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バイポーラよりMOSFETのほうが動作が遅いということは知っているのですが、その理由は何なのでしょうか?詳しく教えてくださると助かります。

A 回答 (2件)

動作速度というのが何を意味しているのかによりますが、最近のSiプロセスだと、小さなトランジスタ単体の速度(例えば、Ft、Fmaxとか)だと、MOSのほうがバイポーラよりも高いです。


実際、ロジック回路のように、大きな負荷を振る必要がない回路であれば、MOSのほうがバイポーラよりも高速動作します。

ただ、小さなトランジスタならMOSのほうが速いんですが、例えばRFやミリ波用のパワーアンプみたいに、ある程度の負荷を駆動しないといけない(サイズの大きなトランジスタが必要)とかになると、MOSは電圧駆動なためにゲート抵抗の影響がかなり見えてしまうとか、寄生容量がバイポーラよりつきやすいとかあって、総合的に見るとバイポーラのほうが速い、っていう場合も多いです。
それから、MOSは、ノイズや歪みなどの面では、バイポーラにかなり劣るので、プリアンプといったノイズ・歪みに敏感な用途でも使いづらいという面はあります。

一方で、MOSは、安い・小さい・デジタル回路と混載しやすい・低電力(RF・ミリ波で使うなら実際にはバイポーラとそこまで差はないですが)といった、大きな利点もあります。
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一概にそうとは言えませんが、何をもってMOSFETの方が遅いというのか


説明してください。
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