今、2SC945というトランジスタを探しているのですが、製造中止になってしまったみたいなので同じような特性をもったトランジスタをさがしています。いま、片っ端からNPN型のトランジスタのデータシートを調べている状態ですが見つかりません。
探し方のコツなどあったら教えてください。

A 回答 (6件)

No.1です。



データシート探しました。

2SC945:
http://www5a.biglobe.ne.jp/~kozmos/D17117JJ2V0DS …

2SC1815:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/td/ja/Transisto …

<代替え品を選ぶにあたって>

1.絶対最大定格が、同じかそれ以上であること。
2.hfeが同じかそれ以上であること。
3.パッケージが同じであること。(特にピンアサイン)

普通のスイッチング用でしたら1~3で代替えの条件を満たします。

注)高周波的に使うのであればトランジション周波数等を考慮します。

No.2様、No.3様の言われる様にCQ出版からトランジスタ互換表が出ていますのでそれを参照する手もあります。
    • good
    • 0

2SC945は、2SC1815に較べてftが高いです。

高周波用途では代用できません。しかし、LEDを点灯させたり、とかなら問題はありません。

何に使うのですか?
    • good
    • 0
この回答へのお礼

フリップフロップでLEDを2つ交互に点滅させたかったのですが、1815では光りませんでした。でももしかしたら回路に不備があるかもしれませんね。
もういちど見直してみます。ありがとうございました。

お礼日時:2005/02/27 21:25

とりあえず 共立さんがもってるみたいです


http://www11.plala.or.jp/silicon/LIB/DATA/plist0 …

登録データが古いので 電話で確認してください。

上記データは 共立電子のシリコンハウス店です。
http://eleshop.kyohritsu.com/info/sellingpolicy- …

参考URL:http://www11.plala.or.jp/silicon/LIB/DATA/plist0 …
    • good
    • 0
この回答へのお礼

ありがとうございます。
アルみたいなので買いにいきます。

お礼日時:2005/02/27 21:21

2SC945は比較的メジャーな製品だと思ったのですが生産中止なのでしょうか?


製造元と思われるNECのサイトにもデータシートがありますし、特に生産中止となっているようには見えません。

もし生産中止となっているのであればCQ出版社からトランジスタ規格表&互換表と言う本が出版されています。
2SC945が掲載されているか分かりませんがもっていると便利な本かと思います。

参考URL:http://www.cqpub.co.jp/hanbai/books/44/44511.htm
    • good
    • 0
この回答へのお礼

今日、秋葉原に買い物に行ったのですが、そのようなことをいわれてしまいました。
お勧めいただいた本を見てみようと思います。まず#1さんが教えてくださったのを、実験してみることにします。ありがとうございました。

お礼日時:2005/02/23 17:50

一般的な使用用途であれば


♯1の方がおっしゃるように
2SC1815で代用出来ます

代替トランジスターは
トランジスター互換表という本があります
これを参考にして探せばいいでしょう
トランジスター規格表と同じ体裁だと思います
(昔はそうだった)
    • good
    • 0
この回答へのお礼

そんな便利な本が存在するのですね!!
勉強になりました。ありがとうございます。

お礼日時:2005/02/23 17:46

ハード設計18年。



確か、2SC1815で代用がきくと思います。
    • good
    • 0
この回答へのお礼

ありがとうございます。実験してみます。

お礼日時:2005/02/23 17:45

お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!

このQ&Aを見た人はこんなQ&Aも見ています

このQ&Aを見た人が検索しているワード

このQ&Aと関連する良く見られている質問

QトランジスタとFETについて

トランジスタとFETについて
それぞれの出力(Vo)は
トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V
FET:RDS(ON抵抗)に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流
この考えでよろしいのでしょうか?

Aベストアンサー

トランジスタ回路について
示された回路はエミッタフォロア回路でゲイン1倍のバッファアンプとして動作します。スイッチング動作はしません。
Vinが0.6V以上のときVoutはVin-Vbe(約0.6V)となります。

>コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか?

