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添付図面
赤丸のMOSFET(Pch)が破壊されるときの原因はなんでしょうか?
中央の IC はMAX17126A というものです

基板実装時の半田不良等あるかとおもいますが、考えられうるケースを教えてください

※添付画像が削除されました。

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A 回答 (4件)

今晩は、



>外付けP-chMOSFEは μPA1914 というものです
>(ネットで検索すればデータシートありました)

 μPA1914のデータシートを確認できました。

>負荷条件(仕様)とはどういうものでしょうか?

 外付けP-chMOSFEは μPA1914のドレイン(AVDD)
から電力を供給する負荷の電流値、電圧値さらに負荷は抵抗性か?あるいは誘導性か?
または容量性か?というようなことです。

 それから、これは前回指摘すべきことでしたが、回路図に使われているC、R、Lの
値が記載されていません。
 また、step-up回路のスイッチング周波数も不明です。

 上記のような詳細な情報が不明ですが、P-chMOSFEが壊れるモードとしては可能性として

1)VDSがP-chMOSFEの最大絶対定格を超えてしまい、過電圧破壊に至る。
  制御ループの位相補償が適切でない場合、step-upコンバータの起動時の
 オーバーシュートが大きくなり定格のVDSを超えてしまった場合など。

2)Vgsが中途半端な電圧(スレッショールド電圧Vthより少し高い電圧近く)の状態
 の時にIdsが流れてかつVDSも大きな値の場合に最大許容電力を超えてしまい熱破壊に至る。

の2つが考えられます。
  
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この回答へのお礼

ありがとうございます
参考になりました

お礼日時:2012/07/21 17:46

以下の情報が必要です。



(1)外付けP-chMOSFEの型番および詳細仕様
(2)外付けP-chMOSFEの負荷条件(仕様)

上記の2つの情報が不明ですので原因を推定するのは
難しいです。情報の開示をお願いします。

この回答への補足

外付けP-chMOSFEは μPA1914 というものです
(ネットで検索すればデータシートありました)

負荷条件(仕様)とはどういうものでしょうか?

補足日時:2012/07/17 00:49
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ゲート前に直列と並列に抵抗の挿入とかですかね。

ダンピングと、電流を逃がすためです。
突入電流を抑える為に容量入れたいですが、発振する可能性があるので入れるのはあまりオススメしないです。

この回答への補足

回答ありがとうございます
もしよろしければ、「電流を逃す」「突入電流を抑える為に容量追加」「発振する可能性」
の詳細についてもご教授いただけますでしょうか?

補足日時:2012/07/17 00:51
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この回答へのお礼

ありがとうございます
参考なりました

お礼日時:2012/07/21 17:46

う~ん。

よくわかんないですが、
IC内部の電流源を直接ゲートに繋いでいるから、過電圧がかかった?

入力前段を考え直すとか。

この回答への補足

さっそくの回答ありがとうです
入力前段とし具体的にどのあたりでしょうか?

補足日時:2012/07/16 15:53
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エンハンストメント形のP-Channel PowerMOSFETを使って、ステッピングモータ用電源のON/OFF制御をしています。実験では問題なかったのですが、1年位使用していると、数個故障してしまうものがあります。
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FETはこれまで使ったことがないので、色々調べていますが良く判りません。
どなたか詳しい方、素人に判るように教えて下さい。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

>ドレイン側の過電圧ではないかと言われたのですが、このFETはD->Sに保護用のダイオードが内蔵されています。

ドレンソース間に入っている保護ダイオードは、逆接に対する保護(リレー等を接続した場合の逆起電力を含む)が目的です。
過電圧保護(ツェナーの役目?)をするものではありません。(^_^;)
http://www.necel.com/nesdis/image/D17231JJ2V0DS00.pdf

>電流容量もIDと同じです。
この意味がよくわからないのですが、前者がスペックで、後者が通電電流、という意味でしょうか?
通常は[ID]というとスペックを言うので、混乱します。(^_^;)

スペックと通電電流が同じくらいなら、ちょっと問題です。
データシートの、「ドレン電流とオン抵抗の図(P4)」を見てください。
ID(定格)の付近で、オン抵抗は急激に上昇します。
これにより、FETは過熱している可能性があります。
通常は、通電電流は定格の半分くらいにとります。

もうひとつ、ゲートドライブ電圧が十分あるかどうかも問題です。
「ゲート電圧とオン抵抗」の図を見てください。
十分なドライブ電圧がないと、オン抵抗は急激に上昇します。
前記と同様、熱破壊を起こす可能性があります。
熱破壊は、定格を僅かに超えている場合、ジワジワと起きます。

放射温度計を用いて、FETの表面温度を観測されることを、お勧めします。
動作中の温度を、データシートの、「ディレーティングファクタの図(P3)」と照合して、これを超えないように設計することが必要です。

参考URL:http://www.necel.com/nesdis/image/D17231JJ2V0DS00.pdf

>ドレイン側の過電圧ではないかと言われたのですが、このFETはD->Sに保護用のダイオードが内蔵されています。

ドレンソース間に入っている保護ダイオードは、逆接に対する保護(リレー等を接続した場合の逆起電力を含む)が目的です。
過電圧保護(ツェナーの役目?)をするものではありません。(^_^;)
http://www.necel.com/nesdis/image/D17231JJ2V0DS00.pdf

>電流容量もIDと同じです。
この意味がよくわからないのですが、前者がスペックで、後者が通電電流、という意味でしょうか?
通常は[ID]とい...続きを読む


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