MOSFETのgm-Vgs特性

MOSFETのgm-Vgs特性のグラフを書きたいのですが、
gmの求め方が分かりません。分かっている値は、Id,Vds,Vgsです。
お願いします。

No.4 ベストアンサー 回答者： sanori 回答日時： 2007/06/23 15:28

＞＞＞

そのときのgmは求まりましたが、gm-Vgs特性のVgsの値はどうすればいいんですか。

Ｖｇｓは横軸です。

一例を挙げますと、
Ｖｇｓ＝０～０．１のときのΔＩｄを、Ｖｇｓ目盛が０．１のところの真上にプロット
Ｖｇｓ＝０．１～０．２のときのΔＩｄを、Ｖｇｓ目盛が０．２のところの真上にプロット
Ｖｇｓ＝０．２～０．３のときのΔＩｄを、Ｖｇｓ目盛が０．３のところの真上にプロット
・・・・・

あるいは
Ｖｇｓ＝０～０．１のときのΔＩｄを、Ｖｇｓ目盛が０．０５のところの真上にプロット
Ｖｇｓ＝０．１～０．２のときのΔＩｄを、Ｖｇｓ目盛が０．１５のところの真上にプロット
Ｖｇｓ＝０．２～０．３のときのΔＩｄを、Ｖｇｓ目盛が０．２５のところの真上にプロット
・・・・・

本当は後者のほうが良いのかもしれませんが、通常、前者のほうを採用します。


これにて退散・・・

この回答へのお礼

ありがとうございます。とても助かりました。

お礼日時：2007/06/23 16:47

No.3 回答者： sanori 回答日時： 2007/06/22 23:26

仕事でｇｍのグラフを作ったことがありますけど、

私も皆も、対数グラフでなく普通の等間隔目盛でしたよ。

No.2 回答者： sanori 回答日時： 2007/06/22 23:10

ｇｍ　＝　ΔＩd／ΔＶgs　単位はＳ（ジーメンス＝Ωの逆数）やμＳなど

です。

当然ゲート幅に比例してＩｄが大きくなるので、
規格化という意味で、ゲート幅で割り算し、ｍＳ／ｍｍ　の単位で表記する例が多いです。

おそらく、０．１Ｖ刻みとかで測定されているのでしょうから、

例えば０．１Ｖ刻みであれば、Ｖgsが０．１Ｖ増えるごとにＩdがどれだけ増えたかがｇｍなので、
今の区間と前の区間とでＩｄの差を引き算で求めれば、それがΔＩｄであり、
すなわち、ΔＩd／０．１　がｇｍになります。

ｇｍは一定ではなく、Ｖgsによって変わりますが、ｇｍの最大値のことをｇｍ－ｍａｘと言います。

この回答への補足

そのときのgmは求まりましたが、gm-Vgs特性のVgsの値はどうすればいいんですか。

補足日時：2007/06/23 06:34

No.1 回答者： rabbit_cat 回答日時： 2007/06/22 22:53

何が疑問なのか、いまいちよくわかりませんが。

gm = d(Id)/d(Vgs)
です。
つまり、Vgs - Id のグラフを描いて傾きを求めればいいです。

この回答への補足

すみません。もうひとつ聞きたいことがあるのですが、
Vgs - Id のグラフは片対数グラフで描くのが普通ですか。

補足日時：2007/06/22 23:05