
以下のサイトで
https://contents.zaikostore.com/semiconductor/28 …
「MOSFETは通常、バックゲートがソースに直結しており、オフ時に逆起電力で回路が破損しないよう電力を逃がすために寄生ダイオードが設置されているのですが、IGBTではこの寄生ダイオードは設けず、p型半導体を追加している形となります。」
との記載があるのですが、寄生ダイオードはMOSFETの構造で作ってしまうものだと理解しているのですが、意図して設計するものなのでしょうか。
またバックゲート回路は寄生ゲートからの電流を流さないために設置しているとも理解してたんですが違いますかね・・・?I
すみません。トランジスタを独学し始めた超素人なので、なにとぞご容赦くださいませ。
No.1ベストアンサー
- 回答日時:
寄生ダイオードは、出来てしまうという意味においては「意図せず出来てしまう」と言えますが、寄生ダイオードの特性については、ある程度は意図して作り込んでいます。
そういう意味では意図しているとも言えるかもしれません。
IGBTは、P型半導体を追加することで、ダイオードではなくバイポーラ型のPNPトランジスタになっているので、「寄生ダイオードは設けず」と言うよりは、「ダイオードじゃなくなってしまう」と言った方がいいかもしれませんね。
言い方の問題ですけど。
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