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Dielectric StrengthとBreakdown Voltageの違いを教えてください。
Dielectric Strengthの単位はV/mなので単純に厚さをかけたものがBreakdown Voltageになるのでしょうか?

A 回答 (1件)

Dielectric Strengthは日本語で絶縁耐力(絶縁耐圧)です。


単位は通常Vです。たとえばラインフィルタ用のコンデンサとか、トランスの1次側と2次側間とか、製品の電源入力とフレームグラウンド間とかに一定時間電圧をかけた場合、何Vまでなら絶縁破壊することはない、というときに使います。
フィルムのように、厚みに比例して絶縁耐力が上がる場合にはV/mmなどで表す場合もあります。

Breakdown Voltageは日本語で絶縁破壊電圧または降伏電圧です。
絶縁耐圧試験で電圧を上げていったときに絶縁破壊が起ったときの電圧のことをいう場合や、
ダイオードの逆耐圧をいう場合や、サージアブソーバなどに電流が流れ始める電圧のことを言ったりします。
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この回答へのお礼

どうもありがとうございました。

お礼日時:2009/06/04 14:02

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試料に高電圧を印加する実験を考えております。シリコンオイル中、および大気中において、何kV/cmで絶縁破壊が起こるか、ご存知の方がいらっしゃいましたら教えていただきたく存じます。有効数字は一桁程度でかまいません。

Aベストアンサー

一般的にいわれるのは
大気中:30kV/cm

また、教科書によると、
シリコン油中:80kV/2.5mm
だそうです。
ただ、絶縁破壊電界は電極間距離に依存し、一般には短い方が高電界に耐えます。

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εが大きいほど静電容量が大きいし、Tanδが小さいほど理想的な
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伝送系の材料として見るなら、できるだけ容量成分は少ないほうがいい
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Q空気中の放電距離と電圧について

交流電圧三相200Vで端子台に差し込んだファストン端子間でスパークしたような跡が発生したが、端子間に異物を接触した形跡はなく何らかの放電が発生したのではないかと思います。
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また何らかの原因で端子電圧が一瞬上がったような場合はそれが引き金になる場合もあります。
誘導雷による事故はそういう例が多いでしょう。

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抵抗器は黒焦げになりました。(爆)
この時の光の帯は直線ではなく、弓のようにアーチを描いていたのをはっきり覚えてます。
原因は突き止められませんでしたが、手が汗ばんでいた事、暑い日だった事から水分、汗の塩分が悪さをしたのではないかと想像します。

ですので、ありえるとだけお答えします。

Qコンデンサの「リプル」とは?

お世話になります。
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わかりやすくお教えいただければ助かります。
宜しくお願いします。

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誠に僭越で恐縮ですが・・・

>つまり電源電圧変動を抑えるために、コンデンサが蓄えていた電流をどれだけ放出できるかという性能を示すものと理解してよいのでしょうか?

これは、全く逆の方向に理解が行っていると思いますので、あえて書き込みさせていただきます。

電気の世界では、「ripple:脈動電流」としています。
例えば50Hzを両波整流して得られた電源からは、100Hzの脈流電流(リプル)が平滑回路のコンデンサに流れ込みます。
(交流電流は、ダイオードで整流しただけでは「脈流」であり、コンデンサを通って初めて、平らな「DC」になることにご留意ください)

コンデンサにとってはこの脈動電流は負荷になります。
コンデンサ自体には、「ESR:等価直列抵抗」という特性があります。
これが、脈流電流によってジュール熱を発生し、場合によっては、コンデンサが破壊されることがあるからです。
電解コンデンサは、特にこのESRが大きいので、熱破壊を防止するために、「リプル耐量」を規定する必要があり、これを表示することになっています。
「リプル電流の大きい方が性能がよい」というのは、「耐量=許容量」、が大きいということなのです。
コンデンサには「定格電圧」というのがありますが、これと同じようなもの、と考えてもらってもよいかと思います。
(タンタルコンは電解コンデンサの一種であるが、ESRが小さいという特長がある)

メーカーサイトの資料です。1-2に「リプル電流が大きいと、コンデンサの等価直列抵抗分(ESR)によって自己発熱(ジュール熱)によって破壊する」という説明があります。
http://www.chemi-con.co.jp/support/chuui/C02.html

