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トランジスタの回路記号の矢印は何を表しているのですか?
バイポーラトランジスタの場合はP型半導体→N型半導体の方向に矢印が出ているのかと思いましたが
MOSーFETではN→Pになっています。

こじつけの覚え方みたいなものでもいいので、なにか思いついた方がいれば教えて下さい。

A 回答 (4件)

ベースはアクションとして関係がなく、PからNの方向のところに矢印が付いていると思ってました。

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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。

自分もそう思っていました。

お礼日時:2016/07/01 17:10

目的動作における電流の方向です。


NPNトランジスターの場合は、ベース(P)からエミッター(N)への電流方向です。
FETも同じです。
トランジスターは、ベース電流によってコレクター→エミッター電流の流れやすさを制御しますが、
FETは、ゲート電圧でその流れにくさを制御する、
そんな違いでしょうか。
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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。

矢印の方向が電流の方向ということですよね。
バイポーラは電流制御型、FETは電圧制御型ということですね。

お礼日時:2016/07/01 17:10

バイポーラトランジスタの記号では、まず矢印があるのがエミッタであることを示します。


また矢印は電流の流れる方向を示しています。

NPN型では矢印が外側へ向いていますから、電流は コレクタ → エミッタ に流れます。
ですから電圧の加え方はコレクタがプラス、エミッタがマイナスにします。
PNP型は矢印が内側に向いています。電流は エミッタ → コレクタ に流れ、エミッタにプラスの電圧を加えます。
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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
バイポーラトランジスタの場合は矢印の向きが電流の向きになるということですね。

お礼日時:2016/07/01 17:09

>バイポーラトランジスタの場合はP型半導体→N型半導体の方向に矢印が出ているのかと思いましたが


>MOSーFETではN→Pになっています。

回答>>バイポーラはそれで合ってます。

 FETはMOS-FETではなくジャンクションFETですね。MOSはドレイン-ソース間がN型半導体かP型半導体でゲートは酸化膜で絶縁されてて半導体は使用されてません。
 ジャンクションFETではドレイン-ソースがN型の場合(Nチャンネル)はゲートがP型になり矢印はゲートのP型からソースのN型の方向になります。
ドレインーソースがP型(Pチャンネル)の場合はソースのP型からゲートのN型の方向の矢印になります。
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この回答へのお礼

回答ありがとうございます。

やはりP→Nの矢印ということですね。
MOS-FETは下の部分(ソースとドレインの下、そしてゲート下の酸化膜に接する部分)がP型なので、ソース・ドレインがNの場合はP→N方向の矢印に成る、と覚えています。

お礼日時:2016/07/01 17:08

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