ダイオードの用途について教えてください。ダイオードは何かは分かっていますがどのような使用用途なのか教えてください。
整流用のダイオードとツェナーダイオードについてお願いします。

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A 回答 (2件)

整流用ダイオードはダイオードの順方向特性を利用して、交流を直流(脈流)に変換するために使用します。

一番身近な物としてはACアダプターなどで、これはトランスとダイオード、平滑用コンデンサーだけで構成されたものが多いでしょう。最近では小型化や大容量化のためにトランスを用いないスイッチング方式の物も増えていますが、これらの機器でも、交流を直流に変換するのにはやはりダイオードを使用しています。ダイオードとは素子の名称で、整流器と言う意味でレティファイヤーと呼ぶ場合もあります。一般にPN接合型シリコンダイオードが用いられ、形状としては素子を単独でパッケージした物、2つの素子をアノードコモンまたはカソードコモンの状態でパッケージした物、4本の素子をブリッジ構成に接続してパッケージした物などがあります。整流用に使用する場合は以下の点に留意する必要があります。耐電圧は十分な余裕(2~3倍程度)を取る、尖頭電流(誘導負荷や平滑用コンデンサーなど)に対して十分な余裕を持つこと、大電力での使用では放熱にも留意が必要です。また、商用電源程度の周波数であれば問題ないのですがスイッチング電源等で使用する場合は、動作速度が高速なショットキーバリア型やファストリカバリー型を使用しないと正常に動作しないばかりか、破壊にもつながります。

ツェナーダイオードは逆方向に電圧を掛けて使用します。用途としては定電圧電源の基準電圧や回路の入力保護などに用いられています。ツェナーダイオードに逆方向の電圧を印加していくと、ある電圧(ツェナー電圧)で急激に電流が流れ始めます。通常のダイオードでも逆方向に電圧を掛けていけば、ある電圧に達したところで一気に電流が流れ始め(なだれ現象)ますが、これはダイオードの破壊を意味します。ツェナーダイオードでは素子の破壊なしにこの現象が利用できる点が他のダイオードと異なります。
一番単純な使用法はツェナーダイオードと抵抗だけで構成された定電圧回路ですが、ごく少容量の回路以外ではまず使用されません。これはツェナー電圧を超えた分の電圧は全て抵抗とツェナーダイオードで消費されることになり、大電流を流すことが不可能であり、また、回路の効率も低いものになってしまいます。そこで、トランジスタなどの他の能動素子とあわせて使用し、ツェナーダイオード自体は基準電圧の発生用に使用するのが一般的です。実際の使用にあたっては、ツェナーダイオードでの消費電力(ツェナーダイオードに流れる電流×ツェナー電圧)に対して十分な余裕を見ること、余裕が少ないとツェナーダイオード自体の発熱で、電圧が変化してしまいます。通常供給されている(手に入る)物は3V~60V程度の範囲なので必要に応じて分圧回路と併用し必要な電圧得る。ゲートICなどの入力保護に用いる場合ICの電源電圧を超えない範囲でスレッシュホールド電圧に十分な余裕を取ることなどです。

ダイオードにはこの他にも定電流ダイオード(ある負荷に対しての電圧が変化しても電流を一定に保つ、充電器や回路保護などに使用)や、バリキャップ(ダイオードに逆方向の電圧を掛けたときにPN接合層に生じる空乏層の大きさが変わるのを利用しコンデンサとして利用、FM変調等に利用)、発光ダイオード、PINフォトダイオード(光リモコンなどでおなじみ)、GUNダイオード(衛星放送の検波用としてアンテナに組み込まれています)、ゲルマニュームダイオード(シリコンダイオードに比べ低い電圧での動作が可能、シリコンダイオードでは0.6V(機種により異なる)以下ではどちらの方向にも電流が流れない)、などが有ります。また、ダイアック(双方向のツェナーダイオード)は交流回路でトライアックと組み合わせて調光器などに、整流用のダイオードに制御端子を付けた(内部的にはPNPNなどの4層構造)SCR(シリコンコントロールレティファイヤ、シリコン制御整流器)などもダイオードとは呼びませんが、電力制御用の整流器として用いられます。
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この回答へのお礼

