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はじめまして,タイトル通りになってしまいますがSiO2を蒸着した際の基板上のSiOx膜のxの値を知りたいのですが,こういったことは全くの初心者のため分析装置の種類が多くてどれが最適な方法なのかわかりません.
私としてはより明確に数字でxの値が調べたいです.
どなたかアドバイスを下さい.
よろしくお願いします.

A 回答 (1件)

私が知る範囲で、最も簡便なのは「エリプソメータ」だと思います。

エリプソメータは
一般に、レーザ光を基板表面に斜入射で照射してその反射光の変更特性を解析する
ことにより、薄膜の膜厚と屈折率を同時に計測する測定器です。組成がSiO2からSiOに
向かうに連れて屈折率nが増大することから、SiOxのxに換算できるはずです(文献等
がどこかにあると思います)。
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