どういう動作をさせたいのかよく解りませんが
スイッチング動作させリレーやLED(負荷)などをON/OFFさせたいのなら、それらは電源とコレクタ間に配置しエミッタはGNDに接続します。

QPNP型、NPN型トランジスタなにが違うの?(特性?)

トランジスタでPNP型NPN型って動作特性がかわってくるんですか?なにがちがうんですか?(構造が違うのはわかりました。)
またトランジスタ選定するときは何を基準に選定すればいいですか?
また易しくおしえてください。宜しくお願いします。

Aベストアンサー

追加まで
ojinさんの回答にありますが、まずNPNとPNPでは周波数特性が大きく違うのです。どちらも2種類3個の半導体の接合で出来ていますね。
真ん中のPまたはNがベースになります。このベースに注入された電流「少数キャリヤ」が引き金となってエミッターからコレクターに数百倍の電流が
流れます。この少数キャリアが電子かホールで周波数特性が大きく異なるのです。電子の半導体中での移動度とホールの移動度を調べてみてください。
一桁ほど違いますから。当然、電子が早いですね。ということでNPNの周波数特性が良いのです。スイッチングも早くなるわけです。
周波数特性で選べばNPNということです。PNPも電位の関係で使いやすいのですが周波数の高いものには特性上だめですね。電源回路やオーデイオ回路、バイアス回路などには良く使います。
「少数キャリア:少数か多数かは素子がP型であればホールが多数、電子が少数、N型であれば逆です。」
参考程度まで

Q1Mhz~2Mhz程度の周波数で5W~10W程度の出力が可能なトランジスタかFETを探しています。

以前質問したのですが、別冊CQham radioのNO4に掲載の記事を元にして三菱のFETでRD06HVF1を使用して高周波アンプを作りました。 1Mhz~2Mhz程度の周波数での増幅ですが、出力部分のトロイダルコアを変更して(巻き数やコア等)色々と実験しましたがどのコアを使用しても1~5Mhzまでは出力が1.8Wまでしか出ません。

どうもこのFETは周波数帯は135~175MHz帯なので1Mhz帯は無理みたいです。このような条件で使えそうなトランジスタかFETをご存知の方がいたらお教えください。

宜しくお願いします。

Aベストアンサー

ドレイン損失が20W以上あるので1.8Wしか出せないと言うことはないはずです。
ただしインピーダンス設計が狂っていれば1.8Wしか出ない可能性はあります。
高周波用FETが低い周波数で使えないと言うこともありません。
出力が出ない状況はどんな風なのでしょうか。
ゲインが足りないのか、効率が悪いのかなどでチェックポイントが違ってきます。
データシートでは10MHzまでのSパラしか乗っていませんので実際に測定して値を決めるか、或いはある程度予想して調整していくしかないとは思います。

Qトランジスタの静特性と動特性

トランジスタの静特性と動特性の違いがよくわかりません。
また、静特性と動特性との間にはどんな関係があるのですか?

「静特性」や「動特性」で調べてみても、その言葉自体が既にわかっている前提で書かれているページばかりで困っています。
よろしくお願いします。

Aベストアンサー

静特性とはDC特性と言われるものです。
特性ですので、何かのパラメータを変数として、その結果何かの出力なりが変わると言うものです。DC特性ですので、時間軸を持たない特性になります。
例えばある任意のTrについて、IC-Vbe特性やVbeの温度特性などが良い例ですね。Icが変化したらVbeはどうなるか。温度が変化したら、Vbeはどうなるか。時間は問われていません。
逆に動特性とは過渡特性とも言えます。TrがOnからOffになるときの動作や、入力を振った場合の出力の変化など。これらはOn-Offや入力のスピードにも依存します。よって時間という概念も問われます。よって動特性と言います。

Qトランジスタ回路やFET回路は何パラメータ?

電子回路を勉強中の大学生です。

トランジスタやFETを使った回路は電気回路で勉強したZ,Y,H,G,Fパラメータのうち何パラメータで表されるのでしょうか?