sailorさんありがとうございました。こんなに丁寧に。工学なのであまり回答数が無くて困ってました。これを参考にさせてもらいます。本当に感謝してます。

お礼日時:-0001/11/30 00:00

基礎的事項は以下のサイトが参考になります。


1・http://www.picfun.com/partdio.html
(ダイオード)
2.http://www.interq.or.jp/japan/se-inoue/diode.htm
(ダイオード)
3.http://ha3.seikyou.ne.jp/home/tong2/kosaku/mame/ …
(知識 ダイオードの種類と用途)

ご参考まで。
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何もしない状態では約1.3くらいの値が表示され、ダイオードの両端を測定すると、下がったり下がらなかったりします。これは何を意味しているのかが良く分かりません。

よろしくお願いします。

Aベストアンサー

こんにちは。
テスターのダイオードレンジは、ダイオードの簡易チェックの為の物で、ダイオードがショートや断線していないか、程度のチェックしかできません。

テストピンの極性と同じ極性の電流が流れるようになってて、ダイオードのチェックには両方向をチェックする必要があります。

ダイオードマークの向き、もしくはテストピンの+をアノードにする方向では、順方向電圧に近い数字が表示されます。(シリコンダイオードで0.6~0.7V程度)
反対にすると、全く電流が流れない(無限大表示)が正常ですが、整流用の大容量の物だと、メータの感度が高い場合は少し振れる事もあります。

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LCRのカタログ値に内部損失や許容誤差がありますが、この誤差は
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よろしくお願いします。

Aベストアンサー

すでに回答されているように、コンデンサにはいろいろな役割がありますが、きわめて初歩的な用途を以下に記します。

> コンセントをさしたり

すると電気が流れますが、これは交流です。プラスになったりマイナスになったり、グラフに描くとサインカーブになります。すると“0”の状態のときもあります。これを前提に考えます。

コンデンサに電圧がかかっているとき、電気はコンデンサに充電されます。上記の前提にしたがいますと、電圧はピークを超えて減じ、そのうちに“0”の状態になります。充電されなくなるので、コンデンサは放電しはじめます。

放電が始まると、コンセントからの電圧は下がっていますが、コンデンサを経たものはコンデンサからの放電分が加わって、本来よりも高い電圧が得られます。これが繰り返されると、コンデンサを経た電圧は、かなりフラットな状態になります。つまり直流に近い電気といえます。

このようなコンデンサの性質を利用したのが電源回路です。わかりやすくいえば、交流を直流に変換する仕組みの一部になくてはならない素子(部品)です。もちろん、電源回路には他の素子もあって、コンデンサだけで直流化しているのではありませんが、大きな役割を担っています。

A#1さんの回答にある

>> 平滑な電圧にする役目があります。

は、これを応用したものです。私の回答は参考です。コンデンサの一部しか説明していません。しかし、少しでも「そうか・・・」と感じていただければと思っています。

すでに回答されているように、コンデンサにはいろいろな役割がありますが、きわめて初歩的な用途を以下に記します。

> コンセントをさしたり

すると電気が流れますが、これは交流です。プラスになったりマイナスになったり、グラフに描くとサインカーブになります。すると“0”の状態のときもあります。これを前提に考えます。

コンデンサに電圧がかかっているとき、電気はコンデンサに充電されます。上記の前提にしたがいますと、電圧はピークを超えて減じ、そのうちに“0”の状態になります。充電されなく...続きを読む

Q遮断周波数のゲインがなぜ-3dBとなるのか?

