トランジスタとFETについて

トランジスタとFETについて
それぞれの出力(Vo）は
トランジスタ：ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V
FET：RDS（ON抵抗）に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流
この考えでよろしいのでしょうか？

※添付画像が削除されました。

No.3 ベストアンサー 回答者： uruz 回答日時： 2010/10/13 19:52

トランジスタ回路について

示された回路はエミッタフォロア回路でゲイン1倍のバッファアンプとして動作します。スイッチング動作はしません。
Vinが0.6V以上のときVoutはVin-Vbe(約0.6V)となります。

＞コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか？

どういう動作をさせたいのかよく解りませんが
スイッチング動作させリレーやLED(負荷)などをON/OFFさせたいのなら、それらは電源とコレクタ間に配置しエミッタはGNDに接続します。

この回答への補足

回答ありがとうございます
具体的なことをまた質問したいと思います。
エミッタフォロアについて勉強してみます。

補足日時：2010/10/13 21:23

No.4 回答者： umamimi 回答日時： 2010/10/13 21:32

No.1,2 です。

No.3さん＞示された回路はエミッタフォロア回路で

無知な回答ですみませんでした。

http://bipcircuits.web.fc2.com/bip_basic/collect …

No.2 回答者： umamimi 回答日時： 2010/10/13 19:42

＞PNPトランジスタと間違えていました

＞コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか？

いろんな使い方、中には突飛なのもあるので否定しませんが、
エミッタ接地なら普通コレクタ側に入れますね。
B-E 間にVin を与えるのも電圧が明らかになりますし。

No.1 回答者： umamimi 回答日時： 2010/10/13 18:52

＞トランジスタ：ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V

違います。Vce(sat)という、CE間がONの時のON抵抗による電圧降下
(サチュレーション電圧などとも呼ばれます。ごくわずかで、
0.03Vなどという数字です)を
電源電圧から引いた電圧がVo に
出てきます。ほとんど5Vに近い電圧です。

B-E 間の電圧って、 B は Vin側 につながる端子ですから、
電流経路としても B-E間電圧を引くのっておかしいですよね。

ところで、アースの直前にある四角形は抵抗ですか？
ちょっと見慣れない繋ぎ方ですね。これでトランジスタのON/OFF はきちんとできるのでしょうか。

FET の方は自信ありませんが、いいと思います。

この回答への補足

>電源電圧から引いた電圧がVo に
出てきます。ほとんど5Vに近い電圧です。
スッキリしました。ここが聞きたかったです。

PNPトランジスタと間違えていました
コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか？

補足日時：2010/10/13 19:11