MOSFETデプレッション型の動作原理についての質問

MOSFET動作原理について質問があります。
MOSFETエンハンスメント型の動作原理はすぐ理解出来たのですが
デプレッション型の動作原理が今一理解出来ません、nチャネルで言うと
何故Gには+電界が無いのに絶縁体の下とｐ形の空乏層の間に少数キャリアの電子が集まって電流が流れるのか理解出来ません。
幾つか書籍を見ると、「絶縁体の下には電子が集まりやすい性質がある」位しか見つかりませんでした。
御指導宜しく御願いします。

No.1 ベストアンサー 回答者： Trick_Q 回答日時： 2009/01/11 19:34

エンハンスメントは理解されているということですので、非常に簡単に言いますと、

エンハンスメントのｎチャネルでは、ゲートに正電圧を加えて、P形領域に反転層（電子が集まって出きる通路）が出来ますよね?
ここの部分に最初からN形半導体で通路を作ってしまったものが、ディプレッション形です。
だから、最初からドレインとソースがN形半導体で繋がっているため、ゲート電圧がゼロでもドレインソース間に電圧を加えるとドレイン電流が流れます。
ゲート電圧を負にしたり正にしたりすれば、ゲートの部分の通路が狭まったり広がったりしてドレイン電流が調整できるようになります。

この回答へのお礼

おおおおお、有難う御座います。
そうでしたか、最初からN形半導体で通路を！、それだと理解出来ます、
私の調べ方が甘いようで、そこまでたどり着きませんでした。
何日かこの疑問が晴れずモヤモヤしていたので助かりました。
今日はグッスリ眠れそうです。
有難う御座いました。

お礼日時：2009/01/12 01:10