
CR遅延回路について
お世話になります。遅延回路について質問があります。CMOSのイネーブルバスバッファ(4列)のイネーブル端子にCR遅延回路を入れています。C=2.2[μF],R=10[kΩ]にしており、バッファの電源5[V]からRとCを接続してイネーブル端子に入力しています。その状態でバッファの電源,イネーブル端子,出力信号を確認したところスパイク状のノイズのようなものが確認されました。スパイクノイズは0.5~1[V]程度となっており、電源が立ち上がった直後の位置に確認しました。遅延回路を入れない状態ではこのような現象は現れていませんでした。何が原因と考えられるのでしょうか?バッファICのラッチアップ現象なのでしょうか?また、どうすれば回避することができるのでしょうか(遅延回路を入れた状態で回避する方法)?ご回答お願いします。
No.1ベストアンサー
- 回答日時:
CMOSのイネーブルバスバッファ(4列)のIC種類が不明ですが、イネーブル端子にCR遅延回路
>C=2.2[μF],R=10[kΩ]にしており、バッファの電源5[V]からRとCを接続して< から
C=2.2[μF]に蓄積された電荷の逆流と推定されます。
C・Rが大きければラッチアップでICが劣化・破壊する可能性があります。
R=10KΩに放電用Diを接続して、5V電源が電圧低下時に放電するとICの許容範囲になります。
*他に要因があればC・Rの遅延回路の後にシュミットタイプのインバータ2段で波形整形して
供給すればスロークロックの問題も解決できます。
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