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電気を勉強しているものですが、しきい電圧とは
どのようなものか分かりません。
もしよろしければおしえてください。

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A 回答 (5件)

半導体での意味ではどうように使われるのか?


N形半導体とP形半導体が接合されている場合、低い電圧では電子の移動がない(電流が流れず絶縁された状態)のですがN形半導体とP形半導体の間に加わる電圧が高くなり『しきい電圧』(通常はしきい値電圧と呼ぶと思うのですが・・・)を超えると電子の移動が始まり電流が流れます。
皆さんが回答しているとおりです。

参考URL:http://www.infonet.co.jp/ueyama/ip/semi_cnd/tran …
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すごく簡単に図にするとこんな感じではないですか?


※表示フォントに気をつけてください。

出力
↑   __1V
|  |
|  |
|__|0V
+-----→入力
0V 1 2V

入力電圧を0V→2Vへ変化させていく途中、入力=1Vの地点で出力が0V→1Vに変化したとします。
このときの入力電圧=1Vが閾値電圧です。
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 「閾値電圧」のことを仰っているのでしたらこちら↓


http://semiconductor.seesaa.net/article/597154.h …

参考URL:http://semiconductor.seesaa.net/article/597154.h …
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出てきた分野によって若干意味が変わります。


たぶんスレッショルドの事と思うけど
http://www.wdic.org/w/SCI/%E3%82%B9%E3%83%AC%E3% …
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どのような時に使われ方をしているのかもう少し詳しく教えて頂ければ良いのですが・・・


私の知っている使われ方としては半導体などで動作し始める電圧やある電圧範囲を持った回路で動作し始める電圧の時に使っています。

この回答への補足

すいません。
半導体での意味ではどうように使われるのか教えてください、
よろしくお願いします。

補足日時:2006/06/11 16:52
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Aベストアンサー

spectreは持ってませんのでフリーのspiceシミュレータLTSpiceを使った例で説明します。(こちら http://yahoo.jp/box/zPv9l6 にアップした資料を参照して説明します。)

1)回路は資料のようにまず、FETのゲートとソースの間に電圧源(この場合、V_gs)を接続します。またドレインとソースの間には別のDC電源(V1)を接続します。

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また、回帰分析の数字の意味が良く分からないのですが、
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Aベストアンサー

★回答
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・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
・になります。ようするに 10 を n 乗すると元の数字になるための指数表記のことですよ。
・よって、『2.43E-19』とは?
 2.43×1/(10の19乗)で、
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補足:
・E+数値は 10、100、1000 という大きい数を表します。
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・数学では『2.43×10』の次に、小さい数字で上に『19』と表示します。→http://ja.wikipedia.org/wiki/%E6%8C%87%E6%95%B0%E8%A1%A8%E8%A8%98
・最後に『回帰分析』とは何?下の『参考URL』をどうぞ。→『数学』カテゴリで質問してみては?

参考URL:http://ja.wikipedia.org/wiki/%E5%9B%9E%E5%B8%B0%E5%88%86%E6%9E%90

★回答
・最初に『回帰分析』をここで説明するのは少し大変なので『E』のみ説明します。
・回答者 No.1 ~ No.3 さんと同じく『指数表記』の『Exponent』ですよ。
・『指数』って分かりますか?
・10→1.0E+1(1.0×10の1乗)→×10倍
・100→1.0E+2(1.0×10の2乗)→×100倍
・1000→1.0E+3(1.0×10の3乗)→×1000倍
・0.1→1.0E-1(1.0×1/10の1乗)→×1/10倍→÷10
・0.01→1.0E-2(1.0×1/10の2乗)→×1/100倍→÷100
・0.001→1.0E-3(1.0×1/10の3乗)→×1/1000倍→÷1000
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Aベストアンサー

参考URLのトランジスター(エミッタ接地)増幅回路について
Ic-Vce特性と負荷線の図を見てください。
参考URL:
ttp://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

(1)
バイアス電圧を調整して図4の動作点(橙色の点)をVbe特性の中心に設定してやり、その動作点を中心に入力電圧Vbeを変化させてやるとVceとIcが負荷線上で変化して動きます。入力電圧Vbeが増加すると出力電圧Vceが減少し、入力電圧Vbeが減少すると出力電圧Vceが増加します。つまり出力電圧波形の位相は入力電圧の位相が逆になります。つまり、入出力波形の位相が反転することになります。

(2)
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お分かりになりましたでしょうか?

