燃焼ガスの酸素濃度計がオーバースケールしてしまいました。
ガス成分の分析したところ臭素濃度が高く、これが原因と判断
しました。
どなたか、臭素対策がされた酸素濃度計をしりませんでしょうか

質問カテゴリー違反でしたらごめんなさい。
適当なカテゴリー(プラントエンジニアリング)がありません
できたので、このカテゴリーで質問させていただきました。

A 回答 (1件)

どなたからも回答が無いようなので解る範囲で。



臭素の場合は未経験なのですが、燃焼ガス中に妨害ガス
が多く含まれる場合、定置型なら選択範囲が広がり
ます。

例えば、横河電気や島津製作所辺りのを私の会社では
使っていました。
パンフレットを取り寄せ、営業員に自社の燃焼ガスを
サンプリングさせて確認してみるのは如何でしょう?

参考URLに横河の商品が載っているページを記入して
おきますね。(掲載各社一覧のページには、環境関係
計測機器各社が掲載されていますから、それも参考に
どうぞ)

参考URL:http://www.jaima.or.jp/souran/detail.php3?no=824
    • good
    • 0
この回答へのお礼

ありがとうございます。
参考URL、大変役立ちそうです。
早速、調べて見たいと思います。

お礼日時:2002/01/23 06:54

お探しのQ&Aが見つからない時は、教えて!gooで質問しましょう!

このQ&Aを見た人が検索しているワード

このQ&Aと関連する良く見られている質問

Q化合物半導体の電子親和力

金属-化合物半導体接触のショットキー障壁を見積もるため金属の仕事関数(フェルミ準位と真空準位との差)と化合物半導体の電子親和力(伝導体底と真空準位との差)を調べています。
金属の仕事関数は文献で調べられたのですが、化合物半導体の電子親和力はどうしても見つけることができません。適切な文献やサイトをご存知の方がいらしたら教えてください。また、計算により求めることができるのであれば、その方法についても知りたいです。
尚、対象としている化合物半導体は、GaN、SiC、GaAsなどのワイバンドギャップ半導体です。

Aベストアンサー

コンタクトの問題は、ドーピング状態などもからんできますから、やはり論文を
あたられたほうがいいかもしれません。

主要な論文の検索サイトを下にまとめておきます。

1) Physical Review, Applied Physics Letters, JJAP等の物理系論文検索
http://scitation.aip.org/
上記検索でSPINも含まれるように、BOTHを指定して検索すれば、
Nature等も含まれるようになる。
ただし、SPINは検索にもIDが必要。

2) Journal of Crystal Growth, Thin solid Films等の
Elsevier出版の論文検索
http://www.sciencedirect.com/

3) Electron Device Letters等のIEEE論文検索
http://ieeexplore.ieee.org/Xplore/dynhome.jsp

4) 電子情報通信学会誌(和文)
http://search.ieice.org/

5) 電気学会誌含む日本の論文誌検索(和文あり)
http://www.jstage.jst.go.jp/browse/-char/ja

6) Japanese Journal of Applied Physics検索
http://www.ipap.jp/jjap/online/index.htm
※たしかScitation&SPINではJJAPの検索はできても
本文はダウンロードできない。こちらのサイトからなら
ダウンロードも可能

※SPINを除く多くのサイトは、検索、アブストラクトの
閲覧までは無料でできます。また、大学によっては各
サイトと包括契約を結んでいるので、学内からアクセス
すると本文をpdfでダウンロードできる場合があります。
(私は、もう長らく冊子体の論文誌をコピーしていません)

※日本応用物理学会の英文論文誌であるJJAPを個人購読
すると、SPINのアクセス権が得られます。
http://www.jsap.or.jp/join/spin.html

コンタクトの問題は、ドーピング状態などもからんできますから、やはり論文を
あたられたほうがいいかもしれません。

主要な論文の検索サイトを下にまとめておきます。

1) Physical Review, Applied Physics Letters, JJAP等の物理系論文検索
http://scitation.aip.org/
上記検索でSPINも含まれるように、BOTHを指定して検索すれば、
Nature等も含まれるようになる。
ただし、SPINは検索にもIDが必要。

2) Journal of Crystal Growth, Thin solid Films等の
Elsevier出版の論文検索
http://www.sc...続きを読む

Q溶存酸素濃度と飽和溶存酸素濃度について

溶存酸素濃度と飽和溶存酸素濃度について,3点教えて頂きたく思います。

1.気液平衡状態において,液相(水)中の溶存酸素濃度は,ヘンリーの法則にしたがって気相中の酸素分圧に比例すると習いました。一方,飽和溶存酸素濃度は,気相中の酸素分圧に依存するのでしょうか?

2.水中の飽和溶存酸素濃度は,水温が高くなるほど小さくなると習いました。一方,気液平衡状態における溶存酸素濃度も,水温が高くなるほど小さくなるのでしょうか?実際に沿岸域の水中で溶存酸素濃度を連続観測したところ,水温が高い時期に溶存酸素濃度が低くなる現象が見られましたので,不思議に思いました。

3.大気中に気体として存在できる水蒸気の分圧には上限があります。地球の大気では意識することはありませんが,酸素の分圧にも上限があるのでしょうか?

