
No.4ベストアンサー
- 回答日時:
10Vで1.7MΩってだいぶ抵抗が高いですね。
Siでもドープ量の少ないものです。
こういった高抵抗のものは単に金属を蒸着して電極を付けても、
ましてやテスターの端子を押し付けただけでは、
オームの法則に従うわけがありません。
むしろショットキー接合に近い感じだと思います。
たぶん実際はオーム的接合とショットキー接合の中間くらいで非常に
やっかいです。
シリコンでも抵抗が高いと電気抵抗を測定するには、
ノウハウが必要です。
回答ありがとうございます。
ちゃんとやるのは大変なんですね・・・。
とりあえず今回はそのままデータを使用しました。
勉強しなおします。
ありがとうございました。
No.2
- 回答日時:
電流で比べて見てください。
おそらく使えるキャリヤーの数が限られていて、定電流特性を示すのでしょう。
電圧を上げると少しキャリヤーが増えて電流が微増しているのでしょう。
この回答への補足
回答ありがとうございます。
表示された抵抗値から電流を計算したところ(抵抗計を使用しているので抵抗値がでます)、
印加電圧10Vのとき6μA、1000Vのとき9μA でした。
電圧が100倍になる間に、電流は1.5倍にしかなりませんでした。
シリコンの純度が高く、電流を流すキャリアをもった不純物が足りない、
ということでしょうか。
この場合、正確な体積抵抗率を求めるにはどう測定したらよいでしょうか。
さらなるご回答いただけると助かります。
よろしくお願いいたします。
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