1入力2接点のような単純なリレー回路の構造や特性などについて教えてもらえないでしょうか。またリレー回路について詳しく載っているようなサイトなどを知っておられたら教えてください。
それと、リレー回路にダイオードを並列接続する理由も詳しく教えてください。
よろしくお願いします。

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A 回答 (4件)

リレーの寿命、特に接点の劣化が重要です。


カタログ等に記載される定格容量以上の負荷をかけますと、寿命は極端に短くなります。on→offの際、10倍程度のサージ電圧が発生します。そのときに、接点にスパークが見えるのですが、最悪接点を溶着させることがあります。逆に酸化被膜を作って、電気が流れないという症状を引き起こします。
直流回路では、ダイオードを逆に接続して、発生するサージを逃がしています。
交流回路では、他の方がおっしゃる通りです。
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この回答へのお礼

お礼するの遅くなって申し訳ありません。おかげで助かりました。どうもありがとうございます。

お礼日時:2002/02/02 09:54

電磁石が働くと可動片が動き、接点を開いたり閉じたりします。

コモン(CMO)を共通に、ノーマルオープン(NO)とノーマルクローズ(NC)ができます。これが連動で数回路できます。ダイオードはコイルの逆起電力をキャンセルする保護用です。
使用するにはコイル電圧が交流か直流か。接点の電流、電圧容量。オン抵抗やスピードなどに選択肢があります。松下電工、オムロン、が大手メーカです。
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>1入力2接点のような単純なリレー回路


ツイン接点の事を言っているのでしょうか。微少負荷の場合に接点の材質、構造により寿命(故障)が違ってきます。シングル接点よりもツイン接点の方が故障が少なくなります。ツイン接点の方が並列冗長となり接点にかかる負荷が減ります。
ダイオードについてですがサ-ジキラーの役目として直流コイルのりレーに並列に接続します。ただしこの場合CR方式よりも復帰時間が遅れます。
交流コイルの場合にはサージキラー(コンダンサ、抵抗)、バリスタ等が使われます。
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リレーという部品の一般的構造ですか.個別のたとえばMY2Nの特性ですか。

無接点リレーと有接点リレーのいずれでしょうか。

リレー回路については.「シーケンス」関係の本を読むと大体見当がつくと思います。

ダイオードをリレーのコイル側に漬ける場合は.直流リレーの場合は.誘導器一般の性質によります。コイルに電流を流した情態を保っていた時に.電流をとめます。すると.コイルに蓄積していたエネルギーが放出され.コイルに今までかかっていた電圧を越えた電圧がかかります。コイルの電流制御を半導体で行っていた場合に.この電圧は半導体の最高使用耐圧を楽に越えてしまい半導体を壊します。そこで.電源電圧(+順方向ダイオード端子間電圧)以上に電圧がかからないようにする為に使用します。
なお.ダイオードのような外見をしていながらダイオードとしての片方向のみに限った電気伝導性を示さない半導体部品が使われる事もあります。
無接点リレーの場合には.逆方向の耐圧が消して高いわけではありません。あるいは.ゲート電圧の関係で逆どうつう(名称疑問.方言の可能性あり)してしまう場合があります。このような場合に.逆方向をダイオードでショートしてしまうと耐圧をあまり考えないですむとか.逆方向を常にショートした情態で回路設計をしてしまう場合もあります。逆特性を考えないですみますから。
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この回答へのお礼

お礼するの遅くなって申し訳ありません。おかげで助かりました。どうもありがとうございます。

お礼日時:2002/02/02 09:55

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Qダイオードの順方向特性

ダイオードの電流ー電圧特性のことで 逆方向電圧を大きくしていくと、降伏するのは分かっているのですが、順方向電圧を大きくしていくとどうなるかを教えてください。(発熱によるダイオードが破壊されない時の状態で)
できれば、その理由などもおしえてもらいたいのですが・・・

Aベストアンサー

[順方向電圧を大きくしていくとどうなるかを教えてください。(発熱によるダイオードが破壊されない時の状態で)
できれば、その理由などもおしえてもらいたいのですが・・・]
ということですね。
PNダイオード、P(アノード)、N(カソード)としますと
電圧が0.7Vを越えるとExpornential (指数関数的)に増加します。
これは、#1の回答の通りですね。
(さてそれからどうなるかということですね。指数関数は0.7V以上ででそうですね。電圧をいくらかけてもアノード電圧は、なぜか電池のように0.7Vからわずかしか増加しません。だからダイオードは回路の基準電位として使います。)それはさて置き、
電圧Vをさらにどんどん上げると、V-0.7/R=I になります。Rは抵抗ですね。
こうなると、Expornential (指数関数的)は忘れてください。
金属抵抗だと思えばいいのです。だからあるところで電流の増加は指数関数的でなくなるので減りますね。
金属状態でも、抵抗Rがあるので発熱して壊れてしまいます。

昔、非常に濃度の濃いP型半導体と、非常に濃度の濃いN型半導体でPNダイオードを作って、同じ実験をした方がいます。
電圧をかけると電流が指数関数的に増えていき、あるところから減少しはじましたそれからまた増加したのです。
これあの有名なトンネルダイオードよ。これで江崎先生はノーベル賞もらったんだから、いろいろ考えるのはいいよね。

参考まで

[順方向電圧を大きくしていくとどうなるかを教えてください。(発熱によるダイオードが破壊されない時の状態で)
できれば、その理由などもおしえてもらいたいのですが・・・]
ということですね。
PNダイオード、P(アノード)、N(カソード)としますと
電圧が0.7Vを越えるとExpornential (指数関数的)に増加します。
これは、#1の回答の通りですね。
(さてそれからどうなるかということですね。指数関数は0.7V以上ででそうですね。電圧をいくらかけてもアノード電圧は、なぜか電池のように0.7Vから...続きを読む

