下図回路のFETはIDSQ=2mA、にバイアスされている。但し、ri=10kΩ、R1=22kΩ、R2

下図回路のFETはIDSQ=2mA、にバイアスされている。但し、ri=10kΩ、R1=22kΩ、R2=78kΩ、Rd=6kΩ、Rs=500Ω、RL=6kΩ、
Cc1=Cc2=Cs=♾、VDD=20V、kn=1mA/V^2とする。

問)
rds=20kΩとしたときの電圧利得VL/Viを求めよ。

計算してみたら
VDSQ=20/13(V)
VGSQ=3.4(V)
gm=2.2mAとなり、電圧利得はー30となりました。
しかし電圧利得が低すぎると言われました。
電圧利得の計算を教えていただきたいです。

No.3 ベストアンサー 回答者： yucco_chan 回答日時： 2022/09/29 21:24

すみません。

私も間違えました。
gmは違ってます。
ジーメンスはA/Vであることを思い出してください。
　↑この指摘をしようとして、自分の凡ミスに気が付きました。

この回答へのお礼

ありがとうございます。
電圧利得Av=VL/Viは

VL=-gm Vgs (Rd+rds//RL)
Vi=Vgs
で計算し、約ー30になったのですが、こちらは合っているでしょうか

お礼日時：2022/09/30 08:42

No.2 回答者： yucco_chan 回答日時： 2022/09/29 20:51

Ids=kn*(Vgs-Vtn)^2 で良いですか？

　私が知っているknと定義が違うので確認しています。
良いなら、Vdsは合ってますが、gmは2√2だけ合ってます。

No.1 回答者： yucco_chan 回答日時： 2022/09/29 18:18

>VDSQ=20/13(V)

>gm=2.2mA

この２つが間違い。

この回答へのお礼

ありがとうございます。
再度計算して、
VDSQ=7(V)
gm=2√2(S)
となりました。
どうでしょうか

お礼日時：2022/09/29 19:45