トランジスタのプッシュプル回路について

トランジスタのプッシュプル回路について質問があります。
プッシュプルのトランジスタ１石あたりのコレクタ損失は最大出力電力の1/5になると本で読みましたがなぜ1/5になるんでしょうか？？詳しく教えていただけると助かります。負荷抵抗は８Ωです。

あと、非常に分かりにくくて申し訳ないんですけど、プッシュプルのバイアス回路をNPNトランジスタで組んだ３石のプッシュプルの場合バイアス回路をバイパスしてコンデンサを図のように入れると参考書には”バイアス回路をバイパスして、トランジスタ１とトランジスタ２のベースから見たインピーダンスを等しくするためのコンデンサーである。これにより歪み率が良くなる。”とあるんですがどういう事か理解できません。専門的な回答でもイメージ的な回答でもいいのでどなたか教えて下さい。

_____________________________________Vcc
　　　　　　l　　　　　　　　ｌ
　　　　　　 ｌ　　　　　　　　ｌ
　ーーーーｌーーーlーーNPN
　ｌ　　　　　ｌ 　　　　 l 　　　　 l
　300Ω　　ｌ 　　　　 l 　　　　 l
　ｌ－－－NPN 　　 ＝ 　　　 l---出力
　ｌ 　　　　　 l 　　　　 l 　　　　 l
　300Ωーー-----l---PNPl
　　　　　　 l 　　　　　　　　　 l
　　　　　　　 　 　　 　　　　 l

No.1 ベストアンサー 回答者： inara1 回答日時： 2010/12/12 11:07

＞プッシュプルのトランジスタ１石あたりのコレクタ損失は最大出力電力の1/5になる

最大出力電力というのは、負荷の最大消費電力の時間平均のことだとしたら、それは、添付図上半分の Pout を 時間 t = 0 ～ T で積分したものを T で割ったもので、その値は Vcc^2/( 2*R ) になります。トランジスタ１石あたりのコレクタ損失の平均は、添付図下半分の Pc1 を 時間 t = 0 ～ T で積分したものを T で割ったもので、その値は ( 4 - π )/( 4*π )*Vcc^2/R になりますから、その比は 1/5 でなく、1/14.6 になるかと思います。

最大出力電力が、負荷の瞬時消費電力の最大値のことなら、その値は Vcc^2/R、コレクタ損失の瞬時値の最大値は Vcc^2/R*sin(π/6)*{ 1 - sin(π/6) } = 0.25*Vcc^2/R なので、その比は 1/4 になります。図では、NPNトランジスタの電圧や電流しか書いてませんが、PNPトランジスタのコレクタ損失もNPNと同じです。