半導体の複素誘電率

一般に複素比誘電率εr*=εr'+jεr''と書けεr'，εr''及び導電率σと光学定数(複素屈折率N=n+jk(屈折率n,消衰係数k))の間には，εr'=n^2-k^2,εr''=2nk,σ=-2ωε0nk(ε0は真空の誘電率，ωは用いる複素屈折率に依存する光の波長より求めた角周波数)の関係が成り立ちます．σ=-2ωε0nkの関係はマクスウェルの方程式で
∇×H=jωε0εrE+σE(J=σE)
と複素比誘電率を考慮した時の
∇×H=jωε0εr*E==jωε0(εr'+jεr'')E
とを比較して得られたものです．
そこで，半導体の複素屈折率(例えばGeSbTeでは波長780nmでN=6.9-j2.6)がわかっている時，上の関係を用いて誘電率及び導電率を求めてもよいのでしょうか？

No.1 ベストアンサー 回答者： abyssinian 回答日時： 2004/12/03 21:17

　それで良いですよ。

Nからεr'とεr"はすぐ求まるし、
　εr" = σ/(ωε0)
からσも。
君が書いてないωの式さえ間違いなければ。

この回答へのお礼

早速回答して頂き有難うございます！
考え方があっていたようで安心しました．

お礼日時：2004/12/04 01:26