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SiCのバンドギャップについて

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  • 質問者：mizunohonou
  • 質問日時：
  • 回答数：1件

こんにちは、
次世代パワー半導体であるSiCは、従来のSiに対して、バンドギャップが３倍であると言われております。バンドギャップが大きいと、どのような利点があるのでしょうか？また、短所はないのでしょうか？

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A 回答 (1件)

No.1ベストアンサー

  • 回答者： foobar
  • 回答日時：

メリットとして、チップ内部での電界を大きくできるので高耐圧化しやすい。


デメリットは、PN接合やショットキーバリアでの順方向電圧降下が大きくなる。
というのがあるかと思います。
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この回答へのお礼

お返事有難うございます。
解りました。

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お礼日時：2012/06/08 22:59

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