X線の特性曲線を書くとき、肩部とか直線部とかありますよね?そのときに「ソラリゼーション部」ってどこに書けばいいのですか?あとカブリの求め方も教えてください。よろしくお願いします

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A 回答 (1件)

ソラリゼーションといえば肩部の反転してる部分。


かぶりは足の末端
つか、写真の本をちゃんとよみましょぉ(ノ ̄▽ ̄)ノ
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Q送風機特性曲線と抵抗曲線

エネルギー管理士の教科書では、送風機特性曲線(縦軸 静圧 横軸 流量)と抵抗曲線の交点が送風機の作動点であるとの説明がされています。

この時の抵抗曲線とは、その流量における圧力損失と言うことでよろしいでしょうか?
静圧とは、圧力損失に対抗する圧力としてよろしいでしょうか?

また、教科書の中では、抵抗曲線が風量0である圧力をもつグラフが出てきます。ポンプの場合は、実揚程との説明がありますが、送風機の場合はいったい何になるのでしょうか?

図でも貼り付けて質問できれば分かり易いのですが出来ないのでこれでお願いします。

Aベストアンサー

質問が混乱していて、意味がよく分からない。
送風機の特性曲線は、送風機出口における風量と圧力の関係です。

静圧の意味が分かっているのかいないのか?
圧力損失に対抗する力とは文学的表現で工学的ではありません。
送風機の与えた圧力エネルギーです。
静圧に対して動圧と言う概念があります・・・運動エネルギー・・・これらは理解できますか?
両者の和が全圧であり、全圧がこの送風機の与えた全エネルギーに相当します。

流路のある離れた断面、例えばAとBと名付けます。
A断面の静圧がB断面の静圧より高ければ、流体はAからBへ流れます。
流体は流れると、壁面摩擦等でエネルギーを失います・・・即圧力が降下します。
この圧力降下量を圧力損失と言います。
従って、断面A, Bの間を流体が流れるためには、静圧がこの圧力降下量より大きい必要があります。
静圧差が大きければ流体はより多く流れようとしますし、小さければ流量を減ります。
このバランスがとれた状態が静圧差=圧力損失の点です。

抵抗曲線はこの摩擦力をエネルギー(圧力)にて表したものです。
従って、風量0では0です。何か勘違いをしていますね。

質問が混乱していて、意味がよく分からない。
送風機の特性曲線は、送風機出口における風量と圧力の関係です。

静圧の意味が分かっているのかいないのか?
圧力損失に対抗する力とは文学的表現で工学的ではありません。
送風機の与えた圧力エネルギーです。
静圧に対して動圧と言う概念があります・・・運動エネルギー・・・これらは理解できますか?
両者の和が全圧であり、全圧がこの送風機の与えた全エネルギーに相当します。

流路のある離れた断面、例えばAとBと名付けます。
A断面の静圧がB断面の静圧より...続きを読む

Qこの数値で特性曲線のグラフを書いてくれませんか?お願いします。

この数値で特性曲線のグラフを書いてくれませんか?お願いします。

Aベストアンサー

せめてエクセルかワードに。
読めません。

Q誘導電動機の負荷特性曲線について

こんにちわ。
誘導電動機について、負荷抵抗の値を変えて誘導電動機の負荷を変え、トルク、力率、効率、一次電流、すべり等を求めたのですが、これらを一つのグラフにし、「負荷特性曲線」を描けと言われました。
値が全然違うものをどうやって一つのグラフに描けばいいんでしょう・・・?
と言うか、負荷特選曲線についても良く分かっていません・・・。
初歩的なことで申し訳ありませんが、どなたか教えていただけないでしょうか。

Aベストアンサー

通常は、横軸に出力をとって、縦軸にそれぞれの値をとった曲線を描くかと思います。(縦軸の数はそれなりに必要になります。)

QTr静特性曲線

トランジスタの静特性曲線はエミッタ接地のものがほとんどだけど
これは何故ですか?どうしてコレクタ接地のものは全くないんですか?