メーカーサイトの資料ですが、上記よりももう少し詳しく書いてあります。
http://www.rubycon.co.jp/notes/alumi_pdfs/Life.pdf

なお、「tanδ=誘電損失係数」も交流特性のひとつですが、ESRが低周波で問題にされるのに対し、tanδは高周波での特性を表すものと考えられます。

参考URL:http://www.chemi-con.co.jp/support/chuui/C02.html

誠に僭越で恐縮ですが・・・

>つまり電源電圧変動を抑えるために、コンデンサが蓄えていた電流をどれだけ放出できるかという性能を示すものと理解してよいのでしょうか?

これは、全く逆の方向に理解が行っていると思いますので、あえて書き込みさせていただきます。

電気の世界では、「ripple:脈動電流」としています。
例えば50Hzを両波整流して得られた電源からは、100Hzの脈流電流(リプル)が平滑回路のコンデンサに流れ込みます。
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QVA提案とVE提案の違いを教えて下さい。

こんにちわ。
VA提案とVE提案の意味の違いを教えて下さい。
宜しく、お願い致します。

Aベストアンサー

用語的には。
VA:Value Analysisの頭文字(価値分析)
VE:Value Engineeringの頭文字(価値工学)

VAは、おおざっぱに言って、既存の製品に対して改善を行う手法。
製品やその部品に対して、必要とされる機能や品質を考えて現状を分析し、コスト低下につながる代替案を提案する。
この部品は何のために使うのか →他に代替えになる物はないか →あるいは現状の品質がほんとに必要かなど。

VEは、開発設計段階から行う手法。
設計を行う場合に、機能や品質を満足するするに必要なレベルを考慮する。
(適正な材料の選択、適正公差、最適工法の選択、仕上げ方法の見直しなど)
不必要に過剰品質にならない、設計が複雑では製造段階での努力には限界がある、それらを含めて設計段階への提案。

現在では、VEの方が重視されている、もちろん既存製品に対するVA提案を受けて、次製品へのVE活動につなげていきます。

個人サイトですが「VEをもっと知ろう」
http://www.geocities.jp/taka1yokota/mypage4-ve1.htm
(VEの考え方がおおよそ分かると思います)

社団法人日本VE協会「VE基本テキスト」
http://www.sjve.org/102_VE/images/302_basic.pdf
(PDFファイルです)

こんな感じです。

用語的には。
VA:Value Analysisの頭文字(価値分析)
VE:Value Engineeringの頭文字(価値工学)

VAは、おおざっぱに言って、既存の製品に対して改善を行う手法。
製品やその部品に対して、必要とされる機能や品質を考えて現状を分析し、コスト低下につながる代替案を提案する。
この部品は何のために使うのか →他に代替えになる物はないか →あるいは現状の品質がほんとに必要かなど。

VEは、開発設計段階から行う手法。
設計を行う場合に、機能や品質を満足するするに必要なレベルを考慮する。
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Qオーミック接触とは?

間の抜けた質問のようで申し訳ないのですが、オーミック接触ってどんな時に重要なのでしょうか?
整流性の無い金属-半導体接触だというのは分かったのですがそれ以上のことを書いてあるサイトが見つけられませんでした。
どうか詳しい方、ご教授下さい。よろしくお願いします。

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半導体と金属を接触(接合)させ、ある処理をするとジャンクション特性が出て来ます。つまり、金属から半導体に電流を流す際の特性と半導体から金属に電流を流す際の特性が変わってきます(簡単に考えるとダイオード特性と思ってください)。また、電圧-電流特性が一次式以外の特性(例えば二次特性)となります。

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Qサプレッサーについて 電子回路

P4SMAJ36CAというサプレッサー(双方向ツェナーダイオードのようなもの?)について質問させて下さい。
この部品のデータ-シートはhttp://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/14863/PANJIT/P4SMAJ36C.html
のDownloadと書いてある所のすぐ右側をクリックすると見れます。
このデータシートの見方について質問です。
表の「Reverse Stand-off Voltage」とは何でしょうか?
この部品が双方向ツェナーダイオードのようなものだとすると(この認識で合っているのかどうかも分かりません)
「Breakdown Voltage」の中間値つまり43Vを超えるとダイオードに電流が流れて43Vを保つようにする?わけですよね?
それで、「Max. Clamp Voltage」を超えると部品が壊れるということでしょうか?
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GNDと+24Vを逆にしてしまった時にこのサプレッサーが壊れてそれより後ろの回路を保護するとか?
質問が多すぎてすみません。何でもよいので分かる部分のみでもご回答頂けませんでしょうか?