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ここで、なぜ出力電力が入力電力の1/2(Vout / Vin = 1 / √2)
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ご存じの方いらっしゃいましたら教えて下さい。

Aベストアンサー

>ここで、なぜ出力電力が入力電力の1/2(Vout / Vin = 1 / √2)
>となるのでしょうか?
>定義として見るにしてもなぜこう定義するのか

端的に言えば、
"通過するエネルギー"<"遮断されるエネルギー"
"通過するエネルギー">"遮断されるエネルギー"
が、変わる境目だからです。

>遮断周波数とはシステム応答の限界であり、それを超えると減衰する。
これは、少々誤解を招く表現です。
減衰自体は"遮断周波数"に至る前から始まります。(-3dBに至る前に、-2dBとか、-1dBになる周波数があります)

Qラジオに使われるゲルマニウムダイオード

ラジオに使われるゲルマニウムダイオードは整流用ダイオードですよね。
ゲルマニウムダイオードの特徴を教えていただけないでしょうか?

Aベストアンサー

半導体の元になる原子のエネルギー的な問題で、電流と電圧は直線的な関係にはならず、ある程度の電圧を越えたところから導通しはじめます。そまり、この電圧以上でないと、整流作用が生じません。ゲルマニウムはこの値が比較的低く、かなり低い電圧から徐々に流れだし、約0.3Vでほぼ導通しますので、微小電圧でも整流作用を利用可能です。これに対して、シリコン(の接合を利用した場合)は約0.6Vまでほとんど流れないという特性を示しますので、これ以下の電圧では、整流出力が得られない。シリコンでも、ショットキーダイオードは動作原理が違うので、低い電圧でも導通します。また、入力信号の中点を少しかさ上げ(バイアス)してやれば、シリコンダイオードでも微小電圧の整流は可能です。あるは、仮想ダイオードなどの回路を使用するとか・・・
(トランジスタの動作も同様です。このため、増幅素子として使うには、この電圧の約3倍以上の電源電圧が必要です。)

ゲルマニウムダイオードにもいろいろありましたが、普通、ラジオに使われた物というと「検波用」でしょうね。(電源の整流用のゲルマニウムダイオードという物もありしまたが。)
検波用は、高周波での応答が良いように接合部の静電容量が小さい設計になっています。順方向特性を重視していて、電流はあまり流さないので内部抵抗は高く、逆耐圧も低いものです。対して、電源等の整流用は、漏れ電流が小さく、内部抵抗を低く設計してあり、静電容量は大きくなっています。

ゲルマニウムダイオードは、昔はシリコンよりも製造が容易だったので、初期の半導体に使われました。シリコンに比較して、接合での漏れ電流が大きい。逆耐圧が取れない。内部抵抗が大きい。耐熱性が低い。大電力化や高速化が困難。酸化膜が安定しないなど、実用上の特性ではいろいろ問題があり、シリコン半導体素子が一般化する中で、急速に消滅しました。最後まで使われた用途は、低電圧での動作です。電池1本か2本で動くような低電圧の回路を効率良く安価に作るのはシリコンのトランジスタでは困難でした。また、ラジオの受信信号のような低い電圧の高周波の整流(これを検波という)には最後まで利用されました。電源電圧の事以外は、ICなどの発達で回路技術の中(たとえば位相検波など)に吸収されてしまいました。そして、FETや前述のショットキーなどの発達で、低い電圧でも動作する素子が一般化して、ゲルマニウム半導体の意味は無くなりました。

ゲルマニウムラジオとは・・・
電波をそのままコイルで受け、それをそのまま検波すると音声電圧が得られます。しかし、コイルに発生する電圧はたいへん低いので、低い電圧で整流作用のある素子でなければ出力が得られません。初期には、何種類かの金属化合物の天然結晶(鉱物)の表面の作用を利用した物が作られ、鉱石ラジオと呼ばれました。ゲルマニウムダイオードを使用すると、この鉱石よりも簡単確実に高性能のラジオが作れるので、電子工作の入門用として一般化したのです。この種のラジオは、増幅する部分が無く、検波にも外部からの電圧が不要なので、電池が無くても鳴るのです。(高周波小信号用のショットキーダイオードでも同様にしてこの種のラジオが作れます。)

なお余談ですが、増幅する素子を使いつつ、電池不要のラジオを作るアイディアはいくつかあります。受信周波数そのもの、あるいはそれ以外の周波数の電波(今日では空間はこれらの電波でいっぱいです)を集めて、整流し、蓄電して、電圧を上げて、これで増幅回路を駆動する・・・・ 携帯電話の基地局の近くだとけっこう使えるらしい・・・

