こんにちは。化合物半導体のInGaAs、InP、InAlAs、GaAs、GaPをウェットエッチングする時に使う薬液を教えて下さい。

A 回答 (2件)

紹介した図書はうまいこと見つかりましたか、それは何よりです。



ご承知のように化合物半導体を用いた素子およびその素子作製プロセスは日進月歩で10年前の常識など通用しないもののほうが多いですが、ウェットエッチングのような、無機化学の基礎的なプロセスはそうは変わらないものです。私が10年ほど前にエッチングの実験(エッチピット出し)をしていた時のエッチャントは、それより30年前に発表されたものでした。

紹介した文献以後に新しいエッチャントが発表されている可能性はゼロではないにせよ、とりあえずそこに掲載されているエッチャントは十分に使えるわけですし。(この点をどうしても気にされるのでしたら論文などをご自分で検索してみてください)

なおくり返しになりますが、半導体のエッチングプロセスは危険な薬品を使いますし、また廃液にもヒ素を初めとする有害物が含まれます。安全性・廃液処理にはどうぞ十分注意して実験してください。
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ウェットエッチングと一言に言っても、表面の加工変質層を除去するのが目的なのか、鏡面を出すのが目的なのか、あるいはエッチピットを出して転位の評価をするのが目的なのかでエッチャントは違ってきます。



例えば 生駒、河東田、長谷川「ガリウムヒ素」、丸善(1988)などにエッチャントの例と具体的なプロセス条件が載っています。(本の題名は「ガリウムヒ素」ですが他の化合物半導体のエッチャントも載っていますのでご安心を)
これらのエッチングには一般に、フッ硝酸や溶融アルカリ、ブロムメタノールなどの危険度の高い薬品を使いますので指導者のもと安全に十分注意して実験をなさってください。
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この回答へのお礼

ありがとうございます。
早速図書館に行って借りてきました。今から学習します。
ただ、この本が発行されたのが、昭和63年。今から約13年前。処理方法とか変わっていないんでしょうか?

お礼日時:2001/08/07 14:49

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GaAsエッチングの具体例はNo.1に詳しく書かれてありますが、質問者は学生さんのようですので、もっと基本的なところを説明しておきます。

先ずGaAsが異方性エッチングされるのは、GaAsが化合物だからではありません。
またどんなエッチャントでも、大なり小なり異方性はあります。
一般には、強い酸を用いると結晶方位によらず速いエッチングが進むので等方的となり、アンモニアのような弱いアルカリでは、エッチングされにくい面が残るので、異方性が強くなります。

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また、ここでは面倒なので区別しませんでしたが、等価な面を表すときは{100}面、等価な向きは<110>方向と書きます。
以後注意しましょう。

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Aベストアンサー

基本的な考え方として、
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例外はいくらでもあります。ヘモグロビンやメチル水銀などは金属を含んでいますので、
共有結合だけではありません。弱い結合として水素結合を分子内に含むものも多いです。
無機物でもH2SO4、NH3などの金属を含まない物は主に共有結合のみでできています。

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Hが正にClが負に帯電します。ですから、かなりつよくイオン結合性を持ちます。

>また、無機化合物はイオン結合とだけしか書いてないテキストとイオン結合と共有結合と
>書いてあるテキストがありました
イオン結合のみと断定すると間違いですが、「主に」の意味ならばどちらも正しいですし、
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