どうぞよろしくお願い申し上げます。

Aベストアンサー

> 2.がそうなる理由・原理のようなものがわかると,さらに助かります。

いや,繰返しなんだけど,飽和と平衡って同じことだと.
飽和ってのは,これ以上溶けない.それはなぜ溶けないのかというと,その条件での平衡に達したからってこと.当然,平衡条件が変われば,飽和量も変わる.
河川や海洋の酸素濃度が飽和値より低いのであれば,それは非平衡だから,ということ.理由はともかく.なので,飽和値までは増える可能性がある.途中で酸素を大量消費するような現象がおこれば別ですが.
非平衡であっても,基本的には平衡状態に近づこうとしてるわけだから,低温の方が高温の時より溶解量が高くなりやすいのは同じ.局所的,一時的には例外もあるかもしれないけど,基本的には高温の方が濃度は低く出る傾向になるのは,ある意味,ごく自然な話.

Q【半導体製造】身近に使っている電化製品について考えたことはありますか?

【半導体】身近に使っている恩恵を受けている
電化製品の半導体の知識や半導体について
考えたことはありますか?

(参考)
半導体製造プロセス
http://www.screen.co.jp/spe/technical/process.html
初心者のための半導体入門
http://www.screen.co.jp/spe/technical/guide/index.html
真空ポンプの基礎知識 > メカニカルブースターポンプ
http://www.shinku-pump.com/vacuumpump/mechanical/
http://www.shinku-pump.com/vacuumpump/
http://www.shinku-pump.com/





1)ある 2)ない 3)その他

Aベストアンサー

1)
その業界の人間なんで、考えてないと(金稼いで)生きていけない。

#
真空ポンプなんかより「露光装置」とか「ステッパー」の方が重要だと思うけど、なぜそのURLはないの?
「半導体」っていっても一言ではすませられないくらい材質等もあるわけで、要素技術も色々だけど、それらのURLも提示すべきじゃないかな?

Q水分を含んだガス中の酸素濃度を知りたいです。

水素・窒素ガスに水分を含ませ高温雰囲気中での酸素濃度がいくらになるかを
計算したいです。
ご助言お願いします。

例えば
 水素・窒素の比率が 3:7の混合ガス
 上記 ガスを 25℃の水槽を通し ウエットガスとして、
 600℃ 雰囲気中に 入れたときに
 酸素の濃度はどれくらいになると計算できますでしょうか。
 (水分として含まれるH2OとH2とO2の平行について考えればよいのかと思いますが、
  よろしくお願いします。)

Aベストアンサー

水は2000℃以上になって初めて酸素と水素に分解します。600℃での水の分解は考えられません。酸素濃度はゼロということになります。
下記のURLを参考にしてください。

http://subsite.icu.ac.jp/people/yoshino/NStempchange.html

Q真空電子デバイス

真空中は電子の移動抵抗が低くなる事に着目した考えのようで、半導体などへの応用が研究されているようです。

これは実際にデバイスのある部分に真空構造を造り込むという事なのですか?そんな事できるのですか?題記のデバイスの意味がよくわからず困っています。非常に初歩的な質問で恐縮ですが、ご存知の方は是非教えてください。

Aベストアンサー

ここのHPを覗いてください。
判りやすく解説していますよ。

http://device.eng.toyama-u.ac.jp/microd/ouyou.html

参考URL:http://device.eng.toyama-u.ac.jp/microd/ouyou.html

Q濃度計算(ガス濃度 50ppm)

濃度50ppmの酢酸ガスを10L作成するために、液うちで酢酸を注入したい。酢酸を何uL注入するのが良いか。環境条件は標準状態。
ガス化の濃度計算になれていないため困り果てております。仕事で必要です。お知恵をお貸しください、よろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

10Lの50ppm(体積基準)は
10*50*10^-6=5*10^-4L
で、これは標準状態で
5*10^-4/22.4=2.2*10^-5モル
です。酢酸の分子量が60なので質量としては
2.2*10^-5*60=1.3*10^-3g
です。密度がよく判りませんが100%酢酸の体積
だと1μLそこそこでしょう。

数字上はこうなりますが、実際やってみると決めた量がきちんと
入らなかったり、容器への吸着など、精度よくできるかどうか。

50ppm付近で濃度がはっきりしたものができればいいのであれば、
濃いめのを作って濃度を測りながら薄めていく手もありとは思います。
濃度は酸塩基滴定で測るのかな~?

Q半導体工学

p型半導体、n型半導体のそれぞれの場合において、ショットキー接触の場合、金属と半導体のどちら側に正電圧を印加すれば順バイアス状態となりますか??

