半導体の製造工程を簡単にフローチャートで教えてください。

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A 回答 (4件)

インテルのホームページです。


結構簡単に記載されているので、わかりやすいと思います。

参考URL:http://www.intel.co.jp/jp/home/morepc/edutainmen …
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あなたの質問しているのは、ICやLSIに使用されている化合物半導体のことだと思います。

富士通カンタムデバイス株式会社のサイトに、初心者向けの解説書が掲載されています。歴史から、製造工程(図入り)、将来像などです。

参考URL:http://www.fujitsu.co.jp/hypertext/fqd/Dokuhon/i …
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端折って書くと,(1)フィールド拡散(素子分離)(2)インプラ(CMOSの場合)(3)ゲート形成(絶縁膜とポリシリコン膜)(3)層間膜形成(4)インプラ(ソースとドレイン部へのイオンドープ)(5)配線形成(6)保護膜形成,といったところ。


実際にはにはメモリとしての電位を保持するコンデンサをゲートと同じようにドレイン部に形成したり,(5)と(3)を繰り返して大量の素子を回路にしたり,となります。その各工程で,成膜(CVD,スパッタ,電解めっきetc)~ホトリソ(写真製版)~エッチング(ドライやウェット)~レジスト除去,を行います。
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以下のサイトが参考になります。


1.http://ttl.info.co.jp/tech3.html
(東京エレクトロン東北)

ご参考まで。

参考URL:http://ttl.info.co.jp/tech2.html
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Q少し長文ですが、中国語に翻訳をよろしくお願いします。

少し長文ですが、中国語に翻訳をよろしくお願いします。

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原材料・部品の投入から出荷までの全工程にわたり、工程の順序に従い各工程における
管理項目と品質特性、それらに関する必要な情報をまとめ品質管理の仕組みを一覧表にしたもの。
********************************************************************************

Aベストアンサー

文字化け。。。。。


从材料、零部件的加工到最后的出厂的全guo(過)程,根据加工工程的shun(順)序,将各加工guo(過)程的管理xiang(項)目、品zhi(質)特性(あまりいわない),及其相guan(関)信息zong jie gui na(総結帰納),制成一fen品zhi(質)jian(監)察一lan(覧)表。

()の中では繁体字(日本語)。
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二度投稿してしまってすみません。

Q半導体製造工程で500℃近い熱がかかる工程とは?

半導体製造工程で500℃近い熱がかかる工程とは?

半導体素子を作る際、500℃近い熱がかかる工程があると聞いたのですが、
どの工程でしょうか?
私の知っている限り、半導体製造工程は、
レジスト塗布→露光→エッチング→イオン注入→平坦化→電極形成
です。

よろしくお願いします。

Aベストアンサー

昔、半導体デバイスの研究をしていました。といっても化合物半導体ですが。
『500℃近い』とは、室温よりも非常に高い温度という意味で使っていると思いますが、確かに化合物半導体にとっては高温ですが、Siデバイスにとってはむしろ低温のプロセスです。
なにしろ、先ず最初の表面酸化膜形成は確か1200℃くらいの筈ですから。
ちなみに化合物半導体にCVDで成膜する場合は350℃くらいです。

レジスト塗布後のベーキングはせいぜい200℃程度ですが、ドライエッチングでは300℃くらいに上がることもあります。
イオン注入はドーズ量が高いと基板温度が数百度になることもありますが、意図的に500℃以上に保って活性化率を高めることもあります。
その後の活性化アニールでは、シリコンでは800~1000℃くらい、化合物でも300~500℃くらいに昇温します。
近年ではランプアニールが主流ですが、この場合は化合物でも800℃くらいに上げることもあるようです。
電極も蒸着しただけでは接触抵抗が高いので、きちんと低抵抗のオーミック電極を取りたいときは、数百度でアニールします。

Q合併時のJFE株について教えてください

遠方に住む私の父の質問です。
私は全くの株オンチなので、どなたかご存知の方
どうぞお教えください。
NKKや川鉄時代から現在までJFE・HDの株をお持ちの方、
いらっしゃいましたら、是非教えてください。

父は
「合併前のNKK株を8,000株持っていたのだが
合併後、JFE・HD株として600株になってしまった」
というのです。
証券会社に管理を頼んでおり、
合併による株割当比率についての説明を頼んだそうですが、

