No.1
- 回答日時:
入力がMOSFETなので電流が殆ど流れないため、消費電力は実質コレクタ電流だけだと考えて良いです。
なので、仰る通りコレクタ電流とコレクタ-エミッタ間電圧の積で問題無いと思います。No.2ベストアンサー
- 回答日時:
IGBTの消費電力の実測方法なのに
なぜ質問内容は間接で推測する質問になってまっせ
実測は温度を直接測れば良いのんです
IGBTの温度とケースの温度を測ればそれで良いんです
それでケースの温度でIGBTの温度が判るんですけどね
なんの意図があるんですかね
No.3
- 回答日時:
電流と電圧を見ればいいのですが電流と電圧を別々に測って掛け算しても求める電力は得られません。
電流と電圧を掛け算し、それを1周期間にわたって積分し、積分結果を1周期の時間で割り算して初めて電力が求められます。
アナログの乗算器が手に入らない時にはオシロスコープの波形から手で計算する必要があります。
オシロスコープによっては乗算機能が付いているものがあるかもしれません。
そのような事が出来ない時は実動作でケース温度を測り、その温度と同じになるような直流を流せば電力を求める事ができます。
この回答への補足
回答ありがとうございます。
やはりクランプやテスタ等ではなく、波形から見ていく必要があるようですね。
どうしても積分を使った計算となると悩んでしまいます^^;
電流は固定なのでケース温度と同じようになるような直流を流すということはできないのです。
No.4
- 回答日時:
#3の回答のように,最近ではデジタルオシロ(DSO)の演算機能を使って,電流と電圧を掛算し平均化し求めてます.
発熱源が1個だと,実動作でケース温度を測り,その温度と同じになるような直流を流して電力を求める事ができますし,デジタルオシロの無かった大昔は,バイポーラの損失はそれで求めてました.
ただし,面倒だし,IGBTが1個だけってことは無いですよね.
この回答への補足
回答ありがとうございます。
IGBTはちなみにディスクリート品1個だけです。
IGBTの用途としては、セメント抵抗を回生抵抗としIGBTがONしたときに回生動作をさせているときの温度測定を行っています。
No.5
- 回答日時:
演算機能付きデジタルオシロ(DSO)を使った測定例はここに有ります.
p.16「12. スイッチング・トランジスタの瞬時電力測定」
http://www.tektronix.co.jp/products/app_notes/po …
測定結果をEXCELに読み込んで,平均化します.
こうゆうDSOやプローブがないときは,IGBTが1個だけとゆうことですから,動作時のケース温度(タブのところ)を測定し,次にIGBTのリードを全部外して,IGBTを使った直流定電流回路を作ります.
IGBTの電圧電流を測りながら,上記と同じ点の温度が等しくなるように,IGBTの電流を調節します.
その時の電圧電流が,動作時の内部損失です.
なお,IGBTに加える電圧はデータシートを見て,2次破壊領域よりも低くします.
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