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価電子帯(VB)の電子が伝導帯に移動する際のエネルギーの差を
バンドギャップというそうです。

例えば二酸化チタンであれば3.0eVであり、これは約400nmの光に相当し、
太陽光の利用が可能であることがわかります。

文献をいろいろ調べたのですが酸化セリウムのバンドギャップ値がわかりません。
どなたか教えていただけないでしょうか。

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A 回答 (2件)

セリアのバンドギャップは3.1eVです。


詳しくは
Phys.Stat.sol.(B),137,K157

1986年のものなのでちょっと古いですが・・・
お役にたてば
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「酸化セリウム」×「半導体」あたりでさらっと探してみたのですが、全然出てこないですね。

引っ掛かるのは、セリア粉末を研磨剤に使う話ばかり。

その中でいくつか手がかりになりそうなページがありました。どうも絶縁材(兼バッファ)として使っているようです。(以下のURL)
http://www.labs.fujitsu.com/News/1996/Jul/960726 …
http://www.k.hosei.ac.jp/ceng/dept/ei/theme-ei.h …

バンドギャップの具体的な値は書いてありませんでしたが、絶縁体ならとんでもなくバンドギャップが広い、ということは申し上げるまでもなくご存じかと思います。

すみません、あまり役に立ちそうにない回答で。

参考URL:http://www.labs.fujitsu.com/News/1996/Jul/960726 … http://www.k.hosei.ac.jp/ceng/dept/ei/theme-ei.h …
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波長(nm)をエネルギー(ev)に変換する式を知っていたら是非とも教えて欲しいのですが。
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No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。


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