証券会社は
「ちゃんとやっている」
といって、具体的な説明、というか
説明が一切ない、というのです。

今日になって、このことを初めて聞いた私は
早速ネットで合併時の株比率について調べましたところ
【NKKと川崎製鉄との経営統合に関する基本合意書の締結】
という文書を見ました。

そして、文書中に
(株式割当比率)
 株式移転に伴い両社の株式に割り当てられるJFEホールディングスの株式の数は、以下のとおりと致します。
NKK株式1株に対し、JFEホールディングス株式0.75株
川崎製鉄株式1株に対し、JFEホールディングス株式1.00株

の記載があったのですが、
この記載が本当ならばNKK8000株に対して×(かける)0.75すれば、JFE6000株を保有できるということですか?
また、現在の600株というのは合併後に株数が減るような事柄があったのでしょうか?
あと、証券会社の対応って、こんなものなのでしょうか・・・。
ちょっと不誠実な気がするのですが。

何卒宜しくお願いいたします。

遠方に住む私の父の質問です。
私は全くの株オンチなので、どなたかご存知の方
どうぞお教えください。
NKKや川鉄時代から現在までJFE・HDの株をお持ちの方、
いらっしゃいましたら、是非教えてください。

父は
「合併前のNKK株を8,000株持っていたのだが
合併後、JFE・HD株として600株になってしまった」
というのです。
証券会社に管理を頼んでおり、
合併による株割当比率についての説明を頼んだそうですが、

証券会社は
「ちゃんとやっている」
といって、具体的な説明、というか
...続きを読む

Aベストアンサー

株式移転比率

 株式移転に伴い両社の株式に割り当てられるJFEホールディングス(株)の株式の数は、以下の割合と致します。

  NKK株式1,000株に対し、  JFEホールディングス(株)株式75株
  川崎製鉄株式1,000株に対し、  JFEホールディングス(株)株式100株
http://www.jfe-holdings.co.jp/release/nkk/0205/020509-1.html
ですけど

一桁間違ってますよ

Q半導体製造工程のダイシングについて

半導体製造工程でウェハーを切断する時にダイシングしますが、この時にウェハーを固定しているUVテープは切断されてしまうのですか?それとも、ウェハーとUVテープの境目で切断しているのですか?
ダイシングの後にUVテープを広げて、ICチップを取りやすくすると思うのですが、ウェハーが切断されていないと、UVテープを広げても、チップは広がらないと思うし、かと言って、ウェハーとテープの境目で切断するのも、かなり厳しいかと素人考えで思ってしまいます。
どなたか、教えて下さい。

Aベストアンサー

通常、ウェハーと一緒に、UVテープの厚みの半分ぐらいまで切っています。UVテープの厚みが70~80ミクロン(モノによりますが)ですので、かなりの高精度での機械制御になりますが、今時の精密電子部品製造用の装置としては、あまり驚くべき技術では無いのも事実です。

Q製造工程毎の品質予測(訂正)

すいません。先程の質問で間違えがありましたので訂正します。何卒ご回答ください。

製造工程毎の品質予測をしたいと思ってます。製造工程は、A工程から始まり次のB工程で製品が完成します。
A工程で、標本数Na=1000を抜き取り調査しました。頻度分布を見ると正規分布になっています。
次の工程のB工程で、標本数Nb=10を抜き取り調査しました。

ある特性値(たとえばある部位の寸法など)の平均値を求めたところA工程とB工程のそれは異なっていました。
抜き取り数の少ないB工程のDATAを基に、抜き取り数の多いA工程で得た標本数1000の測定DATAがB工程でどのように変化するのか、その平均値、ばらつきなどを推定する方法を教えていただけませんか?
具体的な計算方法なども記載いただけると助かります。

Aベストアンサー

はじめまして

>ある特性値(たとえばある部位の寸法など)の平均値を求めたところ
>A工程とB工程のそれは異なっていました。
これは、統計上通常のことです。

また、同じように生産しているように見えても、実際の生産条件は「微妙」に違います。

その「微妙」な違いが製品のOK・NGに影響していますでしょうか?