半導体の元になる原子のエネルギー的な問題で、電流と電圧は直線的な関係にはならず、ある程度の電圧を越えたところから導通しはじめます。そまり、この電圧以上でないと、整流作用が生じません。ゲルマニウムはこの値が比較的低く、かなり低い電圧から徐々に流れだし、約0.3Vでほぼ導通しますので、微小電圧でも整流作用を利用可能です。これに対して、シリコン(の接合を利用した場合)は約0.6Vまでほとんど流れないという特性を示しますので、これ以下の電圧では、整流出力が得られない。シリコンでも、ショット...続きを読む

Qダイオードの特性式、順方向降下電圧について

 LEDの特性について理解を深めようとしている者です。
ダイオードの特性式と順方向降下電圧について質問させてください。

 ダイオードの順方向降下電圧はダイオードの種類によって様々で、
シリコンダイオードなら0.6Vから0.7V,LEDになると2.0Vから3.5V程度になる、ということを学びました。
また、ダイオードの電流-電圧特性は
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
で与えられる、とさまざまなところで見たのですが、
この式でq,kはそれぞれ電気素量、ボルツマン定数で一定、
nは1から2までの値を取る、
Tは絶対温度、およそ300K、となるので、
結局大きく変わる変数としては逆方向飽和電流I0のみとなると思うのですが、
この式で、例えば順方向降下電圧3.5Vのダイオードの電流-電圧特性のグラフにフィッティングさせようとすると、
I0がとんでもなく小さな値(1.0×10^(-40)A程)になり、いくら逆方向に電流を流さないとはいっても違和感を覚えてしまいます。
pn接合部の抵抗を考え、
V'=V+RI
(V'はダイオードと抵抗にかかる電圧の合計、Rは抵抗)
の式を先ほどのダイオード特性式に当てはめ、
I=I0{exp(q(V'-RI)/nkT)-1}
という式に変形させフィッティングしてみても、順方向降下電圧にはほぼ影響がなく、やはりI0が低い値になってしまいました。
LEDにおいて、順方向降下電圧が上がってしまうのはやはりI0が極端に低いからなのでしょうか、
それとも他に要因があるのでしょうか?
LEDだけでなく、順方向降下電圧に同一温度下でも幅が出るのは、すべてI0によるものなのでしょうか?
物性面で違いが出るのはもちろんわかるのですが、それが特性式のどこに関わってくるのかが理解できていません…。

 他に要因があるのでしたら、ダイオードの特性式に絡めて説明していただけると非常に助かります。
よろしくお願いします。

 LEDの特性について理解を深めようとしている者です。
ダイオードの特性式と順方向降下電圧について質問させてください。

 ダイオードの順方向降下電圧はダイオードの種類によって様々で、
シリコンダイオードなら0.6Vから0.7V,LEDになると2.0Vから3.5V程度になる、ということを学びました。
また、ダイオードの電流-電圧特性は
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
で与えられる、とさまざまなところで見たのですが、
この式でq,kはそれぞれ電気素量、ボルツマン定数で一定、
nは1から2までの値を取る、
Tは絶対温度、およそ3...続きを読む

Aベストアンサー

えーと、勉強したのが結構昔なので所々ちょっと自信ないですが


順方向降下電圧は、ダイオードで通常使用する電流(数十mAオーダー位から?)において
ダイオードにかかる電圧のことで、その電流の範囲では
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
の指数関数の傾きが非常に大きくなっており、
使用範囲内の電流変化では、それに対応する電圧がほとんど変わりません。
例えばシリコンダイオードの場合、数十mAから数百mA位に変化させても
電圧降下はほぼ0.6V一定と扱って良いことになるわけです。
これが順方向降下電圧です。
つまり、順方向降下電圧は作動させたい電流の範囲次第で変わってきます。
そしてもちろんI0,nなど電流-電圧の関係にかかわるパラメータはすべて効いてきます。

