
No.3ベストアンサー
- 回答日時:
正確に表現すると、入力インピーダンスZiは
Zi = R1 // R2 // (hie + Re(hfe + 1))
になります。(交流結合用コンデンサは充分大きいものとします)
hie はエミッタ接地におけるトランジスタの入力インピーダンス
hfe はエミッタ接地におけるトランジスタの電流増幅率
Re はエミッタ抵抗
R1,R2 はベース側のバイアス抵抗
// は並列を意味します。
抵抗値を決めていく手順は、以下のようになります。
まず、無信号時のコレクタ電流とベース電圧を決めれば、Re が決まります。
また、2SC1815のデータシートにより、そのコレクタ電流における hie と hfe の値がわかるので
(hie + Re(hfe + 1))
の大きさが求まります。これより、R1 // R2 の大きさも決定しますが
ベース電圧によりすでに R1 と R2 の比が決まっているので、 R1 と R2 は一意に求まります。
実際の設計では、抵抗値がE12やE24系列になるようにコレクタ電流やベース電位を微調整したりします。
ありがとうございます。
まずは、これを参考にやってみます。
また、わからないことが出たら、質問させていただきます。
アドバイスのほうありがとうございます。大変失礼ですが、まとめて、お礼を言わせていただきます。
No.2
- 回答日時:
基本的には#1の通りですが、ベース抵抗を除いたエミッタフォロワの入力インピーダンスが無限大ではないので、正確に1kΩにするには、次のようにします。
例えば信号源の内部抵抗を1kΩにして信号を供給して、接続した時開放電圧の半分になるようにベースの2個の抵抗値を決めたら良いと思います。
No.1
- 回答日時:
エミッタ側の抵抗はコレクタ(≒エミッタ)電流との兼ね合いですが入力抵抗に影響を与えない程度に大きくしなければなりません
そうするとベース側の2つのバイアス用抵抗をR1,R2とすると
R1//R2が1キロオームになるようにすればいいのです
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