No.1ベストアンサー
- 回答日時:
Gunn効果は、GaAs等の化合物半導体に高電界を印加するとマイクロ波領域の発振が起こる効果です。
GaAsの特殊な価電子帯の構造に起因して、高電圧下では高電界ドメインというものが形成されます。これが試料中に生成、走行、消滅を繰り返すことで発振が起こります。URLもあるかと思いますが、半導体工学の本を見れば必ず出ていると思います。
No.2
- 回答日時:
説明しているURLはたくさんあるので、
ガンダイオード 発振 で、検索してみてください。
下に紹介するものは、珍しく写真が載っているものです.
説明はそこらへんのURLよりも、下の方の方が簡潔で良いですね。
参考URL:http://www.nitsuki.com/japanese/products/radio/m …
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