No.2
- 回答日時:
目的動作における電流の方向です。
NPNトランジスターの場合は、ベース(P)からエミッター(N)への電流方向です。
FETも同じです。
トランジスターは、ベース電流によってコレクター→エミッター電流の流れやすさを制御しますが、
FETは、ゲート電圧でその流れにくさを制御する、
そんな違いでしょうか。
回答ありがとうございます。
矢印の方向が電流の方向ということですよね。
バイポーラは電流制御型、FETは電圧制御型ということですね。
No.3
- 回答日時:
バイポーラトランジスタの記号では、まず矢印があるのがエミッタであることを示します。
また矢印は電流の流れる方向を示しています。
NPN型では矢印が外側へ向いていますから、電流は コレクタ → エミッタ に流れます。
ですから電圧の加え方はコレクタがプラス、エミッタがマイナスにします。
PNP型は矢印が内側に向いています。電流は エミッタ → コレクタ に流れ、エミッタにプラスの電圧を加えます。
No.4ベストアンサー
- 回答日時:
>バイポーラトランジスタの場合はP型半導体→N型半導体の方向に矢印が出ているのかと思いましたが
>MOSーFETではN→Pになっています。
回答>>バイポーラはそれで合ってます。
FETはMOS-FETではなくジャンクションFETですね。MOSはドレイン-ソース間がN型半導体かP型半導体でゲートは酸化膜で絶縁されてて半導体は使用されてません。
ジャンクションFETではドレイン-ソースがN型の場合(Nチャンネル)はゲートがP型になり矢印はゲートのP型からソースのN型の方向になります。
ドレインーソースがP型(Pチャンネル)の場合はソースのP型からゲートのN型の方向の矢印になります。
回答ありがとうございます。
やはりP→Nの矢印ということですね。
MOS-FETは下の部分(ソースとドレインの下、そしてゲート下の酸化膜に接する部分)がP型なので、ソース・ドレインがNの場合はP→N方向の矢印に成る、と覚えています。
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