参考URL:http://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

参考URLのトランジスター(エミッタ接地)増幅回路について
Ic-Vce特性と負荷線の図を見てください。
参考URL:
ttp://www.kairo-nyumon.com/analog_load.html

(1)
バイアス電圧を調整して図4の動作点(橙色の点)をVbe特性の中心に設定してやり、その動作点を中心に入力電圧Vbeを変化させてやるとVceとIcが負荷線上で変化して動きます。入力電圧Vbeが増加すると出力電圧Vceが減少し、入力電圧Vbeが減少すると出力電圧Vceが増加します。つまり出力電圧波形の位相は入力電圧の位相が逆になります。つまり、入出力波...続きを読む

QLED(発光ダイオード)の電圧降下はなぜ色によって違うのか?

タイトル通りなんですが、LED(発光ダイオード)の電圧降下はなぜ色によって違うのでしょうか?

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閾値(しきい値)という言葉があります。物理だけでなく、生物の反応、画像処理など色々なところで使われます。
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Q金属、半導体の抵抗の温度変化について

金属は温度が高くなると抵抗が大きくなり、半導体は温度が高くなると抵抗が小さくなるということで、理論的にどうしてそうなるのでしょうか。
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あと自分で調べていたところ「バンド理論」というのを目にしました。
関係があるようでしたらこれも教えて頂くとありがたいです。

Aベストアンサー

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体の中において金属の自由電子に相当するものは、電子とホールです。この2つは電流を担う粒子ですので、「キャリア」(運ぶ人)と言います。
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中性の水溶液の温度が高くなると、H2O が H+ と OH- とに解離しやすくなり、H2O に戻る反応が劣勢になります。
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キャリアが増えるので、電流は流れやすくなります。

こんにちは。

>>>金属については、温度が上がると粒子が熱振動し自由電子が流れにくくなるというようなことを聞いたことがありますがあっていますか?

だいたい合っています。
金属については、温度が上がると正イオン(自由電子が引っこ抜かれた残りの原子)の振動が激しくなるので、自由電子が正イオンに散乱されます(進路を乱されます)。
それをマクロで見たとき、電気抵抗の上昇という形で現れます。

>>>半導体についてはまったく理由がわからないので詳しく教えて頂くとありがたいです。

半導体...続きを読む

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少し疑問に思ったことなのですが、理想的なCMOSインバータは電源電圧をVdd、しきい電圧:Vthとしますと、
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上式のような値をしきい電圧がとるのが理想的だと調べて知ったのですが、ネットで探しても探しても「理想的です。」と書かれているだけで、具体的にどういう理由でVdd/2が理想的なのかが分かりません。
極端にしきい電圧が低かったり高かったりするのは想像して都合が悪いのはわかりますが、電源電圧の1/2付近の値が理想的でなくて、ぴったり1/2が理想的になる理由が思いつきません。
ぜひ、お力を貸していただけないでしょうか。

Aベストアンサー

1/2の時にノイズマージンが最大になるからです。

Vdd=10V , Vth=6V の時を考えてみましょう、信号に4.5Vのノイズが乗った場合"L"レベルは最大4.5Vまで持ち上げられますが"L"レベルは確保されますのいいですが、"H"レベルは最小5.5Vとなり"H"レベルを維持できません。

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どうぞよろしくお願いいたします。

Aベストアンサー

No1 の回答の式より
 E = hc/λ[J]
   = hc/eλ[eV]
となります。
波長が nm 単位なら E = hc×10^9/eλ です。
あとは、
 h = 6.626*10^-34[J・s]
 e = 1.602*10^-19[C]
 c = 2.998*10^8[m/s]
などの値より、
 E≒1240/λ[eV]
となります。

>例えば540nmでは2.33eVになると論文には書いてあるのですが
>合っているのでしょうか?
λに 540[nm] を代入すると
 E = 1240/540 = 2.30[eV]
でちょっとずれてます。
式はあっているはずです。

Q電圧増幅度の出し方

入力電圧と出力電圧があってそこからどうやって電圧増幅度を求めるんですか?
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Aベストアンサー

増幅回路内の各段のゲイン、カットオフを求めて、トータルゲイン及びF特、位相
を計算するという難しい増幅回路の設計にはあたりませんので、きわめて単純に
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電圧利得(A)=出力電圧/入力電圧

となります。

これをデシベル(dB)で表すと

G=20LogA(常用対数)

で計算できます。

ご参考に。


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