ＭＯＳ ＦＥＴのチャネル温度計算について

ＭＯＳ ＦＥＴの選ぶにあたり、チャネル温度の算出で悩んでいます。

駆動損失と熱抵抗からチャネル温度を算出できると思うのですが、
熱抵抗の値がカタログから拾えません。

今考えているのはルネサス製のH7P0601DSです
（パッケージはDPAK-S）

実際に測定できていないので、Ｒｔｈ（ch-a）が知りたいのですが、
メーカに問い合わせるしかないのでしょうか？

ちなみに、損失は１．１Ｗで６０℃雰囲気での使用を考えています

宜しくお願いします

No.2 ベストアンサー 回答者： xpopo 回答日時： 2012/03/25 18:25

このFETはパワーFETですのでチャンネル－ケース間の熱抵抗Rch-caseしかデータシート

には記載されてません。その値はデータシートの3ページの一番初めの特性図
（許容チャンネル損失のケース温度による変化）のグラフから
　　　　　　　　　　Rch-case　=　５　（℃／Ｗ）
となってることが分かります。
　放熱板無しの無放熱で使用される場合はケース－雰囲気間の熱抵抗Rcase-aが必要ですが
正確な値はメーカに問い合わせをするしかないと思います。
　このFETのパッケージはDPAK-Sという型名ですがこれはRenesas社独自パッケージで
業界標準ではありませんが、業界規格の　TO-252 に近い寸法（放熱面（ハンダ付け））
です。たまたまですが他社NJRCのサイトにパッケージと熱抵抗（Rcase-a）の情報が
載ってます。
　　http://semicon.njr.co.jp/jpn/icpackage/doc03.html
こちらの情報より、実装基板が2層の場合と4層の場合に基板の放熱パターン面積毎の
Rcase-aがわかります。基板パターンがFETのボディーの投影面積と同じくらいの場合；
　　２層基板：　約１０５　（℃／W)
　　４層基板：　約　４０　（℃／W)
ですので、この値に近いと考えても差し支えないと思います。ご使用の発熱条件が１．１W
でTa＝６０℃ですから、ぎりぎり必要なトータル放熱熱抵抗Rｔは

　　Rt　＝　（１２５℃－６０℃）／１．１W　＝　５９（℃／W)

になりますから、必要な放熱熱抵抗Rcase-a　は

　　Rcase-a　=　Rt　－　Rch-case　＝　５９（℃／W）－５（℃／W）
　　　　　　　　　　　　　　　　　＝　５４（℃／W)

になります。基板が４層基板ならば放熱パターンは最小でもRcase-aは４０（℃／W）確保
出来ますので問題ないですね。また２層基板でしたら、同情報ページの「銅箔面積と熱抵抗値
の関係」にあるTO-252のグラフからパターン４（PAT.4)の面積（約630mm^2)以上が必要に
なりそうです。
　　　　

この回答へのお礼

非常に詳しく回答いただきありがとうございます
目処付けができれば問題ないので、ＮＪＲＣの資料を参考にしてみます
２層だと厳しいですね
放熱パターン考慮して、実機にて確認していきます
また質問することがあると思いますが、よろしくお願いします

お礼日時：2012/03/25 19:12

No.1 回答者： umota 回答日時： 2012/03/25 17:48

> 熱抵抗の値がカタログから拾えません。

どこのカタログをみているのかわからないけれど
http://www.google.co.jp/url?sa=t&rct=j&q=h7p0601 …
のグラフから
5℃/W
と読み取ることができます。

この回答へのお礼

早速の回答ありがとうございます
過渡熱抵抗特性のθch-cですね
ただ、実機でのケース温度測定前に目処付けをしたいので、
Ｃｈ－ａの熱抵抗が知りたかったのです
また、質問させていただくこともあると思いますのでよろしくお願いします

お礼日時：2012/03/25 19:02