シリコンダイオードとLEDの順方向降下電圧の差は
材料の違いと(これでI0が変わってきます)
LEDは電子と正孔を再結合させて発光させていること(これでnが変わってきます)
によって生じます。


ということでよろしいでしょうか。

<このVFが出現するようにダイオード特性式のパラメータを決定しようとすると、

これは「ダイオードはVFを超えると電流が流れ始める」と説明されることがあるために
勘違いされていると思います。
正しくは「VF以下のダイオード電流は、使用している電流範囲より十分小さくなるので無視できる」
の意です。



それから以下の方法でフィッティングさせて見てください
(かなり面倒くさいと思いますが)

電流の式を変形します。
Vがある程度大きければ-1を無視できて
I=I0{exp(qV/nkT)-1}≒I0exp(qV/nkT)
両辺のlogをとると
logI=qV/nkT+logIo

つまりlogIのVに対するグラフは、
傾きq/nkT、切片logIo
なる直線になるはずです。

測定データの傾きと切片を実際に図ってn,Ioを求めてみてください
ただし、t=0近辺では無視した-1のせいでグラフが曲がっているので無視してください。

また、内部抵抗の影響で大きなVではグラフが曲がってくると思います。
内部抵抗を考慮した
I=I0{exp(q(V'-RI)/nkT)-1}
の式で同様に対数グラフを作成します。直線になるよう、うまくRを調整してください。

えーと、勉強したのが結構昔なので所々ちょっと自信ないですが


順方向降下電圧は、ダイオードで通常使用する電流(数十mAオーダー位から?)において
ダイオードにかかる電圧のことで、その電流の範囲では
I=I0{exp(qV/nkT)-1}
の指数関数の傾きが非常に大きくなっており、
使用範囲内の電流変化では、それに対応する電圧がほとんど変わりません。
例えばシリコンダイオードの場合、数十mAから数百mA位に変化させても
電圧降下はほぼ0.6V一定と扱って良いことになるわけです。
これが順方向降下電圧です。
つま...続きを読む

Qプルアップ抵抗値の決め方について

ほとんどこの分野に触れたことがないので大変初歩的な質問になると思います。

図1のような回路でプルアップ抵抗の値を決めたいと思っています。
B点での電圧を4.1Vとしたい場合について考えています。その場合、AB間での電圧降下は0.9Vとなります。

抵抗値×電流=0.9Vとなるようにプルアップ抵抗の値を決めるべきだと考えていますが、この抵抗に流れる電流が分からないため、決めるのは不可能ではないでしょうか?

抵抗値を決めてからやっと、V=IRより流れる電流が決まるため、それから再度流れる電流と抵抗を調節していって電圧降下が0.9Vとなるように設定するのでしょうか。どうぞご助力お願いします。



以下、理解の補足です。
・理解その1
ふつう、こういう場合は抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が決まっていることが前提だと考えていました。V=IRを計算するためには、この変数のうち2つを知っていなければならないからです。
また、例えば5V/2Aの電源を使った場合、マイコン周りは電源ラインからの分岐が多いため、この抵抗に2A全てが流るわけではないことも理解しています。

電源ラインからは「使う電流」だけ引っ張るイメージだと理解しているのですが、その「使う電流」が分からないため抵抗値を決定できません。(ポート入力電流の最大定格はありますが…)


・理解その2
理解その1で書いたように、抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が必要だと理解しています。図2を例に説明します。Rの値を決めたいとします。
CD間の電圧降下が5Vであることと、回路全体を流れる電流が2Aであることから、キルヒホッフの法則より簡単にRの値とそれぞれの抵抗に流れる電流が分かります。今回の例もこれと同じように考えられないのでしょうか。

ほとんどこの分野に触れたことがないので大変初歩的な質問になると思います。

図1のような回路でプルアップ抵抗の値を決めたいと思っています。
B点での電圧を4.1Vとしたい場合について考えています。その場合、AB間での電圧降下は0.9Vとなります。

抵抗値×電流=0.9Vとなるようにプルアップ抵抗の値を決めるべきだと考えていますが、この抵抗に流れる電流が分からないため、決めるのは不可能ではないでしょうか?