P4SMAJ36CAというサプレッサー(双方向ツェナーダイオードのようなもの?)について質問させて下さい。
この部品のデータ-シートはhttp://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/14863/PANJIT/P4SMAJ36C.html
のDownloadと書いてある所のすぐ右側をクリックすると見れます。
このデータシートの見方について質問です。
表の「Reverse Stand-off Voltage」とは何でしょうか?
この部品が双方向ツェナーダイオードのようなものだとすると(この認識で合っているのかどうかも分かりません)
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Aベストアンサー

言い方をかえて
このTVSは36V迄は漏れ電流5uA以下です。(36Vまで使える)
ツェナー電圧は40.0~46.0V/1.0mAです。
大きな電流(6.9A)を流した時,58.1V以下に制限します。
ピーク許容電力は400W(規定のサージ波形による)ですが平均許容電力は1Wです。

TVSツェナーは頻繁にサージを発生する回路の電圧を制限する場合に使用します。
普通のツェナーでは瞬時許容電力が小さくて使えない場合に使用します。(普通のツェナーはパルス電力で劣化破壊します)

A1補足に書かれたツェナーの考えが間違っています。
ツェナーの動作をよく勉強してください。

Qプルアップ抵抗値の決め方について

ほとんどこの分野に触れたことがないので大変初歩的な質問になると思います。

図1のような回路でプルアップ抵抗の値を決めたいと思っています。
B点での電圧を4.1Vとしたい場合について考えています。その場合、AB間での電圧降下は0.9Vとなります。

抵抗値×電流=0.9Vとなるようにプルアップ抵抗の値を決めるべきだと考えていますが、この抵抗に流れる電流が分からないため、決めるのは不可能ではないでしょうか?

抵抗値を決めてからやっと、V=IRより流れる電流が決まるため、それから再度流れる電流と抵抗を調節していって電圧降下が0.9Vとなるように設定するのでしょうか。どうぞご助力お願いします。



以下、理解の補足です。
・理解その1
ふつう、こういう場合は抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が決まっていることが前提だと考えていました。V=IRを計算するためには、この変数のうち2つを知っていなければならないからです。
また、例えば5V/2Aの電源を使った場合、マイコン周りは電源ラインからの分岐が多いため、この抵抗に2A全てが流るわけではないことも理解しています。

電源ラインからは「使う電流」だけ引っ張るイメージだと理解しているのですが、その「使う電流」が分からないため抵抗値を決定できません。(ポート入力電流の最大定格はありますが…)


・理解その2
理解その1で書いたように、抵抗値を計算するためには、電圧降下と抵抗に流れる電流が必要だと理解しています。図2を例に説明します。Rの値を決めたいとします。
CD間の電圧降下が5Vであることと、回路全体を流れる電流が2Aであることから、キルヒホッフの法則より簡単にRの値とそれぞれの抵抗に流れる電流が分かります。今回の例もこれと同じように考えられないのでしょうか。

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抵抗値×電流=0.9Vとなるようにプルアップ抵抗の値を決めるべきだと考えていますが、この抵抗に流れる電流が分からないため、決めるのは不可能ではないでしょうか?

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Aベストアンサー

NO1です。

スイッチがONした時に抵抗に流れる電流というのは、最大入力電流や最大入力電圧
という仕様から読めば良いのでしょうか。
→おそらくマイコンの入力端子の電流はほとんど0なので気にしなくてよいと思われます。
入力電圧は5Vかけても問題ないかは確認必要です。

マイコンの入力電圧として0Vか5Vを入れたいのであれば、抵抗値は、NO3の方が
言われているとおり、ノイズに強くしたいかどうかで決めれば良いです。
あとは、スイッチがONした時の抵抗の許容電力を気にすれば良いです。
例えば、抵抗を10KΩとした場合、抵抗に流れる電流は5V/10kΩ=0.5mAで
抵抗で消費する電力は5V×0.5mA=0.0025Wです。
1/16Wの抵抗を使っても全く余裕があり問題ありません。
しかし、100Ωとかにしてしまうと、1/2Wなどもっと許容電力の大きい抵抗を
使用しなければいけません。
まあ大抵、NO3の方が書かれている範囲の中間の、10kΩ程度付けておけば
問題にはならないのでは?

