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通常、抵抗率Rは、抵抗率をp(ロー)、長さl(エル)、面積Sとして、R=p×(l/S)と計算されることは広く知られています。
そこで質問です。
円錐のような形状の金属や半導体の場合、抵抗値はどのように計算することができるのでしょうか?
抵抗率は物質によるものなので、調べればわかりますが、円錐の形状の場合、単純に(l/S)では求まらないと思っています。
実際に計算したことのある方や、専門家の方からの回答をお願いします。

A 回答 (4件)

 間違っていました。

ごめんなさい。
 
 修正式
 R=インテグラル(L1からL2)[ρ×1/{(LA)の2乗}π]dL
 では、求まらないのでしょうか。

 ご存知のとおり、この式では「底面間」の抵抗値しか計算できないと思います。この場合、ΔSは考慮しなくて良いのでは。
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 円錐の頂点からの開口角[表現は正しくないかも。

ようするに平面図上の頂点からの円錐(平面図上では2等辺三角形)の開いた角度]をθとすれば、頂点からLの距離のSは「{Lタンゼント(θ/2)}の2乗×π」で求まります。
 したがって、「タンゼント(θ/2)}」をAと置けば、
 S={(LA)の2乗}π
 したがって、求める抵抗値Rは
 R=インテグラル(L1からL2){p×L/[{(LA)の2乗}π]dL
 では、求まらないのでしょうか。
 
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積分すれば算出できると思います。


 ΔR=p×(ΔL/S)の関係がわかっているのですから、円錐の形状(LとSの関係式)がわかれば、Lの範囲を指定して、円錐の頂点と底面間の抵抗値は計算可能だと思います。
 その他の指定点間の抵抗値はご了承ください。(私も時間がないとわかりません)
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この回答へのお礼

確かにΔRとして計算することによって求まるかもしれません。ヒントをいただいたと感じています。
積分の概念と円錐の形状を考えると、抵抗値Rは微小長さΔLと、それに依存するΔSとして計算することができるかもしれないです(つまり、ΔSを微小長さΔLの関数とする)。円形の微小面積の抵抗値がわかれば、円錐の抵抗値を計算することができるかもしれないです。
ありがとうございました。

お礼日時:2005/07/12 23:52

端子を繋ぐ場所によって抵抗値は変わります.



方針としては電池の+側につないだ部分をV[V]
-側につないだ部分を0[V]として
その境界条件の下で内部の電場or電位を
求めれば抵抗値は出ます.

ただ,頂点と底面の中心の2点に端子をつけるのでは
解析的に解けそうにないので,
今は頂点を+極,底面全体を-極とするのがよいように思います.


電磁気学をやらなくなって久しく,
実際解いてはいないのであしからず.
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この回答へのお礼

「内部の電場or電位」から抵抗値を出す方法を私は知りません。もしよければ、教えていただけませんか?

底面全体を-極とすれば、解析的にも解けるのでしょうか?それはやはり、電場や電位から求めるということになるのでしょうか?

宜しくお願いします。

お礼日時:2005/07/12 23:58

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