抵抗値を決めてからやっと、V=IRより流れる電流が決まるため、それから再度流れる電流と抵抗を調...続きを読む

Aベストアンサー

NO1です。

スイッチがONした時に抵抗に流れる電流というのは、最大入力電流や最大入力電圧
という仕様から読めば良いのでしょうか。
→おそらくマイコンの入力端子の電流はほとんど0なので気にしなくてよいと思われます。
入力電圧は5Vかけても問題ないかは確認必要です。

マイコンの入力電圧として0Vか5Vを入れたいのであれば、抵抗値は、NO3の方が
言われているとおり、ノイズに強くしたいかどうかで決めれば良いです。
あとは、スイッチがONした時の抵抗の許容電力を気にすれば良いです。
例えば、抵抗を10KΩとした場合、抵抗に流れる電流は5V/10kΩ=0.5mAで
抵抗で消費する電力は5V×0.5mA=0.0025Wです。
1/16Wの抵抗を使っても全く余裕があり問題ありません。
しかし、100Ωとかにしてしまうと、1/2Wなどもっと許容電力の大きい抵抗を
使用しなければいけません。
まあ大抵、NO3の方が書かれている範囲の中間の、10kΩ程度付けておけば
問題にはならないのでは?

Q金属、半導体の抵抗の温度変化について

金属は温度が高くなると抵抗が大きくなり、半導体は温度が高くなると抵抗が小さくなるということで、理論的にどうしてそうなるのでしょうか。
金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?
半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。
あと自分で調べていたところ「バンド理論」というのを目にしました。
関係があるようでしたらこれも教えて頂くとありがたいです。

Aベストアンサー

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体の中において金属の自由電子に相当するものは、電子とホールです。この2つは電流を担う粒子ですので、「キャリア」(運ぶ人)と言います。
ホールは、半導体物理学においてプラスの電子のように扱われますが、その実体は、電子が欠けた場所のことを表す「穴」のことであって、おとぎ話の登場人物です。
電子の濃度とホールの濃度に違いがあったとしても、一定の温度においては、両者の濃度の積は一定です。
これは、水溶液において、H+ と OH- の濃度の積が一定(10^(-14)mol^2/L^2)であるのと実は同じことなのです。

中性の水溶液の温度が高くなると、H2O が H+ と OH- とに解離しやすくなり、H2O に戻る反応が劣勢になります。
それと同様に、真性半導体においても、温度が上がると電子とホールが発生しやすくなるのに比べて、両者が出合って対消滅する反応が劣勢になるため、両者の濃度の積は増えます。
キャリアが増えるので、電流は流れやすくなります。

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体...続きを読む

Qエクセルで計算すると2.43E-19などと表示される。Eとは何ですか?

よろしくお願いします。
エクセルの回帰分析をすると有意水準で2.43E-19などと表示されますが
Eとは何でしょうか?

また、回帰分析の数字の意味が良く分からないのですが、
皆さんは独学されましたか?それとも講座などをうけたのでしょうか?

回帰分析でR2(決定係数)しかみていないのですが
どうすれば回帰分析が分かるようになるのでしょうか?
本を読んだのですがいまいち難しくて分かりません。
教えてください。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。
・よって、『2.43E-19』とは?
 2.43×1/(10の19乗)で、
 2.43×1/10000000000000000000となり、
 2.43×0.0000000000000000001だから、
 0.000000000000000000243という数値を意味します。

補足:
・E+数値は 10、100、1000 という大きい数を表します。
・E-数値は 0.1、0.01、0.001 という小さい数を表します。
・数学では『2.43×10』の次に、小さい数字で上に『19』と表示します。→http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%8C%87%E6%95%B0%E8%A1%A8%E8%A8%98
・最後に『回帰分析』とは何?下の『参考URL』をどうぞ。→『数学』カテゴリで質問してみては?

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%9B%9E%E5%B8%B0%E5%88%86%E6%9E%90

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるた...続きを読む


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