Aベストアンサー

参考程度に
トランジスター素子は3端子増幅素子ですが特性はベース・エミター間で決まる、あるいは決めているのです。だから、増幅静特性ではベース・コレクターは使わないのです。ベース・コレクターを使うということはエミターとコレクターを逆にして使うという意味になってしまいます。逆トランジスター特性という意味ですね。だから主にエミッター接地、この場合はベース電圧を可変、あるいはベース接地、まれ、この場合は、エミター電位を可変とするのです。ベース接地とかエミター接地というのは、ベース、あるいはエミターのどちらかの電位を固定(接地)して測定するという意味ですね。そういうことでコレクター接地という静特性は無いのです。 
回路上はコレクター(電源)接地のエミッターフォロアが使われますが、この場合でも、トランジスターの利得はエミター接地の静特性で得たものを使います。

QV-I特性曲線について

こんにちわ。初歩的な質問ですがお願いします。
私は大学の理学部生物学科の1年です。
高校で物理をやっていなかったので、全くもってわからず困っています。(物理実験は教職の免許を取る為にやむなくとっています)

ダイオードの特性を調べる物理実験で、
「SiダイオードとGeダイオードのV-I特性曲線の違いを、バンドギャップの具体的な数値を用いて説明せよ」
というレポート課題が恥ずかしながら再提出になってしまいました。
pn接合についてはhttp://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/のpn接合に関するところを参考にしてレポートを書きましたが、特性曲線の違いまで説明が出来ません。
そもそもV-I特性曲線とバンドキャップはどう関係しているのでしょうか?

googleなどを調べましたが、私が理解できるような説明のものがなく、大学の図書館でも難しそうな本ばかりで、借りても使うことが出来ません。かといって今から物理をはじめからやるのは時間的にちょっと…。

どなたか上の課題について基本的なところを説明していただけませんでしょうか。理解するためのヒントになるようなものでかまいません。
どうかよろしくお願いします。

こんにちわ。初歩的な質問ですがお願いします。
私は大学の理学部生物学科の1年です。
高校で物理をやっていなかったので、全くもってわからず困っています。(物理実験は教職の免許を取る為にやむなくとっています)

ダイオードの特性を調べる物理実験で、
「SiダイオードとGeダイオードのV-I特性曲線の違いを、バンドギャップの具体的な数値を用いて説明せよ」
というレポート課題が恥ずかしながら再提出になってしまいました。
pn接合についてはhttp://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/のpn接...続きを読む

Aベストアンサー

レポートの課題のようですので簡単なヒントと#1の回答の間違いの訂正だけにします。

まず、バンドギャップはSiの方がGeよりも大きいです。#1のコメントは逆です。

次にヒントを3段階で書きます。
(第1段階)
pn接合のnには電子が、pには正孔が多数キャリアとしてあります。これらが、反対側に流れ込まないのは、pn接合に障壁ができるためです。この障壁の高さは、バンドギャップにほぼ等しいと考えて良いでしょう。順方向に電圧を加えると、この障壁が小さくなります。障壁が、ほぼ消滅するために必要な電圧は、バンドギャップが大きいほど、高くなります。

(第2段階)
半導体の教科書に一般的に書いてある、順バイアスでの電流の式  
  A exp(-qV/kT)
には、バンドギャップの大きさが入っていません。これは何故かを考えてください。(電流が上の式のように書けるのは、ある条件下です。この条件が破れるのは、どんな時でしょうか?第1段階で書いた事と組み合わせて考えてください。)また比例係数のAにバンドギャップの大きさがどのように影響するかを考えてみてください。

(第3段階)
逆バイアスでの電流は、理想的には上式のAになります。
さらに逆電圧を大きくすると、トンネル効果か雪崩降伏によって電流が急激に大きくなります。これの起こりやすさは、バンドギャップに大きく依存します。どのように依存するかは、それぞれのメカニズムを考えれば、簡単に分かります。

レポートの課題のようですので簡単なヒントと#1の回答の間違いの訂正だけにします。

まず、バンドギャップはSiの方がGeよりも大きいです。#1のコメントは逆です。

次にヒントを3段階で書きます。
(第1段階)
pn接合のnには電子が、pには正孔が多数キャリアとしてあります。これらが、反対側に流れ込まないのは、pn接合に障壁ができるためです。この障壁の高さは、バンドギャップにほぼ等しいと考えて良いでしょう。順方向に電圧を加えると、この障壁が小さくなります。障壁が、ほぼ消滅するた...続きを読む


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