半導体製造工程で500℃近い熱がかかる工程とは?

半導体製造工程で500℃近い熱がかかる工程とは?

半導体素子を作る際、500℃近い熱がかかる工程があると聞いたのですが、
どの工程でしょうか?
私の知っている限り、半導体製造工程は、
レジスト塗布→露光→エッチング→イオン注入→平坦化→電極形成
です。

よろしくお願いします。

No.1 回答者： doc_sunday 回答日時： 2010/07/23 10:03

シリコンモノリスの製造過程は抜いちゃうの？

この回答へのお礼

実は、半導体の固定に使用する静電チャックについて調べています。
そのため、シリコン単体についての工程では、静電チャック材が絡まないため私が探している
500℃の工程ではないかと思います。
回答ありがとうございます。

お礼日時：2010/07/23 12:30

No.2 回答者： monta47 回答日時： 2010/07/23 10:30

はじめまして、よろしくお願い致します。

半導体の電極板（カーボン仕様）を製造するときに真空で（塩素も・・）
高熱をかけ樹脂を焼き、カーボンのみを残す手法です。

ご参考まで。

この回答へのお礼

回答ありがとうございます。
カーボン、ではないのかもしれません。
アルミナを使用していたような・・。
ありがとうございました。

お礼日時：2011/02/19 15:28

No.3 ベストアンサー 回答者： semikuma 回答日時： 2010/07/23 20:30

昔、半導体デバイスの研究をしていました。

といっても化合物半導体ですが。
『500℃近い』とは、室温よりも非常に高い温度という意味で使っていると思いますが、確かに化合物半導体にとっては高温ですが、Siデバイスにとってはむしろ低温のプロセスです。
なにしろ、先ず最初の表面酸化膜形成は確か1200℃くらいの筈ですから。
ちなみに化合物半導体にCVDで成膜する場合は350℃くらいです。

レジスト塗布後のベーキングはせいぜい200℃程度ですが、ドライエッチングでは300℃くらいに上がることもあります。
イオン注入はドーズ量が高いと基板温度が数百度になることもありますが、意図的に500℃以上に保って活性化率を高めることもあります。
その後の活性化アニールでは、シリコンでは800～1000℃くらい、化合物でも300～500℃くらいに昇温します。
近年ではランプアニールが主流ですが、この場合は化合物でも800℃くらいに上げることもあるようです。
電極も蒸着しただけでは接触抵抗が高いので、きちんと低抵抗のオーミック電極を取りたいときは、数百度でアニールします。

この回答へのお礼

表面酸化膜形成の工程かと思いましたが、
明らかに温度が違いますね・・・。
結論はわかりませんが、
必要な分野の情報ではなくなってしまったので閉めさせていただきます。
遅くなり申し訳ありません。
皆様ありがとうございました。

お礼日時：2011/02/19 15:30