>A工程で得た標本数1000の測定DATAがB工程でどのように変化するのか
A工程とB工程の間で、その「特性値」が変化する要因はありますか?(温度の違いなど)
そのような要因が無ければ単に「統計上のばらつき」としか言いようがありません。

単純な「統計学」の話ではなく、対象となるモノによって答えが違ってくる質問と思います。

Q半導体部品、半導体製造装置とは

半導体製造装置とは、半導体部品(トランジスタなど)又は半導体装置の製造装置のことですよね。

だとしたら、なぜ、「半導体部品(又は半導体装置)製造装置」といわないで、
「半導体製造装置」と言っているのでしょうか?

Aベストアンサー

シリコンウェーハなどの材料基板上に半導体素子(デバイス)を形成する機械が「半導体製造装置」であり、切り出してパッケージングして「部品」にする機械とは違うと思いますよ。
パッケージングまで一気にしてしまう設備もあるかと思いますが、それは各装置の集合体であって、工程によって呼び名は変わるものかと思います。

Qこれを英語でなんと言うのですか?システムの要件定義・・・

これを英語でなんと言うのですか?システムの要件定義・・・

英語のインタビューなどで自分の職歴を説明する時、下記のことを伝えたいのですが、どのようにいえばいいのでしょうか?

私はシステムの要件定義等に関わり、業務可視化、システムにするかしないかの切り分け、システム開発における要件定義にかかわりました。外部のベンダーがすぐに開発に着手できるようにして、システム構築部分で貢献しました。御社の業務でも貢献できると思います。


要件定義、業務可視化、切り分け作業、など英語でどのように言えばいいのでしょうか?

よろしくお願いします。

Aベストアンサー

要件定義、defining requirements for the system
業務可視化、visualizing operations
切り分け作業 managing developments

QX線管の製造工程を教えて下さい

現在、X線発生装置を使っています。そのため、発生原理をはじめその他いろいろな質問を受けます。しかし、私は装置を使っているだけなので、答えられる内容はごく一部です。ですので、もう少し答えられるようになりたいと思っています。
今、知りたいのは、X線管の製造工程(必要な装置と価格)です。どんな順番で組み立てられて、そのときにどのような装置を使っているか(できれば価格も)を大まかにでも説明できたら、いいなと思っています。
この質問に回答いただければ幸いです。

Aベストアンサー

検索してみてはいかがですか?

参考URL:http://www.logi-revo.co.jp/casestudies/search/2004-10.pdf

Qイタリア語、"Qui ci si serve da se' " (再帰動詞関連)

"Qui ci si serve da se' "

この文の "ci" は「ここでは」の意味の副詞なのでしょうか?それとも "si si serve" が元の形で口調の理由から "ci si serve" に変化したものなのでしょうか?

それと、なぜ Ci si veste. や Ci si alza presto. の形になるのかわかりません。なぜ Ci vestiamo. や Ci alziamo presto. の形にならないのでしょうか?

Aベストアンサー

ci serviamo とした場合 "insieme" のニュアンスがついてきちゃうから...
どのような状況で使われているのかが分かりませんが、"insieme"のニュアンスですか、自信はありませんが、無いと思います。もちろん状況によりますが。
状況によって一人称複数・非人称を使い分ける事ができると思います。

非人称を使う事で、場合によっては事務的な冷たいイメージを与える事があります。
同時に、tuを使っていい人かLeiを使っていい人か分からない時にも、非人称は使え便利です。

Q半導体製造プロセス

半導体製造プロセスについて教えてください。
製造プロセスというのはやり方はいくつもあるのでしょうか?またプラズマを用いる方法はどこでつかうのでしょうか?(エッチングだけ?)
またプラズマを用いるメリットやデメリットを教えてください。

Aベストアンサー

某半導体メーカエンジニアです。
プラズマを用いるメリットは、プラズマ中の電子エネルギが
非常に高く(数万℃)、比較的低温度で、エッチング
や成膜が可能になるからです。なお高真空下の非平衡
プラズマですので、導入ガス自体は低温のままです。
多くの半導体デバイス中には、Al配線が使用されますが、
Alの融点以上に温度を上げてしまうと、配線が溶けて
しまうので、低温でプロセスを行うのは必要な技術
です。
デメリットはいろいろありますが、このプラズマ中の電子が
デバイスや装置に何らかのダメージを及ぼします。
例えば、デバイス中のチャージアップ、素子破壊、装置内で
起こる異常放電等です。
装置内で起こる現象等は、本や文献からでは、わかりに
くいと思いますが、プラズマプロセスに関しては、いくつか
参考書が売られているようなので、勉強してみて下さい。


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