たとえばエミッタ接地回路やソース接地回路にて、入力インピーダンスZinを求めるには、出力端子を開放して入力電圧vinを印加したときの入力電流iinからZinを計算します。また出力インピーダンスZoutを求めるには、入力端子を短絡して出力電圧voutを印加したときの出力電流ioutからZoutを計算します。

この計算方法は参考書やネットなどで非常によく書かれているものですが、どうも上記のパラメータに分類されないような気がします。

唯一似ているものとしてGパラメータがありましたが、G12=(iin/iout)vin=0 がエミッタ接地回路でも∞になってしまい、正解値hfeとはかけ離れてしまっています。

トランジスタやFET回路の場合このように計算する、という決まりなのでしょうか?

ご回答よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

>Z,Y,H,G,Fパラメータのうち何パラメータで表されるのでしょうか?
Z,Y,H,G,Fパラメータは、相互に変換できるのでどれを使っても良いのです。
どのパラメータを使用するのかは、応用のし易さ、測定のし易さで選べばいいのです。

例えば、二つの2端子対回路が有って、一つの回路の出力を次の回路につなげた時の全体のパラメータを計算する時にはFパラメータを使用すると計算が簡単になります。
例えば、ローパスフィルタの出力にハイパスフィルタを接続して、全体でバンドパスフィルタとする時などに応用できます。
この様な接続方法を縦続接続と呼びます。
こちらを参考に、
http://ja.wikipedia.org/wiki/%E4%BA%8C%E7%AB%AF%E5%AD%90%E5%AF%BE%E5%9B%9E%E8%B7%AF

低周波でバイポーラトランジスタのパラメータを求める時は、Hパラメータが良く使用されます。
それは、測定が容易になるからです。
エミッタ接地のベースをポート1、コレクタをポート2とした場合、ポート1のインピーダンスは低く、ポート2のインピーダンスは高くなります。
Z11の場合、Z11=V1/I1(ただし、I2=0)で測定しますが、I2=0とする為には測定の為にポート2(コレクタ)に接続するテスト回路のインピーダンスをポート2のインピーダンスよりも大きくする必要が有ります。(大きくないとI2=0にならない)
ポート2のインピーダンスは大きいのでテスト回路のインピーダンスはとても大きい値にする必要が有って実用的なものになりません。
H11の場合は、H11=V1/I1(ただし、V2=0)ですので、低インピーダンスのテスト回路で実現できます。
H22の場合は、H22=I2/V2(ただし、I1=0)なので、ベースのテスト回路を定電流回路で実現できます。

FETの場合、入出力ともにインピーダンスが高いので測定条件としてV1=0、V2=0で測定するYパラメータが使用されます。

高周波の場合は、ほとんどの場合にSパラメータが使用されます。
http://ja.wikipedia.org/wiki/S%E3%83%91%E3%83%A9%E3%83%A1%E3%83%BC%E3%82%BF
それは、V1=0、V2=0やI1=0、I2=0の条件がを実現するのが困難になるからです。
V1=0とする為には低インピーダンスの回路でショートする必要が有りますが、ほんのわずかの電線でもインピーダンスを持つ為完全なショートを実現するのは困難です。
また、I1=0のほうは、全ての部品がキャパシタンスを持つのでインピーダンスを無限大にするのは困難です。

>Z,Y,H,G,Fパラメータのうち何パラメータで表されるのでしょうか?
Z,Y,H,G,Fパラメータは、相互に変換できるのでどれを使っても良いのです。
どのパラメータを使用するのかは、応用のし易さ、測定のし易さで選べばいいのです。

例えば、二つの2端子対回路が有って、一つの回路の出力を次の回路につなげた時の全体のパラメータを計算する時にはFパラメータを使用すると計算が簡単になります。
例えば、ローパスフィルタの出力にハイパスフィルタを接続して、全体でバンドパスフィルタとする時などに応用できま...続きを読む