Qエクセル STDEVとSTDEVPの違い

エクセルの統計関数で標準偏差を求める時、STDEVとSTDEVPがあります。両者の違いが良くわかりません。
宜しかったら、恐縮ですが、以下の具体例で、『噛み砕いて』教えて下さい。
(例)
セルA1~A13に1~13の数字を入力、平均値=7、STDEVでは3.89444、STDEVPでは3.741657となります。
また、平均値7と各数字の差を取り、それを2乗し、総和を取る(182)、これをデータの個数13で割る(14)、この平方根を取ると3.741657となります。
では、STDEVとSTDEVPの違いは何なのでしょうか?統計のことは疎く、お手数ですが、サルにもわかるようご教授頂きたく、お願い致します。

Aベストアンサー

データが母集団そのものからとったか、標本データかで違います。また母集団そのものだったとしても(例えばクラス全員というような)、その背景にさらならる母集団(例えば学年全体)を想定して比較するような時もありますので、その場合は標本となります。
で標本データの時はSTDEVを使って、母集団の時はSTDEVPをつかうことになります。
公式の違いは分母がn-1(STDEV)かn(STDEVP)かの違いしかありません。まぁ感覚的に理解するなら、分母がn-1になるということはそれだけ結果が大きくなるわけで、つまりそれだけのりしろを多くもって推測に当たるというようなことになります。
AとBの違いがあるかないかという推測をする時、通常は標本同士の検証になるわけですので、偏差を余裕をもってわざとちょっと大きめに見るということで、それだけ確証の度合いを上げるというわけです。

Q水晶発振子と水晶振動子って何が違うの?

水晶発振子
http://akizukidenshi.com/catalog/items2.php?q=%22P-00227%22&s=score&p=1&r=1&page=

水晶振動子
http://speed.sii.co.jp/pub/compo/quartz/productDetailJP.jsp?recordID=1295
は何が違うんですか?
使用目的は同じなんですか?
質問自体間違ってますか?

ご回答頂ける方へ
僕は電子工作系の知識は無いに等しいです。

Aベストアンサー

水晶振動子は、水晶振動子片に電極を付けてパッケージに封入した部品です。
発振させるには何らかの回路が必要です。

水晶発振子(水晶発振器)は、振動子と発振回路をパッケージして部品化したもので、規定の電圧を加えれば規定の出力が得られます。

大きな違いは発信回路の有無です。
温度によって発信周波数が変化してしまうので、温度保証(補正)機能を持った発振器(TCXO)もあります。
使用する部品によっては内部に発振回路を持っているので、水晶(振動子)を外付けするだけで動作する部品(IC)もあります。

http://www.citizen.co.jp/crystal/xdcr/index.html
http://www.citizen-finetech.co.jp/product/p_d_crystal.html

>使用目的は同じなんですか?

高精度で安定した発振周波数を得るには水晶が安価で適した部品になります。パッケージ(水晶発振モジュール)にする事で使い易い部品にして販売しているだけです。
簡単な回路で発振させる事が出来ますが、精度を求めるとか特殊な使い方(オーバートーン発振)をするには技術が必要でしょう。

水晶振動子は、水晶振動子片に電極を付けてパッケージに封入した部品です。
発振させるには何らかの回路が必要です。

水晶発振子(水晶発振器)は、振動子と発振回路をパッケージして部品化したもので、規定の電圧を加えれば規定の出力が得られます。

大きな違いは発信回路の有無です。
温度によって発信周波数が変化してしまうので、温度保証(補正)機能を持った発振器(TCXO)もあります。
使用する部品によっては内部に発振回路を持っているので、水晶(振動子)を外付けするだけで動作する部品(I...続きを読む


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