるNAND回路について」の質問画像

A 回答 (4件)

シリコンダイオードに電流が流れるときの電圧降下は通例では0.6Vです。


トランジスタのベース、エミッタ間というのは一種のダイオードですので
電流が流れるときの電圧降下はダイオードのそれに等しいということになります。
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この回答へのお礼

すみません、入力が両方Hでした。

お礼日時:2012/07/23 02:08

この解説は間違っています。


入力の一つがLだから、出力はHになります。
Hの時の出力電圧は、約4,2Vです。出力段のベース電圧は0V,その前の段も0V、入力段のベース電圧は0.6Vです。
両方がHの時は、出力は0,2V以下、出力段のベース電圧は0,6V、その前の段のベース電圧は1.2Vです。
入力段のベース電圧は、5V(Hの電圧と同じ)です。
なお、ベース電圧の0.6Vはトランジスターのベース・エミッタの順方向電圧は、約0.6Vだからです。
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ANo2です。

解答の一部を訂正します。
両方の入力がHの時の入力段のベース電圧は、1.8Vです。
それは、ベース・コレクタ-間が順方向なので、1.2+0.6=1.8Vとなります。
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入力が両方Hのとき初段トランジスタのB-E間に電流は流れません。

Eの電位が高いので。
この時、C-E間にも電流は流れません。NPNトランジスタの性質上当然ですね。
この時、B-C間はPN接合のダイオードとして作用します。
そしてNo.1ですでに言及した通りB-E間はダイオードです。
ですので二段目のB-E間も三段目下のB-E間もダイオードです。

上記を踏まえると、図の回路は5VラインにR14Kがぶらさがりその先ダイオード3つの直列を介して
グラウンドに落ちる回路であるとみなすことが可能です。
No.1で解説したようにダイオードの電圧降下は0.6Vですからグラウンドからは下から順に
0.6V、1.2V、1.8Vとなるわけです。
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