No.2ベストアンサー
- 回答日時:
薄い皮膜=酸化膜のことです。
それから、ディプレッション、エンハンスメントの違いは
別の理由で生じます。
MOS-FETに於いて、ドレイン-ソース間に
もうひとつNチャネルを用意するとディプレッション
これをやらないとエンハンスメントになります。
また、接合型では普通はディプレッション特性となりますが
V-FETではエンハンメントの物がありました
(今はV型接合-FET自体が無い)
スイッチングはエンハンスメントのほうが都合が良く、
信号増幅(特に高周波)ではディプレッションの方が都合がよいので
こうしています。
ただし、D級、E級増幅に使われるパワーFETはエンハンスメントです。
動作がスイッチングなので。
No.1
- 回答日時:
電圧で電流をコントロールする素子がFETですが、
この制御電圧を与えるゲート電極が、接合されているのがJ-FET
薄い皮膜で分離されているのがMOS-FETです。
MOS-FETの方がゲートのインピーダンスが高くなります。
また、帰還容量も少なくなるので、発振の可能性が低くなりますが、
皮膜は静電気で破壊されやすいという欠点もあります。
この回答へのお礼
お礼日時:2003/01/24 07:22
朝早くからありがとうございます
MOS-FETの皮膜って、酸化膜のことですか?
MOS-FETがデプレッション型の時もJ-FETの違いは上に書いてあるのと同じなのでしょうか?
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