Qダイオードの静特性 計測

ダイオードの静特性 計測

1s1588という型番のダイオードを使用して計算値、実験値と比較してみました。

まず、

I=Is*{exp(V/nVt)-1} [Vt=kT/q]

のショックレーのダイオード方程式に値を代入して計測してみたところ、
Is=10^-14[A] , n=1 (理想D) , Vt=0.0257[V](標準温度25℃) として、かつexp>>1より、 -1 の項を除去し、

I=10^-14 * (exp(V/0.0257)

として、Vを0.02[V]ずつ変化させて計算しました。

逆方向飽和電流Isの値は、下記URLのデータシートより確認しようとしたところ、どれを見て良いか分からず

http://www.madlabo.com/mad/book/device/1s1588.PDF

SPICEよりI=10^-14[A]という値を決定しました。


そして、実際に1s1588を使用して、計測したところ、大きく差がでてしまいました。
特に0.6[V]あたりからの値の変化の仕方が著しく異なり、
どちら側もいわゆるダイオードの静特性のグラフの形にはなっているのですが、0.8[V]などでの値の上がり方が大きく違い、

ショックレーの方程式で計算した結果では爆発的に上昇しているが、実験値では比べると非常に緩やかに上昇していきました。

一応測定グラフを貼り付けておきます。

【質問】
どうしてこのように方程式での計算値と実験値の値に大きな差が生じたのか原因が分かる方がいれば教えていただきたいです。

自分で考えた原因としてはやはりSPICEから引用したIsの値のとり方が間違えているのかと考えましたが、
データシートよりどのように値を決定すればよいかわかりません。
もし原因がそこに当てはまるということであれば、Isの値を教えてください。

また、原因がこれではなく他にあるなら、その原因というのも教えていただきたいです。
よろしくお願いします。

ダイオードの静特性 計測

1s1588という型番のダイオードを使用して計算値、実験値と比較してみました。

まず、

I=Is*{exp(V/nVt)-1} [Vt=kT/q]

のショックレーのダイオード方程式に値を代入して計測してみたところ、
Is=10^-14[A] , n=1 (理想D) , Vt=0.0257[V](標準温度25℃) として、かつexp>>1より、 -1 の項を除去し、

I=10^-14 * (exp(V/0.0257)

として、Vを0.02[V]ずつ変化させて計算しました。

逆方向飽和電流Isの値は、下記URLのデータシートより確認しようとしたところ、どれを見て良いか分からず...続きを読む

Aベストアンサー

グラフを拝見しましたが、スケールを同じにして比較すれば大差無いように伺えます。
1.SPICE:横軸;0.1V、縦軸;10mA/FS;100mA
2.実験値:横軸;0.2V、縦軸;1mA/FS;5mA
3.データシート:横軸;0.1V、縦軸;0.1mA-1mA-10mA-100mAの対数表示
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Qもうすぐシーケンスの実技「配線」の試験があるのですが 回路図が載っていればこれは何回路とかはわかるの

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Aベストアンサー

タイムチャートから、どの回路が最優先なのか、順次決めて行く
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それぞれ3.5mA、3.6mAと上昇してその後急激に
下がっていきました。 何回測定してもこうなるのですが
これはどうしてなのでしょうか?

Aベストアンサー

参考まで
トランジスターのVce を下げていくとトランジスター特性を保ちながら
ダイオード特性に切り替わっていくというプロセスをとります。
トランジスターで着目するとVceが下がるとベース、コレクター間の接合面で
空ぼうそうがひろがり(電位障壁が小さくなるので広がる。)その領域での
再結合により電流が減少します。ところがさらに下がると一部の領域が
ダイオード状態に変化してきますので逆に空ぼうそうが減少し、再結合が
少なくなって電流が増えます。しかし、さらに下げると消滅しダイオード状態になりますのでなくなります。
という理由と思います。
Ib=30μA
Vce Ic mA β
104.2140
84.18139
64.14138
44.1137
24.04135
13.92131
0.83.84128
0.63.69123  ↑ 正常なトランジスター動作
0.43.34111 ↓この辺で空ぼうそうがひろがる。再結合大
0.33.55118   この辺で空ぼうそうが再び減少し始める。
0.23.65122 ↑
0.11.2742   ↓この辺で空ぼうそうが消滅し始める。

Vce が0.6から0.4ぐらいまではトランジスター状態をまだ保っていますが、ベース・コレクターのPN接合面では空ぼうそうの領域が広がると同時に多量のキャリヤがその空ぼうそうにエッミターから注入されます。再結合とドリフト状態が同時に起きています。再結合が増えて電流が下がるのですが、
Vceが0.3、0.2とさらにさがると逆に空ぼうそうがなくなりはじめます。
エミッタから注入されたキャリヤの再結合が減少してコレクター電流が一時的に増加する。さらにVceが下がると空ぼうそうは消滅してダイオード状態
になりコレクター電流は劇的に減少する。

参考まで
             

参考まで
トランジスターのVce を下げていくとトランジスター特性を保ちながら
ダイオード特性に切り替わっていくというプロセスをとります。
トランジスターで着目するとVceが下がるとベース、コレクター間の接合面で
空ぼうそうがひろがり(電位障壁が小さくなるので広がる。)その領域での
再結合により電流が減少します。ところがさらに下がると一部の領域が
ダイオード状態に変化してきますので逆に空ぼうそうが減少し、再結合が
少なくなって電流が増えます。しかし、さらに下げると消滅しダイオー...続きを読む

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AC24V入力のリレーを使用し、AC24Vの信号をDC24Vの信号を出力したいので、コイルにはAC24Vを入力し、接点にはDC24Vを接続しても問題ないでしょうか?

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