ICの不良解析を行う際,非破壊試験として電気的特性を測定するそうですがこれにより見つけることが出来る不良はどのようなものがあるか教えてください.

A 回答 (1件)

以前、半導体製造会社の品質保証部で仕事をしていたので、多少は


わかりますが、今ではあんまり覚えていないので、静観しておりました。
しかしこの分野に詳しい人は少ないのでしょうか、
回答がないようなので、少しだけ書きます。

私はディジタルLSIのテスト装置(Automatic Test Equipment)で
電気的特性を調べて良・不良判定や性能評価をするプログラムを開発
していました。アナログLSIについては言及できませんので、ご了承を。

LSIのメモリ部分(これはメモリLSIだけでなく、例えばCPUのキャッシュ
メモリ部分も含むと考えてください)の不良は、奥が深いです。
"1"を書いても"1"が読み出せず"0"として読んでしまうという単純な
不良もありますが、通常のアドレッシング(アドレスを1ずつふやしていく)
では"1"として読めても、読み出す順番を変えると"0"になってしまうという
現象もあります。なぜそうなるか、またその不良を見つけるアドレッシング
(数学的なアルゴリズム)の方法を説明すると、1冊の本ができてしまう
くらいです。
現実にそういう本がありました。今はその仕事をしていないので
手元に本がなく、タイトルもわかりませんが。

ロジックLSI(メモリ以外。例えばCPUとかPeripheralLSI)の場合、
そのLSIが本来持つ機能を満足しているか、あるいはLSIに命令を
送った時に返されるリターン信号が、規定の時間内に(タイミングといいます)
返ってくるかなどを調べます。この命令もいろいろな組み合わせを
試してみないと不良がわからないということもあります。
例えばCPUでMOV命令単独ではOKでも、ADDした後にMOVするとNGとか。
さらに特定の値のADDの時しか不良現象が出ないとか。

mahtannさんは半導体関連の仕事をされているんでしょうか?
それとも半導体の不良解析を研究している研究者の方でしょうか?
いずれにしても専門書を入手されることをお勧めします。
世間一般の方でこの分野に精通している人はきわめて少ないでしょうから。
LSI不良解析に関するサイトもあるのではないでしょうか?
私は検索していませんが、きっとあると思います。
それでは。
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