Aベストアンサー

ショットキー障壁ができるのは、n型半導体では、図1のように、金属の仕事関数 φm が半導体の仕事関数 φs より大きい場合で、電子に対して障壁ができるような状況です。p型半導体では、図2のように、φm < φs の場合で、正孔に対して障壁ができるような状況です。

           金属   n型半導体
  真空準位  ┬   ┬
          |   φs
          φm   ↓
          |     \ ← 電子に対する障壁
 フェルミ準位 ↓___  \ - - - ← 電子
                    ̄ ̄ 伝導帯下端
               \
                 \__ 価電子帯下端

【図1 n型半導体でショットキー接触となる場合】

           金属    p型半導体
   真空準位 ┬    ┬
          |    |   / ̄ ̄ 伝導帯下端
          φm    φs /
 フェルミ準位 ↓___|    __ 価電子帯下端
                |  / ++++ ← 正孔
               ↓/← 正孔に対する障壁

【図2 p型半導体でショットキー接触となる場合】

これらに対して、順バイアスとなるのは、障壁が小さくなる方向にバイアスした場合です。金属-n型半導体系だと、半導体側のエネルギーを上に持ち上げる方向になります(バンド図の上側というは、電子エネルギーを増加させる方向なので、-の電圧を増やす方向)。つまり、金属側に+の電圧を加えるのが順バイアスになります。

金属-p型半導体系はその逆で、半導体側のエネルギーを下に押し下げる、つまり+の電圧を半導体側に加える方向になります。

ショットキー障壁ができるのは、n型半導体では、図1のように、金属の仕事関数 φm が半導体の仕事関数 φs より大きい場合で、電子に対して障壁ができるような状況です。p型半導体では、図2のように、φm < φs の場合で、正孔に対して障壁ができるような状況です。

           金属   n型半導体
  真空準位  ┬   ┬
          |   φs
          φm   ↓
          |     \ ← 電子に対する障壁
 フェルミ準位 ↓___  \ - - - ← 電子
   ...続きを読む

Q揮発性物質の溶液濃度とヘッドスペースガス中濃度の関係

揮発性物質の溶液濃度とヘッドスペースガス中濃度の関係
臭気分析の初心者です。
密封バイアルにメチルメルカプタン水溶液を入れたとします。溶液中のメチルメルカプタンの濃度と、ヘッドスペースガス中のメチルメルカプタンの濃度は比例するのでしょうか?
例えば・・・仮に10%メチルメルカプタン水溶液のヘッドスペースガス中のメチルメルカプタンの濃度が100ppmだった場合、5%メチルメルカプタン水溶液のヘッドスペースガス中のメチルメルカプタンの濃度は、50ppmになるのでしょうか?

Aベストアンサー

手元に資料がないので、記憶で答えます。他の揮発成分をヘッドスペース法で分析したことがありますが、GC分析にかけると直線性がありました。 このとき、バイアル瓶の上部で凝縮がおこると結果に影響が出る可能性があるので注意(バイアル瓶の保温など)が必要です。 また、原理は単蒸留の原理(気液平衡)で説明できると思っています。したがって、質問の領域で液相の濃度と気相の平衡濃度が直線近似できるかどうかの問題です。 物理化学か化学工学のテキストで確認してみてください。

Q半導体部品、半導体製造装置とは

半導体製造装置とは、半導体部品(トランジスタなど)又は半導体装置の製造装置のことですよね。

だとしたら、なぜ、「半導体部品(又は半導体装置)製造装置」といわないで、
「半導体製造装置」と言っているのでしょうか?

Aベストアンサー

シリコンウェーハなどの材料基板上に半導体素子(デバイス)を形成する機械が「半導体製造装置」であり、切り出してパッケージングして「部品」にする機械とは違うと思いますよ。
パッケージングまで一気にしてしまう設備もあるかと思いますが、それは各装置の集合体であって、工程によって呼び名は変わるものかと思います。

Q臭素ガスの作用

臭素ガスが金属を腐食または錆びさせると言いますが、それは何故でしょうか?
どんなプロセスで腐食していくのでしょうか?

Aベストアンサー

38endohさんの回答で間違いないと思いますが、ちょっと補足しておきます。
一般的には、「酸素と結びつくこと」=「酸化」と考えられ勝ち(?)ですが、ご承知のこととは思いますが、化学の分野では「電子を奪われること」=「酸化」と考えます。
つまり38endohさんの仰る「臭素は臭化物イオンになりやすい」というのは「臭素は他の原子から電子を奪い易い(奪った結果、臭化物イオンになります)」ということです。
「これは水に溶け,腐食が進みます。」とありますが、このことも重要で、一部の(酸素と結びついた)酸化物【例、酸化鉄:黒錆び 酸化クロム:ステンレスの防食原理】は、水に溶けにくいので、表面の保護皮膜として働き、腐食の防止剤(防食)として利用されますが、臭化物の多くは水に溶けるため、どんどん酸化が進み腐食していくことになるのです。


人気Q&Aランキング

おすすめ情報