Qトランジスタの静特性 Ic-Vce特性

実験で原因がよくわからない結果が出て悩んでいます。
↓結果
http://hmw3.ee.ous.ac.jp/tran.bmp

Ic-VCE特性を測定したんですが普通ならVceがもっと低い電圧で
鋭く立ち上がると思うんですが、非常に緩やかな立ち上がりになりました。こういった特性のトランジスタが存在するんでしょうか?
それともただの故障してるだけなんでしょうか?
よろしくお願い致します

Aベストアンサー

>Vceがもっと低い電圧で鋭く立ち上がると思うんですが

電流増幅率の小さいトランジスタの場合、活性領域(Ic が Vce によらず一定となる部分)でのコレクタ電流がもともと小さいので、飽和領域(Ic が Vce に比例して増える部分)の傾斜は当然小さくなります。普通、飽和領域の抵抗(Vce/Ic)は10Ω程度ですが、このトランジスタは100Ωと大きいようです。飽和領域の幅(Vceの幅)が大きいのは、そのトランジスタが増幅できる電流の限界に近づいているからだと思います( ib が大きいほど飽和領域が広くなってくる)。以下に書きましたが、実験のコレクタ電流 Ic の範囲で、電流増幅率が Ic とともに低下しているので、特性の上限に近い部分で動作しているものと思われます。実験で使ったトランジスタの型番が分かれば正常かどうか分かると思いますが、これだけでは何とも判断しかねます。ただ、添付図(http://hmw3.ee.ous.ac.jp/tran.bmp)を見たろ、気づいた点が2つあります。

(1) Vce<1V の領域で特性が重なっている
Vc が小さい領域では電流増幅率が下がってくるので、Ic-Vce特性は原点(Ic = 0、Vce = 0) を通る直線状になりますが、緩やかに下がるので特性が重なることはないはずです。重なるというのは ib を増やしても Ic が増えない → 電流増幅率がゼロ?

(2) Vce = 10V のとき、ib を増やすほど電流増幅率が低下している
     ib = 200uA のとき Ic = 10mA → Ic/ib = 50
     ib = 400uA のとき Ic = 15mA → Ic/ib = 38
     ib = 600uA のとき Ic = 17mA → Ic/ib = 28
2SC1815などの小信号用トランジスタは、Vce が10Vと高ければ、広範囲の Ic にわたって電流増幅率が一定です。資料 [1] にある 2SC1815 の hfe-Ic 特性のように、Ic = 0.1mA~100mA まで hfe はほぼ一定です。ただ、高耐圧トランジスタは、Ic の増加と共に hfe が下がる傾向があります。資料 [2] にある 2SC3138 の hfe-Ic 特性は Ic が 15mA を超えると hfe が急減します。これは同ページの上にある Ic-Vce特性からも分かるように、上側ほど特性がつまってきています( ib を増やしてもそれに比例して Ic が増えない)。実験で使ったトランジスタがどういうものか分かりませんが、高耐圧用(Vcboが150V以上)ならばそういう傾向があるかもしれません。

[1] 2SC1815データシート(2ページ hfe-Ic特性) http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/2SC1815_ja_datasheet_071101.pdf
[2] 2SC3138データシート(3ページ hfe-Ic特性) http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/2SC3138_ja_datasheet_071101.pdf

>Vceがもっと低い電圧で鋭く立ち上がると思うんですが

電流増幅率の小さいトランジスタの場合、活性領域(Ic が Vce によらず一定となる部分)でのコレクタ電流がもともと小さいので、飽和領域(Ic が Vce に比例して増える部分)の傾斜は当然小さくなります。普通、飽和領域の抵抗(Vce/Ic)は10Ω程度ですが、このトランジスタは100Ωと大きいようです。飽和領域の幅(Vceの幅)が大きいのは、そのトランジスタが増幅できる電流の限界に近づいているからだと思います( ib が大きいほど飽和領域が広くなってく...続きを読む

QFET 電解効果トランジスタについて

電解効果トランジスタのチェック方法が知りたくて困っています

普通トランジスタのように
アナログテスタで簡単にチェックできるようなものなのでしょうか・・・?

