フォトダイオードに逆バイアスをかけると接合容量が小さくなるのはなぜですか？

一般的にフォトダイオードに逆バイアスをかけると接合容量が小さくなるそうなのですが、これはどういう原理に基づくものなのでしょうか？
どなたかこれに関して書かれている書籍がありましたら教えて下さい。
お願いいたします。

No.1 ベストアンサー 回答者： P-mann 回答日時： 2008/12/07 20:31

どの程度の知識をお持ちなのか分かりませんので、まずはWikipediaにてpn接合の説明を読まれることをお勧めします。

URLは正しく認識されませんので、コピペしてください。
http://ja.wikipedia.org/wiki/Pn接合

その上で、

１．フォトダイオードに逆バイアスをかけると空乏層幅が増加
２．接合容量は空乏層によって形成されるコンデンサの容量が支配的
３．空乏層幅の増加はコンデンサの極板間が増加することに等しいので
　　コンデンサの容量が減る
　　→接合容量が減少

という感じになります。
かなり基本的な事項ですので、半導体デバイスの本にはほぼ間違いなく載っています（pn接合の章など）。

私は難しい本しか知りませんが、それでもよければコレがお勧めです。マニアックな本が置いてある図書館ならあるかもしれません。
URLは正常に認識されませんので、コピペしてください。
http://www.amazon.co.jp/半導体デバイス―基礎理論とプロセス技術-S-M-ジィー/dp/4782855508/ref=sr_1_1/378-2008410-6875938?ie=UTF8&s=books&qid=1228649066&sr=8-1

半導体を勉強する人以外は必要ない本です。
逆に、勉強する方がここを見たのであれば、コレの英語版の方がお勧めです。