トランジスタの過渡応答

トランジスタの過渡応答でｔｄ：遅延時間、ｔｒ：立ち上がり時間、ｔｓ：蓄積時間、ｔｆ：下降時間があるんですがなぜこのようなことが起きて、トランジスタが動作するのか分からないんです。いろいろとあたったんですがよく分かりませんでした。

No.1 ベストアンサー 回答者： manda 回答日時： 2004/11/25 23:46

　私、「専門家」に印つけてますが、答えられるのは「蓄積時間」

だけです。

　確認ですが、「蓄積時間 ts 」はトランジスタが ON → OFF に
なるときに要する時間でよろしいですね？

　で、その回答。
　それは「 少数キャリア蓄積効果 」のためです。

　本来、Ｎ型半導体には自由電子が、Ｐ型半導体には正孔がいる、
これはＯＫですね？
　トランジスタが ON のとき、ベース・エミッタの境目を通して
互いに自由電子と正孔がはいり込んできています。本来いない筈
のところに入り込んだ電子・正孔を 少数キャリア と言います。
　ベース電流を止めても、すでにベースにはいりこんでいる少数
キャリアがなくなるまで、トランジスタは ON のままです。
　これが「 少数キャリア蓄積効果 」です。

　一応、それをキーワードにして検索してお確かめください。

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　半導体工学の教科書は、お持ちではありませんか？
　もしも、電子部品を“外側”から使う方法を授業で教わってい
るのに部品の内部の様子を本で調べて来なさいという宿題を出さ
れたら、キツいでしょうね。

　私が「 少数キャリア蓄積効果 」だけ答えられるのは、これが
トランジスタの速さを決めるうえで一番のキモであると学生時代
にさんざん教えられたためです。
　あとの３つは、優秀な学生ではなかったんでわかりません。
　一応探してみますが、ネットで見つかるかどうか…

　あと、この質問は「 教育・物理 」の方が良かったんじゃない
でしょうか？
　（ 質問し直す場合、ここにも出した事をちゃんと書くように
　　　した方がいいでしょう。でないとマルチポストだとか言わ
　　　れるかも知れません。）