SOIトランジスタの規制容量について

SOIトランジスタの説明で、寄生容量を減らせるという点が今一つわかりません。

バルクトランジスタの場合、例えばNMOSであれば、Nのソース及びドレインとPの基盤の境目が逆バイアスのPN接合となり、空乏層ができてそれが寄生容量として作用する。従って、ソースやドレインの直ぐ下に絶縁層（BOX)を挟めば、空乏層ができなくなるから寄生容量が減る、という説明がよくあり、これに関しては理解できます。
しかし、このBOXがなぜ寄生容量とみなされないのかわかりません。寄生容量が、空乏層由来からBOX由来に変わっただけのようにみえるのですが。

SOIの絶縁層は何故、寄生容量とみなされないのでしょうか？

No.1 ベストアンサー 回答者： m-jiro 回答日時： 2019/10/18 17:19

BOXでも静電容量は存在すると思いますが・・・

素人なりに考えてみたのですが幅（厚さと言うべき？）が大きく違うのではないでしょうか。
つまりPN空乏層は狭いので容量は大きく、BOXは厚くできるので容量は小さく無視してよい、ということのように思われます。
この厚さを調べてみてはどうでしょう。
netを探したところ下のような記事を見つけました。PDFの２コマ目の右下、２．３項にそのような意味のことが書いてあります。
http://search.yahoo.co.jp/r/FOR=1JzDcbhV3ih9FPkH …

小生の勘違いでしたらご勘弁を。

この回答へのお礼

ありがとうございます。
なるほど、静電容量は厚みに反比例するので、厚みが極端に大きくなれば寄生容量は大幅に減少しますね。

お礼日時：2019/10/19 05:36

No.2 回答者： セデリア 回答日時： 2019/10/18 18:24

劣化があるから