ちなみにK30Aです

Aベストアンサー

2SK30はゼロバイアスでも電流が流れますので、DC的なスイッチ特性をテストするにもマイナス電源が必要になります。
テスターが2台あるとか、或いは乾電池を使うとか。

テスターでドレインとソース間の抵抗を測るように(ドレイン側が+になるように)接続します。
ゲートとソースは接続しておきます。
この状態では比較的低い抵抗値を示すと思います。
次に、
ソースに乾電池の+を、ゲートに乾電池の-を接続するとテスターで測る抵抗値は高くなるはずです。

実際にDC特性に合致しているかどうかはドレイン-ソース間抵抗ではなく電流を測らないといけませんので、更に電源が必要になります。

Qnpnトランジスタ

エミッタ接地で使用するときVce=0のときIc=0になるのは何故ですか?
ベース接地で使用するときVcb=0でもIc=0になるとはいえないのは何故ですか?
どうかオフセット電圧について分かりやすく教えて下さい!

Aベストアンサー

難しく説明すると分からなくなるかも知れませんので
簡単に説明しますね。

どこを接地するかなんてどうでも良いんで、とにかく
●npnトランジスタはベースの電位をエミッタの電位
より0.6[V]程度高くすればコレクタ-エミッタ間が
ショートする
●pnpトランジスタはベースの電位をエミッタの電位
より0.6[V]程度低くすればコレクタ-エミッタ間が
ショートする

とだけまず覚えて下さい。


次に、エミッタ接地でVce=0にした場合について説明
します。もし仮にVbe≧0.6[V]であった場合、コレクタ
エミッタ間はショートします。そのため、もし仮に
コレクタにVceが加えられた場合、I=Vce/Rceの電流が
接地面(GND)へ流れ込む事になります。しかしVce=0
の場合は、エミッタ電位は当然0[V]ですしコレクタ
電位も0[V]なので、コレクタ-エミッタ間はただ
つながってるだけで当然電流(Ic)は流れません。

また、ベース接地でVcb=0[V]にした場合ですが、
Icを流したい場合はVcbなど全然関係無く、
(1)エミッタ電位を-0.6[V]以下にする
(2)Vceを印加する
さえ満たしていれば良いです。従ってVcb=0でもIc=0
になるとは言えません。

難しく説明すると分からなくなるかも知れませんので
簡単に説明しますね。

どこを接地するかなんてどうでも良いんで、とにかく
●npnトランジスタはベースの電位をエミッタの電位
より0.6[V]程度高くすればコレクタ-エミッタ間が
ショートする
●pnpトランジスタはベースの電位をエミッタの電位
より0.6[V]程度低くすればコレクタ-エミッタ間が
ショートする

とだけまず覚えて下さい。


次に、エミッタ接地でVce=0にした場合について説明
します。もし仮にVbe≧0.6[V]であった場合、コレクタ
エ...続きを読む

Qトランジスター2SC3355が不良で取り替えるのにどう言うトランジスタ

トランジスター2SC3355が不良で取り替えるのにどう言うトランジスターを使えば良いのでしようか。教えて下さい

Aベストアンサー

トランジスタ互換表によれば2SC3355は2SC5230,2SC2671(F)と互換となっております。
規格表は2006/2007版なので参考までに。

Qトランジスタ:NPN コレクタについて

トランジスタのコレクタ領域について質問です。コレクタ領域には、低濃度コレクタ領域と高濃度コレクタ領域があり、コレクタ抵抗を減少することができるとのことですが、どうしてでしょうか?濃度と抵抗との関係が理解できません。宜しくお願い致します。

Aベストアンサー

不純物濃度を上げると自由電子(または正孔)ガ増え電流が流れやすくなり電気抵抗が減ります。

しかしコレクター全体を高濃度にするとトランジスターとしての性能が低下します。
そこでコレクター領域を不純物の低濃度と高濃度の2層構造にして、
トランジスターの性能を低下させずに、コレクター抵抗をさげているわけです。


人気Q&Aランキング